一种自主控温的硅光芯片设计方法技术

本发明专利技术提供了一种自主控温的硅光芯片设计方法，涉及硅光芯片技术领域，能够利用极简的并联电路系统，轻松将原来繁杂的硅光芯片控温系统转变为简单被动式的自主控温，同时减少附加元件，减少芯片不良率；该设计方法在硅光芯片上增设热敏电阻，使之与硅光芯片本身的薄膜电阻并联形成并联电路，并向所述并联电路输入固定电流；根据所述热敏电阻随温度变化改变自身阻值从而改变热敏电阻支路的电流的现象，实现薄膜电阻支路的电流调节，进而实现硅光芯片的自主温度控制；所述热敏电阻为负温度系数的热敏电阻，所述薄膜电阻为薄膜加热电阻。所述薄膜电阻为薄膜加热电阻。所述薄膜电阻为薄膜加热电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种自主控温的硅光芯片设计方法


[0001]本专利技术涉及硅光芯片
，尤其涉及一种自主控温的硅光芯片设计方法。

技术介绍

[0002]随着光通信网络向集成化、低功耗、智能化和大容量的方向发展，高速光芯片中硅光技术具有低成本、高集成度、大带宽等优点，能够满足不断增长的数据业务、网络资源等的要求，是全球各大厂商积极布局和研发的主要技术之一。然而由于硅材料具有较高的热光系数，硅光器件随着温度变化会引起光的折射率改变，进而引起器件透射率的变化。这就需要硅光器件本身增加控温装置，来实时调整硅光器件因外界环境温度变化导致的透射率变化。
[0003]目前常用的解决方案是当环境温度发生变化时，通过外围控制电路，以及硅光芯片上的监控光电探测器(monitor photo
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diode，MPD)和薄膜加热电阻，共同来实现硅光芯片的闭环锁定和控制。以硅光马赫曾德调制器为例，具体的实现方式如图1所示，其工作过程包括：
[0004]1.当环境温度变化时，芯片的MPD输出电流发生变化，表示为Δi；
[0005]2.通过外围电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述设计方法在硅光芯片上增设热敏电阻，使之与硅光芯片本身的薄膜电阻并联形成并联电路，并向所述并联电路输入固定电流；根据所述热敏电阻随温度变化改变自身阻值从而改变热敏电阻支路的电流的现象，实现薄膜电阻支路的电流调节，进而实现硅光芯片的自主温度控制。2.根据权利要求1所述的自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述热敏电阻贴装于硅光芯片上。3.根据权利要求1所述的自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述热敏电阻为负温度系数的热敏电阻。4.根据权利要求1所述的自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述薄膜电阻支路包括薄膜电阻和可调电阻，所述薄膜电阻和所述可调电阻串联。5.根据权利要求4所述的自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述可调电阻设置在用于固定所述硅光芯片的电路板上。6.根据权利要求1所述的自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述薄膜电阻支路包括薄膜电阻和定值电阻，所述薄膜电阻和所述定值电阻串联。7.根据权利要求6所述的自主控温的硅光芯片设计方法，其特征在于，所述定值电阻贴装在所述硅光芯片上。8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵波，林天营，孙旭，胡朝阳，
申请(专利权)人：苏州海光芯创光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：