一种远红光钙钛矿发光材料以及器件和制备方法技术

本发明专利技术属于电致发光器件领域，主要涉及一种远红光钙钛矿发光材料以及器件和制备方法。远红光钙钛矿发光材料，分子式为：(FA

Far red perovskite luminescent material, device and preparation method

【技术实现步骤摘要】
Defects for Light
‑
Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 20％[J].Advanced Functional Materials,2020,30(12):1909754.1
‑
1909754.9.)等通过在FA
0.33
Cs
0.67
Pb(I
0.7
Br
0.3
)3有机
‑
无机混合卤化物钙钛矿中引入具有双钝化作用的添加剂FPMATFA，得到发光峰位于694nm，EQE为20.9％的红光LED。
[0007]目前，钙钛矿已在绿光、红光、近红外等主流发光色域取得了较大进展，然而，其在远红光区域的发展却稍显滞后。少有研究者关注700nm至750nm范围的远红光。然而，远红光在LED植物照明领域必不可少，远红光(735nm左右)可以控制植物从发芽到营养生长再到开花的整个过程。并且远红光与蓝光、红光的适当组合，可以提供更好的色谱覆盖范围。因此远红光的开发对于填补钙钛本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种远红光钙钛矿发光材料，其特征在于，其分子式为：(FA
0.33
Cs
0.67
)
2.85
PbI
4.35
Br
0.5
。2.一种远红光钙钛矿发光器件，其特征在于，由所述远红外钙钛矿发光材料作为发光层。3.根据权利要求2所述远红光钙钛矿发光器件，其特征在于，其结构为正置结构ITO/ZnO/PEIE/(FA
0.33
Cs
0.67
)
2.85
PbI
4.35
Br
0.5
/TFB/MoOx/Au。4.根据权利要求3所述远红光钙钛矿发光器件，其特征在于，所述ZnO/PEIE的厚度为30nm，(FA
0.33
Cs
0.67
)
2.85
PbI
4.35
Br
0.5
的厚度为50nm，TFB的厚度为40nm，MoOx的厚度为7nm，Au的厚度为50nm。5.根据权利要求4所述远红光钙钛矿发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在玻璃衬底ITO上方旋涂电子传输层ZnO/PEIE，退火；(2)制备远红外钙钛矿发光材料(FA
0.33
Cs
0.67
)
2.85
PbI
4.35
Br
0.5
前驱液，并将其旋涂与所述电子传输层ZnO/PEIE的上方，退火得到发光层；(3)在发光层的上方旋涂空穴传输层[(9,9
‑
二辛基芴
‑
2,7
‑
二基)
‑
共
‑
(4,4
′‑
(N
‑
(4
‑
仲丁基苯基)二苯胺)]层；(4)在空穴传输层的上方蒸镀MoOx/Au电极。6.一种远红光钙钛矿发光器件，其特征在于，其结构为正置结构ITO/ZnO/PEIE/(FA
0.33
Cs
0.67
)
2.85
PbI
4.35
Br
0.5
/TPBi/TFB/MoOx/Au。7.根据权利要求6所述远红光钙钛矿发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(s1)在玻璃衬底ITO上方旋涂电子传输层ZnO/PEIE，退火；(s2)制备远红外钙钛矿发光材料(FA
0.33
Cs
0.67
)
2.85
PbI
4.35
Br
0.5
前驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：方国家，王舒欣，刘永杰，陈国毅，
申请(专利权)人：武汉大学深圳研究院，
类型：发明
国别省市：