【技术实现步骤摘要】
存储器控制器、存储器装置和存储装置
[0001]本申请要求于2021年1月14日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0005212号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
[0002]本公开涉及一种存储器控制器、一种存储器装置和一种存储装置。
技术介绍
[0003]存储器装置可以提供写入和擦除数据或者读取写入的数据的功能。存储器装置可以响应于由存储器控制器发送的控制信号而执行编程操作、擦除操作、读取操作等,并且由存储器装置在读取操作中获得的数据可以被输出到存储器控制器。存储器控制器可以纠正作为读取操作的结果而获得的数据中的错误,并且可以在对错误的纠正失败时命令存储器装置执行附加读取操作。
技术实现思路
[0004]一方面是提供可以通过在读取操作成功时将写入读取电压的偏移电压的表更新为用于下一读取操作的准确值来确保读取操作的可靠性的存储器控制器、存储器装置和存储装置。
[0005]根据示例实施例的一方面,一种存储器控制器包括:多个控制引脚,被配置为将控制信号输出到至少一个存储器装置;多个数据引脚,被配置为将数据信号发送到所述至少一个存储器装置,并且从所述至少一个存储器装置接收数据信号;缓冲存储器,被配置为存储表并且存储机器学习模型,用于读取操作的静态偏移电压被写入所述表中,机器学习模型接收与包括在所述至少一个存储器装置中的存储器单元的阈值电压分布对应的单元计数信息并且生成用于读取操作的动态偏移电压;纠错电路;以及处理器
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器控制器,包括:多个控制引脚,被配置为:将控制信号输出到至少一个存储器装置;多个数据引脚,被配置为:将数据信号发送到所述至少一个存储器装置,并且从所述至少一个存储器装置接收数据信号;缓冲存储器,被配置为:存储表并且存储机器学习模型,用于读取操作的静态偏移电压被写入所述表中,机器学习模型接收与包括在所述至少一个存储器装置中的存储器单元的阈值电压分布对应的单元计数信息并且生成用于读取操作的动态偏移电压;纠错电路;以及处理器,被配置为:当纠错电路无法纠正从所述至少一个存储器装置获得的读取数据中的错误时,命令所述至少一个存储器装置执行调整读取操作的操作条件并获得读取数据的最优读取操作,其中,当纠错电路成功地纠正通过最优读取操作获得的读取数据中的错误时,处理器将作为最优读取操作的结果而从所述至少一个存储器装置接收的单元计数信息输入到机器学习模型以获得动态偏移电压,并且使用动态偏移电压来更新所述表。2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,当纠错电路无法纠正通过最优读取操作获得的读取数据中的错误时,处理器命令所述至少一个存储器装置使用应用了动态偏移电压的已纠正的读取电压执行后续读取操作。3.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,根据写入每个存储器单元的数据,每个存储器单元具有多个状态中的一个状态,并且单元计数信息是通过对所述多个状态的至少一部分执行最优读取操作而获得的信息。4.根据权利要求3所述的存储器控制器,其中,单元计数信息包括在所述多个状态的所述至少一部分中的每个状态下通过最优读取操作的读取电压导通或截止的存储器单元的数量。5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,机器学习模型接收被执行最优读取操作的被选存储器单元的地址和被选存储器单元的劣化信息中的至少一者以及单元计数信息,以生成动态偏移电压。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的存储器控制器,其中,最优读取操作包括片上谷搜索OVS操作,并且处理器从所述至少一个存储器装置接收OVS检测信息作为OVS操作的结果,OVS检测信息包括单元计数信息和与单元计数信息对应的检测情况。7.根据权利要求6所述的存储器控制器,其中,所述表包括第一表、第二表和第三表,第一静态偏移电压被写入第一表中,第二静态偏移电压被写入第二表中,用于确定历史读取电压的第三静态偏移电压被写入第三表中。8.根据权利要求7所述的存储器控制器,其中,当纠错电路成功地纠正通过最优读取操作获得的读取数据中的错误时,处理器使用动态偏移电压来更新第三表。9.根据权利要求7所述的存储器控制器,其中,当纠错电路成功地纠正通过最优读取操作获得的读取数据中的错误时,处理器将使用检测情况和第二表确定的第二静态偏移电压与动态偏移电压进行比较,以确定动态偏移电压是否适用。10.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中,当动态偏移电压被确定为适用时,处理
器使用动态偏移电压来更新第三表,并且当动态偏移电压被确定为不适用时,处理器使用第二静态偏移电压来更新第三表。11.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,处理器生成第一读取命令和与第一读取命令不同的第二读取命令,并且第一读取命令是控制所述至少一个存储器装置基于由处理器确定的读取电压的电平执行读取操作的命令,并且第二读取命令是控制所述至少一个存储器装置执行包括片上谷搜索OVS操作的最优...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴世桓,金真怜,朴一汉,徐荣德,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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