测试方法、服务器和存储介质技术

技术编号:34165111 阅读:57 留言:0更新日期:2022-07-17 09:22
本公开涉及集成电路技术领域,提供了一种用于半导体成品检测的测试方法、服务器和存储介质,首先选定待确定参数非交叠的两个扫描区间;并基于这两个扫描区间,分别确定不同的基准值;而后分别以该不同的基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到的基准值满足预设阈值精度范围的两个目标值或者扫描结束为止;在扫描结束后输出不同的目标值和该不同目标值的平均值其中之一作为该待确定参数本次扫描的扫描结果,其中,该预设阈值为待确定参数的状态触发值。由此可在批量生产中保证成品测试参数满足精度要求的情况下,能够缩短测试时间、显著降低产品测试环节成本。著降低产品测试环节成本。著降低产品测试环节成本。

Test method, server and storage medium

【技术实现步骤摘要】
测试方法、服务器和存储介质


[0001]本公开涉及集成电路
,具体涉及一种用于半导体成品检测的测试方法、服务器和存储介质。

技术介绍

[0002]现有技术中,很多半导体封装后都需要进行成品测试,如高精度的阈值翻转类的模拟芯片(比较器等),其很多参数(如翻转阈值电压) 测试都需要高精度修调。修调前参数的一致性较差,需要扫描测试的范围大。同时需要小的扫描步长来精确测试,以便修调计算。小步长大范围的扫描测试耗时长,在总测试时间的占比很高。
[0003]又比如低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)的最小输出压降Vdrop(所谓最小输出压降为产品输出电压为产品实际输出电压的98%时,输入电压Vin与输出电压Vout的压差)。传统的模拟 LDO(ALDO)在片外需要一个微法量级的去耦电容,以获得良好的纹波抗扰度及优异的瞬态响应特性。而系统级封装技术发展对LDO的功耗及尺寸提出了很高的要求,为了减小芯片面积并且保持较好的稳定性,无片外电容的ALDO需要额外的复杂的补偿网络。同时随着CMOS工艺尺寸的不断缩减以及低功耗的要求不断提高,超大规模集成电路(Very LargeScale Integration Circuit,VLSI)甚至被要求工作在低电压(0.5V)状态下,而这个接近MOS管阈值电压水平的工作电压是无法直接通过量取产品输出获得,因此,为获取产品的这些参数,现有技术常采用从高到低或者从低到高的直线扫描方式,通过观测产品的状态变化,以获得这些参数。
[0004]现有的测试机自带的AWG功能,通常是使用双斜坡(dual ramp)实现粗扫细扫两次测试;又有编程实现粗扫和细扫结合的方式:如使用循环语句结构,实现不同步长及范围的扫描,反转后跳出循环。上述两种方法虽然使测试时间相对减少,也保持了一定的测试精度,但仍不是最优的解决方案。对于大批量生产过程中成品的良率测试仍旧造成了一定的困难,效率低。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题,本公开提供了一种用于半导体成品检测的测试方法、服务器和存储介质,可以在保证批量生产中成品的测试参数满足精度要求的情况下,能够缩短测试时间、显著降低产品测试环节的成本。
[0006]一方面本公开提供了一种用于半导体成品检测的测试方法,其包括:
[0007]选定待确定参数的第一扫描区间和第二扫描区间,该第一扫描区间和第二扫描区间非交叠;
[0008]基于前述的第一扫描区间和第二扫描区间,确定本次扫描的第一基准值和第二基准值;
[0009]以该第一基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到前述第一基准值满足预设阈值精度范围的第一目标值或者扫描结束为止,以及
[0010]以该第二基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到前述第二基准值满足该预设阈值精度范围的第二目标值或者扫描结束为止;
[0011]获取停止扫描时得到的前述第一目标值和第二目标值,输出前述第一目标值、第二目标值和二者的平均值的其中之一作为前述待确定参数本次扫描的扫描结果,
[0012]其中,前述的预设阈值为前述待确定参数的状态触发值。
[0013]优选地,前述以该第一基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到前述第一基准值满足预设阈值精度范围的第一目标值或者扫描结束为止的步骤包括:
[0014]以前述第一基准值作为起始值与预设阈值进行比较,根据其比较结果步进调节前述第一扫描区间的上限值或下限值,并基于调整后的第一扫描区间重新确定下一次扫描的第一基准值,直至扫描得到前述第一基准值满足前述预设阈值精度范围的第一目标值或者扫描结束为止。
[0015]优选地,前述以该第二基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到前述第二基准值满足该预设阈值精度范围的第二目标值或者扫描结束为止的步骤包括:
[0016]以前述第二基准值作为起始值与前述预设阈值进行比较,根据其比较结果步进调节前述第二扫描区间的上限值或下限值,并基于调整后的第二扫描区间重新确定下一次扫描的第二基准值,直至扫描得到前述第二基准值满足预设阈值精度范围的第二目标值或者扫描结束为止。
[0017]优选地,前述半导体成品为阈值翻转类的集成模拟芯片,则前述待确定参数为录入前述集成模拟芯片的激励信号,该激励信号为选自电压、电流、频率、温度中的任意一种;
