半导体制造装置中的数据的管理方法以及具备环形缓冲区的控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体制造装置中的数据的管理方法以及具备环形缓冲区的控制装置。以往，要想在控制装置中保存较高的采样速率的数据，需要增大环形缓冲区的容量。半导体制造装置中的数据的管理方法包含如下的步骤：控制装置取得与上述半导体制造装置的动作相关的数据；上述控制装置在上述所取得的数据中识别第一数据和第二数据；上述控制装置将上述第一数据以第一时间粒度写入到第一环形缓冲区，将上述第二数据以比上述第一时间粒度粗略的第二时间粒度写入到第二环形缓冲区；以及数据管理装置从上述第一环形缓冲区和上述第二环形缓冲区分别取出上述第一数据、上述第二数据，并储存于数据库。储存于数据库。储存于数据库。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置中的数据的管理方法以及具备环形缓冲区的控制装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造装置中的数据的管理方法以及具备环形缓冲区的控制装置。

技术介绍

[0002]为了控制半导体制造装置，例如使用PLC(Programmable Logic Controller：可编程逻辑控制器)等控制装置。控制装置具备环形缓冲区，将针对半导体制造装置的控制数据、来自设置于半导体制造装置的各种传感器的测量数据按照时间序列储存于环形缓冲区。环形缓冲区的数据由外部的计算机从环形缓冲区取出，并保存于计算机的存储装置。作为相关的技术，例如公知有专利文献1所公开的技术。
[0003]专利文献1：日本特开2004
‑
319857号公报。
[0004]为了高精度地管理半导体制造装置的各部的动作状态等，优选提高上述那样的控制数据、测量数据的采样速率。然而，要想在控制装置中保存较高的采样速率的数据，需要增大环形缓冲区的容量。

