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一种高输入电阻高压双向电子开关制造技术

技术编号:3417140 阅读:223 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
电子开关是电子技术领域的重要部件,本实用新型专利技术高输入电阻高压双向电子开关是由两个N沟道场效应开关通过漏极(或源极)串接而成的,并且两个N沟道场效应管栅源(或栅漏)之间的电阻分别由两个高压二极管取代,该双向电子开关电阻可达10+[3]兆欧,两端耐压可达40伏,且克服了继电器速度慢,CMOS器件开关易损坏的缺点,将在一些电子整机中得到重要应用。(*该技术在1997年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双向电子开关,其特征在于:a.它是由两个N沟道场效应开关通过漏极(或源极)串接而成的。b.两个N沟道场效应管栅源(或栅漏)之间的电阻分别由两个高压二极管取代。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐剑石
申请(专利权)人:徐剑石
类型:实用新型
国别省市:37[中国|山东]

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