含氮杂环二胺化合物及其制备方法、聚酰亚胺前体、聚酰亚胺薄膜及其应用技术

本发明专利技术提供了一种含氮杂环二胺化合物及其制备方法、聚酰亚胺前体、聚酰亚胺薄膜及其应用。本发明专利技术的含氮杂环二胺化合物，运用氮的碱性来降低亚胺化过程的活化能，从而降低固化温度，除此之外，在二胺化合物中设计入不饱和三键，可以通过热交联的形式提高聚合物的力学性能；本发明专利技术通过特定结构的含氮杂环二胺化合物合成得到的聚酰亚胺前体树脂，即使在250℃以下的低温固化条件下聚酰亚胺的酰亚胺环化反应(酰亚胺化)也能良好进行，能得到机械性能良好的树脂层。本申请由含氮杂环二胺化合物合成而得的聚酰亚胺树脂的完全固化所需温度明显低于常规聚酰亚胺薄膜，故可避免在高温固化时，根据装置而存在芯片的收率降低问题。根据装置而存在芯片的收率降低问题。

Nitrogen containing heterocyclic diamine compounds and their preparation methods, polyimide precursors, polyimide films and their applications

【技术实现步骤摘要】
含氮杂环二胺化合物及其制备方法、聚酰亚胺前体、聚酰亚胺薄膜及其应用


[0001]本专利技术涉及聚酰亚胺材料
，尤其涉及一种含氮杂环二胺化合物及其制备方法、聚酰亚胺前体、聚酰亚胺薄膜及其应用。

技术介绍

[0002]以往电子部件的绝缘材料和半导体装置的钝化膜、表面保护膜、层间绝缘膜等中使用兼具优异的耐热性、电特性和机械特性的聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂、酚醛树脂等。随着电子元器件朝着轻薄化发展，具有高性能的材料便成为了一个研究热点。目前，用于晶圆级封装的聚酰亚胺材料因其具有优异的综合性能(高力学性能，高绝缘性，易加工，耐腐蚀等)，成为研究热点。聚酰亚胺通常如下制造：由四羧酸二酐和二胺反应得到聚酰胺酸，然后对其进行加热处理使脱水闭环而制得。受制于材料结构，单纯的聚酰亚胺的固化温度较高。
[0003]例如现有技术公开了一种聚酰亚胺的制备方法，需要在300℃实现聚酰亚胺薄膜的制备。现有技术还公开了一类低Tg的含氰基的聚酰亚胺膜的制备，其也同样需要在较高的温度条件(310℃)下才能实现薄膜的制备。然而在加工过程中，存在材料热膨胀系数不匹配，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含氮杂环二胺化合物，其特征在于，所述含氮杂环二胺化合物的结构式为：其中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X
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均为碳原子，Y1、Y2均为氮原子，L1、L2分别独立地选自中的任一种。2.如权利要求1所述的含氮杂环二胺化合物，其特征在于，所述含氮杂环二胺化合物的结构式包括以下中的一种：结构式包括以下中的一种：3.一种如权利要求1～2任一所述的含氮杂环二胺化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将含氮杂环的二溴代物、对氨基苯乙炔、四三苯基膦钯、碘化亚铜、三乙胺溶于1,4
‑
二氧六环中，通过Sonogashira反应制备得到含氮杂环二胺化合物。4.一种聚酰亚胺前体，其特征在于，所述聚酰亚胺前体的结构式为：其中，Ar1为为中的任一种；Ar2为权利要求1～2中任一所述的含氮杂环二胺化合物除去NH2基后的取代基。5.一种如权利要求4所述的聚酰亚胺前体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将如权利要求1～2任一所述的含氮杂环二胺化合物加入至溶剂中，然后加入四羧酸二酐，经过缩聚反应即得聚酰亚胺前体；其中，所述四羧酸二酐包括均苯四甲酸二酐、4,4
’‑
氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旷宇，张耀，李金辉，张国平，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：