技术实现思路

[0005][技术方案1]根据技术方案1，提供一种半导体制造装置中的数据的管理方法，控制装置取得与上述半导体制造装置的动作相关的数据；上述控制装置在上述所取得的数据中识别第一数据和第二数据；上述控制装置将上述第一数据以第一时间粒度写入到第一环形缓冲区，将上述第二数据以比上述第一时间粒度粗略的第二时间粒度写入到第二环形缓冲区；以及数据管理装置从上述第一环形缓冲区和上述第二环形缓冲区分别取出上述第一数据、上述第二数据，并储存于数据库。
[0006][技术方案2]根据技术方案2，在技术方案1的方法中，上述第一数据向上述第一环形缓冲区的写入以及上述第二数据向上述第二环形缓冲区的写入是分别以上述第一时间粒度、上述第二时间粒度周期性地进行的。
[0007][技术方案3]根据技术方案3，在技术方案1的方法中，上述第二数据向上述第二环形缓冲区的写入是仅在上述第二数据发生变化时进行的。
[0008][技术方案4]根据技术方案4，在技术方案1至3中任一个方法中，将上述第一数据和上述第二数据储存于上述数据库的步骤包含如下的步骤：以上述第一数据的时间信息为基准来校正上述第二数据的时间信息；以及将校正了上述时间信息的上述第二数据与成为上述时间信息的基准的上述第一数据建立对应地储存于上述数据库。
[0009][技术方案5]根据技术方案5，在技术方案4的方法中，将一个上述第二数据与多个上述第一数据建立对应。
[0010][技术方案6]根据技术方案6，在技术方案1至3中任一个方法中，将上述第一数据和上述第二数据储存于上述数据库的步骤包含如下的步骤：以上述第二数据的时间信息为
基准来校正上述第一数据的时间信息；以及将校正了上述时间信息的上述第一数据与成为上述时间信息的基准的上述第二数据建立对应地储存于上述数据库。
[0011][技术方案7]根据技术方案7，在技术方案6的方法中，将多个上述第一数据中的所选择的一个第一数据与一个上述第二数据建立对应。
[0012][技术方案8]根据技术方案8，在技术方案1至7中任一个方法中，上述第一数据和上述第二数据是由设置于上述半导体制造装置的传感器测定的测定数据。
[0013][技术方案9]根据技术方案9，在技术方案1至7中任一个方法中，上述第一数据是由设置于上述半导体制造装置的传感器测定的测定数据，上述第二数据是表示上述半导体制造装置的动作内容的数据。
[0014][技术方案10]根据技术方案10，提供一种半导体制造装置中的数据的管理方法，包含如下的步骤：第一控制装置取得与上述半导体制造装置的动作相关的第一数据；第二控制装置取得与上述半导体制造装置的动作相关的第二数据；上述第一控制装置将上述第一数据以第一时间粒度写入到第一环形缓冲区；上述第二控制装置将上述第二数据以比上述第一时间粒度粗略的第二时间粒度写入到第二环形缓冲区；数据管理装置从上述第一环形缓冲区和上述第二环形缓冲区分别取出上述第一数据、上述第二数据；上述数据管理装置以上述第一数据的时间信息为基准来校正上述第二数据的时间信息；以及上述数据管理装置将校正了上述时间信息的上述第二数据与成为上述时间信息的基准的上述第一数据建立对应地储存于数据库。
[0015][技术方案11]根据技术方案11，提供一种控制装置，其与半导体制造装置连接，其中，该控制装置构成为，具备第一环形缓冲区和第二环形缓冲区，取得与上述半导体制造装置的动作相关的数据，在上述所取得的数据中识别第一数据和第二数据，将上述第一数据以第一时间粒度写入到第一环形缓冲区，将上述第二数据以比上述第一时间粒度粗略的第二时间粒度写入到第二环形缓冲区。
附图说明
[0016]图1是实施本专利技术的一个实施方式的方法的系统的结构图。
[0017]图2是表示用于实施本专利技术的一个实施方式的方法的处理的整体概要的流程图。
[0018]图3是表示本专利技术的一个实施方式的步骤S204中的处理的详细内容的图，表示写入到第一环形缓冲区的高速采样数据的例子。
[0019]图4是表示本专利技术的一个实施方式的步骤S204中的处理的详细内容的图，表示写入到第二环形缓冲区的低速采样数据的例子。
[0020]图5表示与图3和图4对比的以往例。
[0021]图6是表示本专利技术的其他的实施方式的步骤S204中的处理的详细内容的图，表示写入到第二环形缓冲区的测量数据的例子。
[0022]图7是表示本专利技术的其他的实施方式的步骤S204中的处理的详细内容的图，表示写入到第三环形缓冲区的事件数据的例子。
[0023]图8表示与图6和图7对比的以往例。
[0024]图9是表示将事件数据写入到第三环形缓冲区的处理的例子的图。
[0025]图10是表示将控制比特数据写入到第三环形缓冲区的处理的例子的图。
[0026]图11是表示本专利技术的一个实施方式的步骤S205中的处理的详细内容的图，表示使第一环形缓冲区的高速采样数据与第二环形缓冲区的低速采样数据在时间上匹配的处理的例子。
[0027]图12是表示本专利技术的一个实施方式的步骤S205中的处理的详细内容的图，表示使第二环形缓冲区的测量数据与第三环形缓冲区的事件数据在时间上匹配的处理的例子。
[0028]图13是表示本专利技术的一个实施方式的步骤S205中的处理的详细内容的图，表示使第二环形缓冲区的测量数据与第三环形缓冲区的事件数据在时间上匹配的处理的其他的例子。
[0029]图14是表示实施本专利技术的一个实施方式的方法的系统的其他的结构例的图。
[0030]图15是表示能够应用于图14的系统的步骤S205中的处理的详细内容的图。
[0031]附图标记的说明
[0032]10
…
系统；100
…
半导体制造装置；120
…
驱动部；140
…
传感器；200
…
控制装置；202
…
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置中的数据的管理方法，包含如下的步骤：控制装置取得与所述半导体制造装置的动作相关的数据；所述控制装置在所取得的所述数据中识别第一数据和第二数据；所述控制装置将所述第一数据以第一时间粒度写入到第一环形缓冲区，将所述第二数据以比所述第一时间粒度粗略的第二时间粒度写入到第二环形缓冲区；以及数据管理装置从所述第一环形缓冲区和所述第二环形缓冲区分别取出所述第一数据、所述第二数据，并储存于数据库。2.根据权利要求1所述的数据管理方法，其中，所述第一数据向所述第一环形缓冲区的写入以及所述第二数据向所述第二环形缓冲区的写入是分别以所述第一时间粒度、所述第二时间粒度周期性地进行的。3.根据权利要求1所述的数据管理方法，其中，所述第二数据向所述第二环形缓冲区的写入是仅在所述第二数据发生变化时进行的。4.根据权利要求1至3中任一项所述的数据管理方法，其中，将所述第一数据和所述第二数据储存于所述数据库的步骤包含如下的步骤：以所述第一数据的时间信息为基准来校正所述第二数据的时间信息；以及将校正了所述时间信息的所述第二数据与成为所述时间信息的基准的所述第一数据建立对应地储存于所述数据库。5.根据权利要求4所述的数据管理方法，其中，将一个所述第二数据与多个所述第一数据建立对应。6.根据权利要求1至3中任一项所述的数据管理方法，其中，将所述第一数据和所述第二数据储存于所述数据库的步骤包含如下的步骤：以所述第二数据的时间信息为基准来校正所述第一数据的时间信息；以及将校正了所述时间信息的所述第一数据与成为所述时间信息的基准的所述第二数据建立对应地储存于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤木雅之，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：