一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，且公开了一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，包括主盘，所述主盘的底部外侧边贯穿连接有支撑架，所述支撑架的底端滑动连接有穿杆机构，所述穿杆机构的内部包括穿体，所述主盘的底侧壁贯穿连接有戳体机构，所述戳体机构的内部包括锥体，所述穿杆机构的侧壁处贯穿并活动连接有撑帘机构。锥体和穿体顶端之间的空间加速外部气流进入将内部温度置换出去，减少锥体过度贴合半导体侧壁而持续工作使得温度升高的状况，卡珠的侧壁在摆板敲板，活动线贯穿至摆板的侧壁处，带动摆板振动，将从主盘内侧壁排出的一些颗粒向下吹动，减少颗粒向上飞溅的趋势，同时避免周围气体颗粒靠近混合进入引起安全隐患。起安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体为一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备。

技术介绍

[0002]电子产业中包括半导体的制造加工，需要根据不同产品的使用需求对半导体自身进行打磨减薄或研磨，半导体制造设备在持续加工的过程中，在同一空间内半导体的前序加工流程会导致有各种不安全的气体和颗粒混在一起，而此时对半导体制造加工打磨或研磨的过程中，会使得接触点不停的在接触摩擦，设备本身的温度会逐渐升高，与周围的气体混合在一起，容易引起高温爆炸的事故，引起安全隐患。

