集成组合件内的参考电压产生器制造技术

本申请案涉及集成组合件内的参考电压产生器。一些实施例包含集成组合件，其具有基底之上的层面且具有由所述层面支撑的存储器单元。所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及晶体管。所述存储器单元的所述个别电容性单元各自具有存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料。参考电压产生器包含由所述层面支撑的电阻性单元。所述电阻性单元类似于所述存储器单元但包含互连单元来代替所述电容性单元。一些邻近电阻性单元的所述互连单元彼此短接。电阻性单元的所述互连单元彼此短接。电阻性单元的所述互连单元彼此短接。

【技术实现步骤摘要】
集成组合件内的参考电压产生器


[0001]集成组合件。参考电压产生器。多层面组合件。

技术介绍

[0002]集成电路可将参考电压用于众多应用。举例来说，参考电压可与电容器板、屏蔽线、数据感测放大器等耦合。
[0003]可期望以合适方式产生参考电压(VREF)使得参考电压是准确且可控的。实例参考电压产生器1000参考图1进行描述。
[0004]参考电压产生器1000包含串联布置于VDD供应端子1004与VSS供应端子1006之间的数个电阻性组件1002。电阻性组件通过开关1008耦合到与增益缓冲器1012相关联的馈送线1010。VREF从增益放大器输出。
[0005]开关1008可用于控制电耦合到馈送线1010的电阻性组件1002的数目，且因此用于控制从增益缓冲器1012输出的VREF。
[0006]集成组合件制造期间的持续目标是增加堆积密度且借此节省有价值的半导体占据面积。期望开发可被堆积到相对于常规参考电压产生器更小的占用面积中的经改进参考电压产生器(也称为参考电压产生电路系统)。

