一种石墨烯湿度传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯湿度传感器及其制备方法，石墨烯湿度传感器包括SiO2/Si衬底，所述SiO2/Si衬底上设置有等离子体改性的石墨烯，所述等离子体改性石墨烯两端设有平行的金属电极，所述等离子体改性石墨烯为单层或少层石墨烯。制备方法主要包括如下步骤：在所述SiO2/Si衬底上制备石墨烯；通过电子光束曝光法和金属薄膜沉积技术在石墨烯两端沉积两个平行的金属电极；通过等离子体改性调控石墨烯状态。本发明专利技术具有响应速度快、灵敏度高的优点而且有助于实现湿度传感器的小型化和集成化。而且有助于实现湿度传感器的小型化和集成化。而且有助于实现湿度传感器的小型化和集成化。

A graphene humidity sensor and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯湿度传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种传感器件及其制备方法，尤其涉及一种响应速度快、灵敏度高的石墨烯湿度传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]湿度传感器是利用湿度敏感材料测量湿度的一种传感器，在食品保健、环境监测、工农业生产等领域均有广泛应用，响应速度和灵敏度是湿度传感器的两个重要参数，现有的湿度传感器，不能同时兼顾响应速度快和灵敏度高，严重限制了湿度传感器的应用范围，湿度敏感的大型设备在运行时，快速、灵敏的反馈湿度对于保护设备正常运行起着非常重要的作用，因此亟需一种快速响应、高灵敏度的湿度传感器。
[0003]二维层状材料石墨烯是新一代微电子和光电子器件的基础材料，其具有原子级的厚度和超高的比表面积，为器件的掺杂与功能化提供了平台。二维层状材料器件性能显著受表面特性和缺陷的影响，这也决定了器件性能容易受表面工程的调控。因此，通过对二维层状材料的层数、缺陷和界面调控可以有效地调节材料的电学和光学性质，以实现获得高性能器件的最终目标。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：本专利技术的目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯湿度传感器，其特征在于：包括SiO2/Si衬底(1)，所述SiO2/Si衬底(1)上设置有等离子体改性的石墨烯(2)，所述等离子体改性石墨烯(2)两端设有两个平行的金属电极(3)，所述等离子体改性石墨烯(2)为单层或少层石墨烯。2.根据权利要求1所述的石墨烯湿度传感器，其特征在于：所述SiO2/Si衬底(1)包括SiO2和置于其下侧的Si衬底。3.根据权利要求1所述的石墨烯湿度传感器，其特征在于：所述等离子体包括氧等离子体和氩等离子体。4.根据权利要求1所述的石墨烯湿度传感器，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪振华，白琳，王文辉，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：