技术实现思路

[0003]为解决上述半导体加工打磨制造的过程中容易因持续的操作而使得设备温度持续升高而引发安全隐患的问题，实现以上半导体加工打磨直接接触的空间可进行切换置换气体以达到气流降温的目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，包括主盘，所述主盘的底部外侧边贯穿连接有支撑架，所述支撑架的底端滑动连接有穿杆机构，所述穿杆机构的内部包括穿体，所述主盘的底侧壁贯穿连接有戳体机构，所述戳体机构的内部包括锥体，所述穿杆机构的侧壁处贯穿并活动连接有撑帘机构，所述撑帘机构的内部包括插杆、弹力帘和穿架，所述插杆的外端贯穿连接于穿架的侧壁处，所述弹力帘的侧壁处贯穿连接于穿架的侧壁处，所述主盘的外侧边贯穿连接有弹拉带，所述弹拉带的侧端贯穿连接有卡接机构，所述卡接机构的内部包括有摆板、卡珠和活动线，所述卡珠的内部贯穿连接于活动线的侧壁中，所述活动线的侧壁贯穿连接于摆板的内侧壁中并和弹拉带的侧端连接。
[0004]进一步的，所述戳体机构的内部还包括有支撑板，所述锥体的顶端贯穿连接于支撑板的底侧内部，支撑板的顶侧壁处贯穿连接于主盘的底侧壁处，主盘的侧壁旋转时，可带动锥体旋转。
[0005]进一步的，所述穿杆机构的内部还包括有支撑垫，所述支撑垫的顶侧壁贯穿连接于穿体的底端。
[0006]进一步的，所述锥体的底端位于穿体的上方，锥体的底端和穿体顶端之间的空间会加速外部气流的进入。
[0007]进一步的，所述撑帘机构的顶端活动连接于主盘的底侧壁处，主盘的侧壁旋转时，撑帘机构保持不动。
[0008]进一步的，所述插杆远离穿架的一端活动连接于穿体的侧壁处，当穿体的顶端从插杆的侧壁处穿插时，可将底端的插杆的侧壁向左推动。
[0009]进一步的，所述弹拉带远离卡接机构的一端贯穿连接有穿壳，所述穿壳的内侧底端贯穿连接有抬板，所述抬板远离穿壳的一端活动连接于弹力帘的底侧壁处，抬板远离穿
壳的外端在抵住弹力帘的底侧壁时，弹力帘可带动穿架的侧壁之间收缩，可给半导体的侧壁在受力时而被弹力帘的侧壁伸缩带动调整移位，可保证半导体的侧壁旋转研磨的更加均匀。
[0010]进一步的，所述摆板的侧壁底端活动连接于主盘的侧边处，活动线贯穿至摆板的侧壁处，可将从主盘内侧壁排出的一些颗粒向下吹动。
[0011]本专利技术提供了一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备。具备以下有益效果：
[0012]1、该基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，通过底端的插杆顺着穿体的侧壁穿插过时被挤压向上，堆积的插杆向上挤压顶端的半导体，主盘旋转时带动支撑板旋转，使锥体对半导体的侧壁处研磨，锥体在旋转至远离插杆侧壁处时，锥体和穿体顶端之间的空间加速外部气流的进入，将内部温度置换出去，减少锥体过度贴合半导体侧壁而持续工作使得温度升高的状况。
[0013]2、该基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，通过主盘旋转时和弹拉带的内侧壁处刮动，主盘的侧壁处设置有凹凸块向远处推动卡接机构，卡接机构收到弹拉带的限制，当主盘侧壁处凹凸块转到卡接机构时，弹拉带连接着活动线，卡珠的侧壁在摆板敲板，使得活动线贯穿至摆板的侧壁处，带动摆板振动，可将从主盘内侧壁排出的一些颗粒向下吹动，减少颗粒向上飞溅的趋势，同时避免周围气体颗粒靠近混合进入引起安全隐患。
附图说明
[0014]图1为本专利技术整体结构连接示意图；
[0015]图2为本专利技术戳体机构内部相关结构连接示意图；
[0016]图3为本专利技术插杆和穿杆机构之间的结构连接右侧示意图；
[0017]图4为本专利技术穿壳和撑帘机构侧壁之间的结构连接示意图。
[0018]图中：1、主盘；2、支撑架；3、戳体机构；311、锥体；312、支撑板；4、穿杆机构；411、穿体；412、支撑垫；5、撑帘机构；511、插杆；512、弹力帘；513、穿架；6、穿壳；7、抬板；8、卡接机构；811、摆板；812、卡珠；813、活动线；9、弹拉带。
具体实施方式
[0019]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]该基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备的实施例如下：
[0021]请参阅图1
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图4，一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，包括主盘1，主盘1的底部外侧边贯穿连接有支撑架2，支撑架2的底端滑动连接有穿杆机构4，穿杆机构4的内部包括穿体411，穿杆机构4的内部还包括有支撑垫412，支撑垫412的顶侧壁贯穿连接于穿体411的底端，主盘1的底侧壁贯穿连接有戳体机构3，戳体机构3的内部包括锥体311，戳体机构3的内部还包括有支撑板312，锥体311的顶端贯穿连接于支撑板312的底侧内部，支撑板312的顶侧壁处贯穿连接于主盘1的底侧壁处，主盘1的侧壁旋转时，可带动锥体311
旋转，锥体311的底端位于穿体411的上方，锥体311的底端和穿体411顶端之间的空间会加速外部气流的进入；
[0022]穿杆机构4的侧壁处贯穿并活动连接有撑帘机构5，撑帘机构5的顶端活动连接于主盘1的底侧壁处，主盘1的侧壁旋转时，撑帘机构5保持不动，撑帘机构5的内部包括插杆511、弹力帘512和穿架513，插杆511的外端贯穿连接于穿架513的侧壁处，弹力帘512的侧壁处贯穿连接于穿架513的侧壁处，插杆511远离穿架513的一端活动连接于穿体411的侧壁处，当穿体411的顶端从插杆511的侧壁处穿插时，可将底端的插杆511的侧壁向左推动，弹拉带9远离卡接机构8的一端贯穿连接有穿壳6，穿壳6的内侧底端贯穿连接有抬板7，抬板7远离穿壳6的一端活动连接于弹力帘512的底侧壁处，抬板7远离穿壳6的外端在抵住弹力帘512的底侧壁时，弹力帘512可带动穿架513的侧壁之间收缩，可给半导体的侧壁在受力时而被弹力帘512的侧壁伸缩带动调整移位，可保证半导体的侧壁旋转研磨的更加均匀；
[0023]主盘1的外侧边贯穿连接有弹拉带9，弹拉带9的侧端贯穿连接有卡接机构8，卡接机构8的内部包括有摆板811、卡珠812和活动线813，卡珠812的内部贯穿连接于活动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，包括主盘(1)，其特征在于：所述主盘(1)的底部外侧边贯穿连接有支撑架(2)，所述支撑架(2)的底端滑动连接有穿杆机构(4)，所述穿杆机构(4)的内部包括穿体(411)，所述主盘(1)的底侧壁贯穿连接有戳体机构(3)，所述戳体机构(3)的内部包括锥体(311)，所述穿杆机构(4)的侧壁处贯穿并活动连接有撑帘机构(5)，所述撑帘机构(5)的内部包括插杆(511)、弹力帘(512)和穿架(513)，所述插杆(511)的外端贯穿连接于穿架(513)的侧壁处，所述弹力帘(512)的侧壁处贯穿连接于穿架(513)的侧壁处，所述主盘(1)的外侧边贯穿连接有弹拉带(9)，所述弹拉带(9)的侧端贯穿连接有卡接机构(8)，所述卡接机构(8)的内部包括有摆板(811)、卡珠(812)和活动线(813)，所述卡珠(812)的内部贯穿连接于活动线(813)的侧壁中，所述活动线(813)的侧壁贯穿连接于摆板(811)的内侧壁中并和弹拉带(9)的侧端连接。2.根据权利要求1所述的一种基于电子产业避免高温爆炸的半导体制造设备，其特征在于：所述戳体机构(3)的内部还包括有支撑板(312)，所述锥体(311)的顶端贯穿连接于支撑板(312)的底侧内部，支撑板...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文彬，
申请(专利权)人：深圳市比华德科技有限公司，
类型：发明
国别省市：