一种提升12bit分段式电容SARADC有效位的电路结构制造技术

本发明专利技术属于模数转换器技术领域，具体提供一种提升12bit分段式电容SAR ADC有效位的电路结构，包括由多个电容并联组成的低比特位电容组及多个电容并联组成的高比特位电容组，所述低比特位电容组中的电容值包括C、2C、4C、8C、16C及32C，所述高比特位电容组中的电容值包括至少两个C，其中C为一个单位电容大小；所述低比特位电容组与所述高比特位电容组的各电容分别单独接入输入信号vin，所述低比特位电容组的另一端与所述高比特位电容组的另一端之间通过一个电容连接后，再与比较器的负输入端连接。该方案的高6bit位电容使用温度计译码电路，保证了ADC的单调性和线性度，从而可以设计出具有高线性度、高精度、中高速的SAR ADC。ADC。

A circuit structure for improving the effective bit of saradc of 12bit segmented capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种提升12bit分段式电容SAR ADC有效位的电路结构


[0001]本专利技术涉及模数转换器
，更具体地，涉及一种提升12bit分段式电容SAR ADC有效位的电路结构。

技术介绍

[0002]模数转换器(Analog
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to
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Digital Converter，ADC)将模拟信号转换成数字信号，是模拟系统与数字系统接口的关键部件，数字信号处理技术和通信产业的迅猛发展，推动着ADC逐步向高速度、高精度和低功耗的方向发展，分段电容式逐次逼近模数转换器(SAR ADC)具有面积小、低功耗、高精度和中高速的转换速度，容易采用CMOS工艺实现，而且易于实现多路转换，在精度、速度、功耗和成本方面具有综合优势，被广泛应用于工业控制、医疗仪器以及微处理器辅助模数转换接口等领域。
[0003]然而，在低功耗、高精度、中高速SAR ADC设计中，电容阵列不匹配会引入静态非线性误差，尤其是高比特位的电容，影响更大。导致ADC精度与性能下降，达不到目标需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升12bit分段式电容SARADC有效位的电路结构，其特征在于，包括由多个电容并联组成的低比特位电容组及多个电容并联组成的高比特位电容组，所述低比特位电容组中的电容值包括C、2C、4C、8C、16C及32C，所述高比特位电容组中的电容值包括至少两个C，其中C为一个单位电容大小；所述低比特位电容组与所述高比特位电容组的各电容分别单独接入输入信号vin，所述低比特位电容组的另一端与所述高比特位电容组的另一端之间通过一个电容连接后，再与比较器的负输入端连接。2.根据权利要求1所述的所述提升12bit分段式电容SARADC有效位的电路结构，其特征在于，所述低比特位电容组的另一端与所述高比特位电容组的另一端之间通过一个大小为C的电容连接。3.根据权利要求1所述的所述提升12bit分段式电容SARADC有效位的电路结构，其特征在于，所述低比特位
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电容组及所述高比特位电容组中的各电容分别单独接入一个开关后...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏建宝，陈志明，田杰峰，董书斌，彭河锦，陈肃，钟旭恒，
申请(专利权)人：厦门澎湃微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：