采用高电压检测的击穿保护电路制造技术

一种高电压电路，包括一转换装置（１２），用于向一包括串联的控制用ｐ－沟道晶体管（１６）和保护用ｐ－沟道晶体管（１８）的可控通道提供高电压（Ｖｐｐ）和低电压（Ｖｃｃ）的其中之一。利用高电压检测器（３２）来测定是Ｖｐｐ还是Ｖｃｃ施加到该控制通道上。高电压检测器在使用Ｖｐｐ运行的过程中，对保护用ｐ－沟道晶体管确定保护状态，在使用Ｖｃｃ运行的过程中确立非保护状态。当控制用晶体管关断和保护用晶体管处于保护状态时，沿可控通道产生的电压降将使保护用晶体管关断，从而限制加到控制用晶体管上的电压。与第一可控通道串联的第二可控通道包括一固接于Ｖｃｃ的一个ｎ－沟道晶体管（４６），以保护另一个ｎ－沟道晶体管（４８）防止产生栅极－辅助连接击穿现象。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高电压电路，包含： 电压输入装置，用于在一供电节点在第一和第二正电源电压之间转换电压，所述第二正电源电压大于所述第一正电源电压； 一由所述供电节点到输出节点的可控通道，所述可控通道包括一控制用ＭＯＳ晶体管和一保护用ＭＯＳ晶体管的源极和漏极的串联电路，所述控制用和保护用ＭＯＳ晶体管都具有一栅极； 信号输入装置，连接到所述控制用ＭＯＳ晶体管的所述栅极，用于使所述控制用ＭＯＳ晶体管在导通状态和关断状态之间转换；以及 高电压检测装置，其连接在于测定在所述供电节点处的电位，用于当在所述供电节点处于所述第二正电源电压时，对所述保护用ＭＯＳ晶体管确立保护状态，以及当在所述供电节点的电位小于所述第二正电源电压时，对所述保护用ＭＯＳ晶体管确立非保护状态，所述保护状态是这样一种状态，在这种状态下，所述保护用ＭＯＳ晶体管响应于通过所述控制用ＭＯＳ晶体管的电流的导通在导通和关断状态之间转换，所述非保护状态是这样一种状态，在这种状态下，所述保护用ＭＯＳ晶体管维持在导通状态，而不管是否通过所述控制用ＭＯＳ晶体管导通电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：萨罗杰帕塔克，詹姆斯E佩恩，格伦A罗森戴尔，
申请(专利权)人：爱特梅尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]