技术实现思路

[0007]本公开的一方面提供一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；由所述层面支撑的存储器单元；所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及晶体管；所述存储器单元的所述个别电容性单元各自包括存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料；及参考电压产生器，其包含由所述层面支撑的电阻性单元；所述电阻性单元类似于所述存储器单元但包括互连单元来代替所述电容性单元，一些邻近电阻性单元的所述互连单元彼此短接。
[0008]本公开的另一方面提供一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；电阻器
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分压器
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电路系统，其从VDD供应端子延伸到VSS供应端子且由所述层面支撑；所述电阻器
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分压器
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电路系统包含电阻性单元；所述电阻性单元各自包含第一材料的竖直延伸支柱及在所述支柱之上且与所述支柱电耦合的互连单元；所述互连单元中的每一者包含在所述支柱正上方的第一区及从所述第一区横向偏移的第二区；所述第一区具有比所述第二区更低的最底表面；所述支柱从导电区段向上延伸；一些邻近电阻性单元通过所述导电区段彼此电耦合且一些相邻电阻性单元通过所述互连单元彼此电耦合；与所述基底相关联的输出电路；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件，且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；至少两个馈送互连件从所述电阻器
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分压器
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电路系统延伸到所述电馈送件；沿着所述馈送互连件的开关。
[0009]本公开的另一方面提供一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；电阻器
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分压器
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电路系统，其从VDD供应端子延伸到VSS供应端子且由所述层面支撑；所述电阻器
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分压
器
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电路系统包含竖直延伸区段及水平延伸于所述竖直延伸区段之间的电阻性单元；所述竖直延伸区段包含第一区段及第二区段；所述第二区段包括竖直交替的宽区及窄区；所述电阻性单元各自包含第一材料的水平延伸支柱；第一材料的所述支柱从所述第一区段延伸到所述第二区段且与所述第二区段的所述宽区水平对准；与所述基底相关联的输出电路；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；及至少一个馈送互连件，其从所述电阻器
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分压器
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电路系统延伸到所述电馈送件。
附图说明
[0010]图1是现有技术参考电压产生器的示意图。
[0011]图2是实例多层面组合件的图解侧视图。
[0012]图3A是多层面组合件内的存储器单元的实例布置的图解侧视图。
[0013]图3B是实例参考电压产生器的图解侧视图。
[0014]图3B
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1是表示图3B的实例参考电压产生器的图解示意图。
[0015]图3C是实例参考电压产生器的图解侧视图。
[0016]图3C
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1是表示图3C的实例参考电压产生器的图解示意图。
[0017]图3D是实例参考电压产生器的图解侧视图。
[0018]图4A是多层面组合件内的存储器单元的实例布置的图解侧视图。
[0019]图4B是实例参考电压产生器的图解侧视图。
[0020]图4B
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1是表示图4B的实例参考电压产生器的图解示意图。
[0021]图4C是实例参考电压产生器的图解侧视图。
[0022]图4C
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1是表示图4C的实例参考电压产生器的图解示意图。
具体实施方式
[0023]一些实施例包含经配置以并入到呈节省沿着组合件的基底层阶的有价值的半导体占据面积的布置的多层面集成组合件中的参考电压产生器。参考图2到4描述实例实施例。
[0024]参考图2，说明实例多层面(多层级、多层阶)组合件200。组合件包括竖直堆叠的层级(层阶、层面)布置10a到e。竖直堆叠布置可包含任何合适数目个层级，且可包含少于所展示的层级数目或多于所展示的层级数目。一般来说，多层级布置将包含至少两个层级。
[0025]层级10a到e可在不同半导体裸片内，或层级中的至少两者可在相同半导体裸片内。
[0026]底部层级10a可包含控制电路系统及/或感测电路系统(例如，可包含字线驱动器、感测放大器等)；且在一些应用中可包括CMOS电路系统。上层级(层级10b到e)可包含存储器阵列。各个层级内的存储器阵列可彼此相同(例如，全都可为DRAM阵列)，或可彼此不同(例如，一些可为DRAM阵列，而其它是NAND阵列)。而且，上层级中的一或多者可包含控制电路系统或其它逻辑电路系统。
