斜坡电压电路制造技术

本发明专利技术涉及斜坡电压电路。本发明专利技术的实施例提供了斜坡电压产生电路，该电路可用于显示装置。该显示装置包含可以产生变化的亮度水平的多个像素。该斜坡电压发生电路可接收脉冲控制信号。该脉冲控制信号切换两个开关。当所述开关切换在第一状态中时，产生斜坡电压。该斜坡电压可具有快速的前沿上升时间。当所述开关切换在第二状态中时，斜坡电压具有通过电容器放电来指示的倾斜的向下信号部分。放电电容器可以与像素驱动电路相关联。这种产生电路的功耗保持低。

【技术实现步骤摘要】
斜坡电压电路
技术介绍
数字图像显示装置是公知的，并且基于诸如阴极射线管、液晶和例如有机发光二极管(0LED)的固态发光器的各种技术。在一般0LED 显示装置中，像素包括红、绿、蓝色的0LED。在加色系统中组合来自 这三个OLED的每一个的照明，可以实现具有许多种颜色的全色显示器。 使用被掺杂以发射电磁波谱期望部分内的能量的有机材料，0LED 可用于直接产生颜色。然而，已知的红和蓝发光材料不是特别功率高 效的。实际上，已知宽带宽(呈现白色的)材料与窄带宽材料相比具 有足够高的功率效率，通过将滤色器置于宽带宽的发光材料上方来产 生同等功率高效的0LED显示器。因此，本领域中已知的是，使用发白 光的OLED阵列并将滤色器置于这些OLED上方以在每个像素中获得红、 绿和蓝发光元件，来组建显示器，从而制作OLED显示器。然而，提高 的OLED显示器功率效率仍是追求的品质。附图说明参考附图进行详细描述。在图中，参考数字最左边的位表示首次 出现该参考数字的图。在不同图中使用相同参考数字表示相似或相同 的项目。图1为说明可以结合在显示装置内的像素布置的图示。图中仅示 例性示出16个像素。显示装置中可结合任意数目的像素。图2说明图1所示像素之一的更大视图。图2示出像素也可以接 收斜坡电压，该斜坡电压可用于调节像素的亮度水平。图3说明示例性斜坡电压发生电路。该示例性斜坡电压发生电路 可以结合图1和2所示的实施例使用。图4为用于描述图3所示发生电路的操作的信号图。图5说明一流程图，该流程图包括使得能够产生斜坡电压的多个图6为可用于支持和利用斜坡电压发生电路的通用计算系统的框 图。斜坡电压发生电路的示例性实施例示于图3。具体实施方式 概述一个实施方式提供了一种可以与显示装置结合使用的斜坡电压发 生电路。该显示装置可包括多个像素，该多个像素可产生变化的亮度 水平。该斜坡电压发生电路可接收脉冲控制信号。该脉冲控制信号切换(toggle)两个开关。当开关切换到第一状态时，产生斜坡电压。 该斜坡电压可以具有快速的前沿上升时间。当开关切换到第二状态时， 该斜坡电压具有通过电容器放电规定的斜坡下降信号部分。在一个实 施方式中，放电电容器电流通过与运算跨导放大器(0TA)相关联的N 沟道金属氧化物半导体(薩OS)晶体管获得。该放电电容器可以与像 素驱动器电路相关联。在另一实施方式中，该两个开关中的至少一个 为P沟道金属氧化物半导体(PM0S)晶体管。该PM0S晶体管也可以称 为PM0S开关。 示例性布置图1为说明可以结合在显示装置(未示出)内的像素布置100的 图示。像素布置100包括多个像素102。每个像素102可包括照明装置 104。每个照明装置104可以是有机发光二极管(0LED)、发光二极管 (LED)或者其他合适的光照明装置。像素布置100还包括驱动器电路 106和108。驱动器电路106通过列导体110耦合到像素102。驱动器 电路108通过行导体112耦合到像素102。图2说明图1所示像素102之一的更大视图。如所示，像素102 还可以接收斜坡电压。斜坡电压至少部分影响像素102的亮度水平。 像素102的亮度水平可以与斜坡电压信号的频率直接相关。频率更高 的斜坡电压信号通常增大像素102的亮度水平，而低频率的斜坡电压 信号会减小像素102的亮度水平。像素通常是方形的，如图1所示，不过可以是任意形状，例如矩 形、圆形、椭圓形、六角形、多边形或者任何其他形状。如果结合该 像素布置的显示器为彩色显示器，则像素102也可以是组织成组的子 像素，每组对应于一个像素。 