[0018]或者,前述半导体成品为晶体管器件,则前述待确定参数为表征前述晶体管器件电学特性的导通电压或击穿电压。
[0019]优选地,前述第一扫描区间下限值与前述第二扫描区间下限值的差的绝对值小于第一预设裕量,且前述第一扫描区间上限值与前述第二扫描区间上限值的差的绝对值小于第二预设裕量。
[0020]优选地,前述选定待确定参数的第一扫描区间和第二扫描区间的步骤包括:
[0021]于数据库中查询关联于前述待确定参数的历史测试数据;
[0022]根据前述历史测试数据选定前述待确定参数的第一扫描区间的上限值和下限值;以及
[0023]根据前述历史测试数据选定前述待确定参数的第二扫描区间的上限值和下限值。
[0024]优选地,前述第一基准值为该次扫描时的前述第一扫描区间的上限值与下限值的中位值,
[0025]并且,前述第二基准值为该次扫描时的前述第二扫描区间的上限值与下限值的中位值。
[0026]优选地,前述以该第一基准值作为起始值与预设阈值进行比较,根据其比较结果步进调节前述第一扫描区间的上限值或下限值的步骤包括:
[0027]在扫描过程中实时获取扫描得到的第一基准值,并与前述预设阈值进行比较:
[0028]若扫描得到的前述第一基准值大于前述预设阈值,则朝向信号值减小的方向将本次扫描的前述第一基准值作为下一次扫描时前述第一扫描区间的上限值;
[0029]若扫描得到的前述第一基准值小于前述预设阈值,则朝向信号值增大的方向将本
次扫描的前述第一基准值作为下一次扫描时前述第一扫描区间的下限值。
[0030]优选地,前述扫描结束的条件为:
[0031]本次扫描过程中,扫描得到的测试值超过扫描初始确定的前述第一扫描区间的上限值或下限值,或者
[0032]连续扫描过程中,扫描次数超出预设的最大循环次数。
[0033]优选地,前述半导体成品为阈值翻转类的集成模拟芯片,且前述待确定参数为具有迟滞功能的参数,则通过在该集成模拟芯片接入激励信号之前先解除翻转操作。
[0034]另一方面本公开提供了一种服务器,包括:
[0035]处理器;
[0036]存储器,用于存储一个或多个程序;
[0037]其中,当该一个或多个程序被前述处理器执行,使得该处理器实现如前所述的测试方法。
[0038]另一方面本公开还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其中,该程序被处理器执行时实现如前所述的测试方法。
[0039]本公开的有益效果是:本公开提供的一种用于半导体成品检测的测本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体成品检测的测试方法,包括:选定待确定参数的第一扫描区间和第二扫描区间,所述第一扫描区间和所述第二扫描区间非交叠;基于所述第一扫描区间和第二扫描区间,确定本次扫描的第一基准值和第二基准值;以所述第一基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到所述第一基准值满足预设阈值精度范围的第一目标值或者扫描结束为止,以及以所述第二基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到所述第二基准值满足所述预设阈值精度范围的第二目标值或者扫描结束为止;获取停止扫描时得到的所述第一目标值和第二目标值,输出所述第一目标值、第二目标值和二者的平均值的其中之一作为所述待确定参数本次扫描的扫描结果,其中,所述预设阈值为所述待确定参数的状态触发值。2.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述以所述第一基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到所述第一基准值满足预设阈值精度范围的第一目标值或者扫描结束为止的步骤包括:以所述第一基准值作为起始值与预设阈值进行比较,根据其比较结果步进调节所述第一扫描区间的上限值或下限值,并基于调整后的第一扫描区间重新确定下一次扫描的第一基准值,直至扫描得到所述第一基准值满足所述预设阈值精度范围的第一目标值或者扫描结束为止。3.根据权利要求2所述的测试方法,其中,所述以所述第二基准值作为起始值进行扫描,直至扫描得到所述第二基准值满足所述预设阈值精度范围的第二目标值或者扫描结束为止的步骤包括:以所述第二基准值作为起始值与所述预设阈值进行比较,根据其比较结果步进调节所述第二扫描区间的上限值或下限值,并基于调整后的第二扫描区间重新确定下一次扫描的第二基准值,直至扫描得到所述第二基准值满足预设阈值精度范围的第二目标值或者扫描结束为止。4.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述半导体成品为阈值翻转类的集成模拟芯片,则所述待确定参数为录入所述集成模拟芯片的激励信号,该激励信号为选自电压、电流、频率、温度中的任意一种;或者,所述半导体成品为晶体管器件,则所述待确定参数为表征所述晶体管器件电学特性的导通电压或击穿电压。5.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述第一扫描区间下限值与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡承志邴春秋
申请(专利权)人:圣邦微电子北京股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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