[0027]在一些实施例中，底部层级10a可对应于半导体基底12。基底12可包括半导体材料；且可(例如)包括单晶硅，基本上由单晶硅组成或由单晶硅组成。基底12可称为半导体衬底。术语“半导体衬底”意味着包括半导电材料的任何构造，包含(但不限于)块状半导电材
料，例如半导电晶片(单独或以包括其它材料的组合件)及半导电材料层(单独或以包括其它材料的组合件)。术语“衬底”是指任何支撑结构，包含(但不限于)上文描述的半导体衬底。在一些应用中，基底12可对应于含有与集成电路制造相关联的一或多种材料的半导体衬底。此类材料可包含(例如)耐火金属材料、势垒材料、扩散材料、绝缘体材料等中的一或多者。
[0028]在一些实施例中，层级10b是包括大量存储器单元(例如，数百、数千、数十万、数百万等)的存储器层级(存储器层面)。在一些实施例中，参考电压产生器(图2中未展示)可经配置以具有沿着层级10b的上部及沿着基底12(层级10a)的下部。沿着层级10b的部分可包含类似于存储器层级10b内的存储器单元的电阻性单元(元件、组件)，且在一些实施例中可被视作经修改存储器单元。实例参考电压产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；由所述层面支撑的存储器单元；所述存储器单元中的每一者包含电容性单元及晶体管；所述存储器单元的所述个别电容性单元各自包括存储节点电极、板电极及所述存储节点电极与所述板电极之间的电容器电介质材料；及参考电压产生器，其包含由所述层面支撑的电阻性单元；所述电阻性单元类似于所述存储器单元但包括互连单元来代替所述电容性单元，一些邻近电阻性单元的所述互连单元彼此短接。2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电阻性单元经布置成相对于彼此串联。3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中至少一些所述电阻性单元经布置成相对于彼此并联。4.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述互连单元包括所述电容器电介质材料且包括导电结构来代替所述存储器单元的所述存储节点电极；且其中一些所述导电结构彼此短接。5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述互连单元是取代所述存储器单元的所述存储节点电极、所述电容器电介质材料及所述板电极的导电块。6.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：电阻性组件包括通过所述互连单元彼此直接互连的电阻性单元；存在至少两个所述电阻性组件，其中所述电阻性组件中的一者是第一电阻性组件且所述电阻性组件中的另一者是第二电阻性组件；第一导电互连件将所述第一电阻性组件串联耦合到所述第二电阻性组件；所述电阻性组件经提供于VDD供应端子与VSS供应端子之间，其中所述第一电阻性组件比所述第二电阻性组件更接近于所述VDD供应端子；第二导电互连件在所述VDD供应端子与所述第一电阻性组件之间，且第三导电互连件在所述第二电阻性组件与所述VSS供应端子之间；两个或多于两个开关与所述基底相关联；所述开关中的第一者经耦合到所述第一导电互连件且所述开关中的第二者经耦合到所述第三导电互连件；且输出电路与所述基底相关联；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；第一馈送互连件从所述第一开关延伸到所述电馈送件，且第二馈送互连件从所述第二开关延伸到所述电馈送件。7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述电阻性单元经布置成相对于彼此并联且在第一电阻性分组内；所述电阻性分组是所述参考电压产生器内的两个或多于两个电阻性分组中的一者；所述电阻性分组中的一者是第一电阻性分组且所述电阻性分组中的另一者是第二电阻性分组；第一导电互连件将所述第一电阻性分组串联耦合到所述第二电阻性分组；所述电阻性分组经提供于VDD供应端子与VSS供应端子之间，其中所述第一电阻性分组比所述第二电阻性分组更接近于所述VDD供应端子；第二导电互连件在所述VDD供应端子与所述第一电阻性分组之间，且第三导电互连件
在所述第二电阻性分组与所述VSS供应端子之间；两个或多于两个开关与所述基底相关联；所述开关中的第一者经耦合到所述第一导电互连件且所述开关中的第二者经耦合到所述第三导电互连件；且输出电路与所述基底相关联；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；第一馈送互连件从所述第一开关延伸到所述电馈送件，且第二馈送互连件从所述第二开关延伸到所述电馈送件。8.根据权利要求1所述的集成组合件，其中：所述电阻性单元包含类似于所述存储器单元的所述晶体管的晶体管；所述存储器单元的所述晶体管是第一晶体管且所述电阻性单元的所述晶体管是第二晶体管；所述电阻性单元经布置成相对于彼此并联且在第一电阻性分组内；所述电阻性分组是所述参考电压产生器内的两个或多于两个电阻性分组中的一者；所述电阻性分组中的一者是第一电阻性分组且所述电阻性分组中的另一者是第二电阻性分组；导电互连件将所述第一电阻性分组串联耦合到所述第二电阻性分组；所述电阻性分组经提供于VDD供应端子与VSS供应端子之间，其中所述第一电阻性分组比所述第二电阻性分组更接近于所述VDD供应端子；所述第二晶体管经配置以操作为第一开关来控制所述电阻性分组内的个别电阻性单元的操作；输出电路与所述基底相关联；所述输出包含耦合到增益缓冲器的电馈送件且包含从所述增益缓冲器输出的参考电压；且馈送互连件从所述电馈送件延伸到所述导电互连件。9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电阻性单元包含类似于所述存储器单元的所述晶体管的晶体管但经配置以始终处于导通模式中。10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述电阻性单元的所述晶体管包含重掺杂沟道材料。11.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述电阻性单元的所述晶体管包含耗尽掺杂沟道材料；且其中所述电阻性单元的所述晶体管的门控区电接地。12.一种集成组合件，其包括：基底之上的层面；电阻器<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贤义，铃木尊雅，佐藤康夫，何源，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：