钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供的钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质，方法包括：获取目标图像，从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置；当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机；控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。本发明专利技术可以智能调节电机，使光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏差在允许的误差范围内，从而可以保证各个钻石均匀生长，保证钻石质量。钻石质量。钻石质量。

【技术实现步骤摘要】
钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及钻石培育
，具体而言，涉及钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]目前，基于微波等离子体化学气相沉积（MicrowavePlasmaChemicalVaporDeposition，简称MPCVD）方法生产钻石（例如单晶钻石）具有生长速度较快，质量好，尺寸大等优点。
[0003]通常，MPCVD设备的生长腔内的等离子体通过聚集形成光球，光球的光能够照射到样本基台上的钻石上，促使钻石生长。在实际生产钻石的过程中，容易出现各个钻石生长速度不一致，生长出来的钻石的质量参差不齐的缺陷，而且，生长速度快的区域温度要高于生长速度慢的区域温度，这就导致整个生长环境温差较大，巨大的温差可能导致晶体裂开。因此，如何提供一种调节策略，提高钻石生长均匀度和质量，是需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质，用以提高提高钻石生长均匀度和质量。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种钻石培育设备调节方法，所述钻石培育设备包括电机系统、腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体，所述等离子气体在所述腔体内通过聚集形成光球，所述方法包括：获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。
[0006]第二方面，本专利技术提供一种钻石培育设备调节装置，所述钻石培育设备包括腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体；所述等离子气体通过聚集形成光球；所述样本基台上具有钻石，包括：获取模块，用于获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；确定模块，用于从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；控制模块，用于控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。
[0007]第三方面，本专利技术提供一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的计算机程序，所述处理器可执行所述计算机程序以实现第一方面所述的方法。
[0008]第四方面，本专利技术提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如第一方面所述的方法。
[0009]本专利技术实施例提供的钻石培育设备调节方法、装置、电子设备及存储介质，首先获取目标图像，进而从目标图像中确定光球的中心位置和样本基台的中心位置；当光球的中心位置和样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据光球的中心位置相对于样本基台的中心位置的偏离方向，确定电机系统中的待调节电机；控制待调节电机按照预设步数旋转，直到确定距离差值小于第一预设阈值时，停止调节待调节电机。本专利技术实施例可以基于图像识别出光球的中心位置和样本基台的中心位置，在确定这两个中心位置之间的距离差值大于第一预设阈值时自动调节电机，以使这两个中心位置之间的距离差值小于第一预设阈值，以使光球的中心位置能够允许的误差范围内，从而可以保证各个钻石均匀生长，保证钻石质量。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0011]图1为本专利技术实施例提供的一种钻石培育设备的部分结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的钻石培育设备调节方法的示意性流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种场景示意图；图4为本专利技术实施例提供的步骤S203的示意性流程图；图5为本专利技术实施例提供一种示例图；图6为本专利技术实施例提供的步骤S204的示意性流程图；图7为本专利技术实施例提供的另一种钻石培育设备调节方法的示意性流程图；图8为本专利技术实施例提供的步骤S206的示意性流程图；图9为本专利技术实施例提供的钻石培育设备调节装置的功能模块图；图10为本专利技术实施例提供的一种电子设备的功能模块图。
具体实施方式
[0012]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0013]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0014]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0015]在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0016]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0017]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术的实施例中的特征可以相互结合。
[0018]目前，基于微波等离子体化学气相沉积（MicrowavePlasmaChemicalVaporDeposition，简称MPCVD）方法生产钻石（例如单晶钻石）具有生长速度较快，质量好，尺寸大等优点。请参见图1，图1为本专利技术实施例提供的一种钻石培育设备的部分结构示意图。
[0019]如图1所示，钻石培育设备100的腔体内设置有样本基台，样本基台可以但不限于是钼基台，钼基台上放置有钻石晶体，腔体内具有充斥有等离子气体，等离子气体在腔体内通过聚集形成光球。
[0020]钻石培育设备100还具有电机系统，电机系统中主要有：短路活塞调节电机、耦合天线调节电机、以及三销钉调配器电机子系统。可以理解的是，通过对电机系统内各个电机进行控制调节，可以改变等离子气体在腔体内聚焦而成的光球的位置。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钻石培育设备调节方法，其特征在于，所述钻石培育设备包括电机系统、腔体、样本基台；所述腔体内具有等离子气体，所述等离子气体在所述腔体内通过聚集形成光球，所述方法包括：获取目标图像；所述目标图像中具有所述光球和所述样本基台；从所述目标图像中确定所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置；当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机；控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机。2.根据权利要求1所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，当所述光球的中心位置和所述样本基台的中心位置之间距离差值大于第一预设阈值，根据所述光球的中心位置相对于所述样本基台的中心位置的偏离方向，确定所述电机系统中的待调节电机，包括：以所述目标图像的左上角为原点，以所述目标图像的长边为横坐标轴，并以所述目标图像的短边为纵坐标轴，构建图像坐标系；在所述图像坐标系中，以所述样本基台的中心位置为原点，构建第一基准线和第二基准线，其中，所述第一基准线平行于所述横坐标轴，所述第二基准线平行于所述纵坐标轴；所述第一基准线和所述第二基准线垂直相交于所述原点；根据预设的样本基台尺寸、以及所述样本基台的中心位置，确定偏离区域的坐标信息，以及所述第一基准线和所述第二基准线各自的坐标信息；根据所述光球的中心位置、以及所述偏离区域的坐标信息，所述第一基准线和所述第二基准线各自的坐标信息，确定所述光球的偏离方向；根据预设的偏离方向与电机的对应的关系，确定所述待调节电机。3.根据权利要求1或2所述的钻石培育设备调节方法，其特征在于，控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到确定所述距离差值小于所述第一预设阈值时，停止调节所述待调节电机，包括：根据起始旋转方向，控制所述待调节电机按照预设步数旋转；确定调节后的所述距离差值的变化趋势是增大还是减小；若所述变化趋势为增大，则沿与所述起始旋转方向相反的旋转方向，控制所述待调节电机按照预设步数旋转,直到所述距离差值小于所述第一预设阈值，停止调节所述待调节电机;若所述变化趋势为减小，则继续执行所述根据起始旋转方向，控制所述待调节电机按照预设步数旋转，直到所述距离差值小于所述第一预设阈值，停止调节所述待调节电机。4.根据权利要求1所述的钻石培育设备调节方法，所述电机系统还包括三销钉调配器电机子系...

【专利技术属性】
技术研发人员：何磊，刘文科，季天仁，韦明勉，陈建，李东亚，季宇，李俊宏，
申请(专利权)人：成都沃特塞恩电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：