一组内的子像素应包括多个(例如，3个) 子像素，每个子像素占据指定用于相应像素的区域的一部分。例如， 如果每个像素为方形，则子像素一般与像素一样高，但是宽度仅为方形的宽度的一小部分(例如，1/3),子像素可以具有相同的尺寸或形 状，或者子像素可以具有不同的尺寸和形状。在下述讨论中，提到的 像素可以表示像素或者子像素。再者，这些像素可以是产生彩色光或 者白色光的像素。图3说明示例性斜坡电压发生电路300。该示例性斜坡电压发生 电路可以结合图1和2所示的实施例使用。然而，发生电路300可以 结合许多其他照明驱动电路、显示装置和其他相关技术来使用。发生电路300可包括电流源302、电容器304和开关306。电流源 302、电容器304和开关306的组合可以称为斜坡发生电路布置307。 电流源302耦合到运算跨导放大器(OTA) 308的第一输入。此外，电 流源302耦合到电容器304的一个端子以及开关306的一个端子。开 关306的另一端子与电压Vdd接口。 OTA 308的第二输入耦合到笫二开 关310。第二开关310也与Vdd接口。当采样信号Q闭合开关306和310 时，OTA 308输出斜坡电压。与OTA 308相关联的N沟道金属氧化物半 导体(NMOS)晶体管可以作为与像素驱动器电路相关联的电容器312 的源。该NMOS晶体管可以具有亳米对微米的宽度与长度比。结合图4 描述发生电路300的另外操作方面。在一个实施方式中，开关310为 大的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该大的PMOS开关可具 有毫米对微米的宽度与长度比。其他的宽度与长度比(例如，微米对 纳米的宽度与长度比)也是可能的。此外，在一个实施方式中，OTA308 为低功耗运算放大器。图4为可用于描述图3所示发生电路300的操作的信号图。当采 样信号Q为高时，开关306和310均处于断开状态。此时，发生电路 300不提供斜坡电压，或者发生电路300提供斜坡电压的斜坡下降部 分。当采样信号Q转变为低电平时，开关306切换到闭合状态。此夕卜， 采样信号Q的到低电平的该转变使开关310闭合。当开关306和310 处于闭合状态时，斜坡电压产生。当开关306和310处于闭合状态时 所产生的斜坡电压可以位于或者靠近最高预定斜坡电压水平。该最高 斜坡电压水平由Vdd决定。当采样信号Q转变回到高状态时，开关306和310切换到断开状 态。该切换可以使电容器304放电。该放电是由图4所示的斜坡电压 的线性减小来表示。斜坡电压的斜坡下降部分也可以还具有非线性属性。通常同时，由OTA 308的NM0S晶体管作为电容器312的源。该大 的NPM0S开关可具有毫米对微米的宽度与长度比例。也可以具有其他 的宽度与长度比(例如，微米对纳米的宽度与长度比)。采样信号Q可以是脉沖的、频率可变的时钟信号。频率更高的采 样信号Q可以产生频率更高的斜坡电压信号。频率更高的斜坡电压信 号可以增大与发生电路300接口的像素的亮度，而频率更低的斜坡电 压信号可以减小像素的亮度。与发生电路300接口的控制单元(未示 出)可以控制采样信号Q的主要频率，从而有效地改变耦合到电路300 的像素的照明水平。使用大的开关310可以迅速拉起该斜坡电压。然而，发生电路300 的功耗仍然低。通过使用与OTA 308相关联的低功耗NMOS器件，进一 步实现低功耗。过程下述讨论描述使用前述实施方式可以实现的过程。在一个实施方 式中，所说明和描述的过程可以用于产生斜坡电压信号。该斜坡电压 信号可以由示例性斜坡电压发生电路300产生，且该斜坡电压信号可 以供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：　可使用共同控制信号切换的第一开关和第二开关；以及　耦合到所述第一开关和第二开关的运算放大器，当所述第一开关和第二开关处于闭合状态时，所述运算放大器输出斜坡电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：JL塞巴洛斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]