半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包括衬底，所述衬底上有一鳍状结构，浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面，以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面。所述栅极结构具有一阶梯状的底面。所述栅极结构具有一阶梯状的底面。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构，尤其是一种具有阶梯状的浅沟槽隔离结构以及位于其上方的栅极结构。

技术介绍

[0002]由于半导体组件朝向高密度化发展，单元面积内的组件尺寸不断减小。半导体组件因其尺寸小，功能多和/或制造成本低而广泛用于电子工业。半导体组件分为储存逻辑数据的半导体组件，操作、处理逻辑数据操作的半导体逻辑组件，或是同时具有半导体储存组件的功能和半导体逻辑组件和/或其他半导体组件功能的混合半导体组件。
[0003]近年来，随着场效晶体管(field effect transistors，FETs)组件尺寸持续地缩小，习知平面式(planar)场效晶体管组件之发展已面临制程上之极限。为了克服制程限制，以非平面(non
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planar)之场效晶体管组件，例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor，Fin FET)组件来取代平面晶体管组件已成为目前之主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管组件的立体结构可增加闸极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载子信道区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上有一鳍状结构；浅沟槽隔离结构，位于所述衬底中，其中所述浅沟槽隔离结构具有一阶梯状顶面，并具有第一顶面以及高于所述第一顶面的第二顶面；以及一栅极结构，跨越部分所述浅沟槽隔离结构以及部分所述鳍状结构，其中所述栅极结构具有一阶梯状的底面，所述栅极结构更包含栅极导电层和间隙壁，所述间隙壁位于所述栅极导电层的两侧，且位于所述栅极导电层两侧的所述间隙壁的底面不等高。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的第二顶面低于所述鳍状结构的顶面。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包含有由下而上依序堆栈的衬垫层、导电层以及掩膜层。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，从剖面图来看，所述衬垫层具有阶梯状的剖面结构，且所述阶梯状的剖面结构具有三个不同水平高度。5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层的底面低于所述鳍状结构的顶面。6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述栅结构的硬掩膜层包含有阶梯状顶面。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钦福，林昭维，朱家仪，童宇诚，赖惠先，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：