一种MOSFET管的测试电路及其测试方法技术

本发明专利技术公开了一种MOSFET管的测试电路，包括多个串联连接的测试模块，所述测试模块包括MOSFET管、设置在所述MOSFET管内的二极管D和用于输出加热电流和测试电流的驱动单元，所述MOSFET管的源极和漏极通过所述二极管D电性连接，所述MOSFET管的源极和漏极均分别电性连接所述驱动单元，所述驱动单元包括控制所述MOSFET管导通电压的电源U，所述电源U与所述MOSFET管的栅极电性连接。其还公开了上述测试电路的测试方法。其容易给MOSFET管的内部加热，且不易烧坏MOSFET管外部的封装。且不易烧坏MOSFET管外部的封装。且不易烧坏MOSFET管外部的封装。

【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET管的测试电路及其测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种MOSFET管的测试电路及其测试方法。

技术介绍

[0002]在半导体领域中，MOSFET管作为常用的晶体管，MOSFET管的性能往往决定整个电子器件的性能，因此MOSFET管的性能测试尤其重要。
[0003]由于MOSFET管在使用中会发热，发热后可能会使MOSFET管中的PN结烧坏，所以对MOSFET管的热性能进行测试是很有必要的。
[0004]但一般测试MOSFET管热性能的方法都是：通过外部热空气或者加热丝直接给MOSFET管加热来测试热性能。这样不易给MOSFET管内部加热，且容易烧坏MOSFET管外部的封装。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种MOSFET管的测试电路，其容易给MOSFET管的内部加热，且不易烧坏MOSFET管外部的封装；
[0006]本专利技术的目的之二还提供一种上述MOSFET管的测试电路的测试方法。
[0007]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET管的测试电路，其特征在于，包括多个串联连接的测试模块，所述测试模块包括MOSFET管、设置在所述MOSFET管内的二极管D和用于输出加热电流和测试电流的驱动单元，所述MOSFET管的源极和漏极通过所述二极管D电性连接，所述MOSFET管的源极和漏极均分别电性连接所述驱动单元，所述驱动单元包括控制所述MOSFET管导通电压的电源U，所述电源U与所述MOSFET管的栅极电性连接。2.根据权利要求1所述的MOSFET管的测试电路，其特征在于，所述驱动单元还包括选择开关S1、用于加热的电流源Ih1和用于测试的电流源Is1，所述电流源Ih1的一端和所述电流源Is1的一端均分别电性连接所述MOSFET管的源极，所述电流源Ih1的另一端和所述电流源Is1的另一端均分别电性连接所述选择开关S1，所述选择开关S1与所述MOSFET管的漏极电性连接。3.根据权利要求2所述的MOSFET管的测试电路，其特征在于，所述电源U包括选择开关S2、输出正电压的电源U1和输出负电压的电源U2，所述电源U1的一端和所述电源U2的一端均分别电性连接所述MOSFET管的源极，所述电源U1的另一端和所述电源U2的另一端均分别电性连接所述选择开关S2，所述选择开关S2与所述MOSFET管的栅极电性连接。4.根据权利要求2所述的MOSFET管的测试电路，其特征在于，所述电源U包括比较器LM和输出正向电压的电源U3，所述比较器LM的正极输入端与所述MOSFET管的漏极电性连接，所述比较器LM的负极输入端与所述电源U3的一端电性连接，所述电源U3的另一端与所述MOSFET管的源极电性连接。5.根据权利要求4所述的MOSFET管的测...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹佶，任旭东，
申请(专利权)人：浙江杭可仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：