【技术实现步骤摘要】
一种二维(PEA)2PbX4纳米片、制备方法及其在紫外光探测器中的应用
[0001]本专利技术属于光电探测器
,具体涉及一种二维(PEA)2PbX4纳米片的制备方法及其在紫外光探测器中的应用。
技术介绍
[0002]光电探测器是一类可捕获入射光,并将光信号转变为电信号的一类器件。按照光谱响应的范围,可将其分为紫外光电探测器、可见光光电探测器及近红外光电探测器。为了满足人们的需求,高性能、高稳定性、高可靠性的紫外探测器,尤其是能在极端和恶劣条件下工作的探测器的研发显得尤为重要。紫外光电探测器作为紫外探测系统的核心部件,其性能指标对紫外探测系统的可靠性和准确性有着至关重要的影响。现有紫外探测器主要基于GaN/AlGaN等掺杂型无机半导体材料,囿于有限的材料可选范围和低效的器件结构,现有器件的探测灵敏度较低,且体积和重量较大,很难满足各民用和军用领域不断发展的应用需求,迫切需要探索具有简单生长方法和优良的UV响应性能的新型半导体材料。钙钛矿材料是近年来脱颖而出的新型半导体光电材料,得益于独特的电学及光学特性,例如极高的量子效 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二维(PEA)2PbX4纳米片的制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)称取PEAX和PbX2混合,溶解于N,N
‑
二甲基甲酰胺中,在搅拌条件下加热,再过滤,得到前驱体溶液;(2)控制温度,在强烈搅拌的条件下滴加上述步骤(1)得到的前驱体溶液至甲苯中,通过反溶剂沉淀法获得分散在甲苯中的PEA2PbX4NPs纳米片,作为分散液;(3)取两块硅片衬底,分别依次采用乙醇、丙酮、乙醇清洗,再用紫外光处理,吹干,用刀刮开一端表面上的二氧化硅作为电极并连接导电线,其余部分浸没于上述步骤(2)获得的分散液中,施加电压,获得二维的(PEA)2PbX4纳米片。2.如权利要求1所述的一种二维(PEA)2PbX4纳米片的制备方法,其特征在于所述步骤(1)中PEAX和PbX2的加入量摩尔比为2:1,所述N,N
‑
二甲基甲酰胺的体积mL与PEAX和PbX2的之和摩尔量mmol的比值为3:5,所述X为Cl
‑
、Br
‑
、I
‑
中的至少一种。3.如权利要求1所述的一种二维(PEA)2PbX4纳米片的制备方法,其特征在于所述步骤(2)中控制温度为常温,搅拌的强度为1000
‑
2000rpm。4.如权利要求1所述的一种二维(PEA)...
【专利技术属性】
技术研发人员:李佳,周妮,孟令强,喻学锋,
申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院,
类型:发明
国别省市:
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