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多功能记忆开关制造技术

技术编号:3414534 阅读:169 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术为多功能记忆开关。其主要是在变压器的次级线圈上设由二极管D1、D3和二极管D2、D4、D5组成的二路整流器分别给2N个微型继电器和N(N=1,2…)个触发器提供工作电压,当开关打上后在电容C1,电阻R1上产生触发脉冲使触发器翻转,触发器输出的信号经晶体管放大后去驱动继电器,再由继电器的触点去控制各组负载组成的单组或多组电器的开和关。从而实现了用一只开关就可达到控制单组或多组电器负载的开关4N个状态。(*该技术在2001年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
多功能记忆开关,其特征是在变压器的次级线圈上分别设由二极管D1、D3和二极管D2、D4、组成的二路整流器它们分别给N个(N=1、2、3、…)触发器(双D触发器)和2N个微型继电器RY2N提供工作电压,具体联接方式是由D1、D3组成的整流 器与微型继电器的一端相接,由D2、D4组成的整流器一方面经电容器C1、电阻R1上产生的触发脉冲给触发器的输入端,另一端和触发器的电源端相接,每个触发器的二个输出端分别与二个晶体三极管的基极相接,每个晶体三极管的集电极与对应的一个微型电器器的另一端相接,每个微型继电器的常开、常闭触点又分别与电器负载相接,产生4N个状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:盖建华
申请(专利权)人:盖建华
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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