一种金刚石气相沉积炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种金刚石气相沉积炉，包括进气管，所述进气管包括导气管以及连通导气管与沉淀反应箱的流速控制管道，所述流速控制管道内设有锥形内槽，所述锥形内槽内设有流速控制活塞，所述流速控制活塞包括一端固定的固定套筒、另一端轴向运动的活动套筒、以及连接固定套筒和活动套筒伸缩管；若气体流速较快，则会推动活动套筒向锥形内槽的最小直径处滑动，减小了活动套筒与锥形内槽之间的间隙，从而减小了气体流动速率；若气体流速较慢，在伸缩管的弹力下，活动套筒向锥形内槽的最大直径处滑动，扩大了活动套筒与锥形内槽之间的间隙，从而增大了气体流动速率，实现对流量的控制。制。制。

A diamond vapor deposition furnace

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石气相沉积炉


[0001]本技术涉及金刚石，具体为一种金刚石气相沉积炉。

技术介绍

[0002]气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上；而金刚石气相沉积是利用气相沉积法将反应后的新材料沉积到金刚石的表面。
[0003]然而，实际上，反应室中的反应是很复杂的，气体的流动速率会影响产生沉积物的速度，从而影响金刚石表面的沉积的厚度，若气体流动速度变化，或者多种气体的流速比例控制不好，则会导致生产出的半导体外侧绝缘材料厚度不均匀。

技术实现思路

[0004]为了解决
技术介绍
中提到的至少一个技术问题，本技术的目的在于提供一种金刚石气相沉积炉。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种金刚石气相沉积炉，包括进气管和沉淀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金刚石气相沉积炉，包括进气管（2）和沉淀反应箱（1），其特征在于，所述进气管（2）包括导气管（3）以及连通导气管（3）与沉淀反应箱（1）的流速控制管道（21），所述流速控制管道（21）内设有锥形内槽（22），所述锥形内槽（22）内设有流速控制活塞（25），所述流速控制活塞（25）包括一端固定的固定套筒（255）、另一端轴向运动的活动套筒（251）、以及连接固定套筒（255）和活动套筒（251）的具有弹性的伸缩管（252），所述活动套筒（251）的直径大于锥形内槽（22）的最小直径，且小于锥形内槽（22）的最大直径，所述活动套筒（251）远离所述固定套筒（255）的一端设有锥形斜面（253），所述锥形斜面（253）远离所述固定套筒（255）的端面封闭。2.根据权利要求1所述的一种金刚石气相沉积炉，其特征在于，所述锥形斜面（253）的斜面侧壁上开有若干个通孔（254）。3.根据权利要求2所述的一种金刚石气相沉积炉，其特征在于，所述锥形斜面（253）的最小直径小于所述锥形内槽（22）的最小直径。4.根据权利要求1所述的一种金刚石气相沉积炉，其特征在于，所述锥形内槽（22）的内壁开有若干个滑槽（221），所述活动套筒（251）外壁设有与所述滑槽（221）一一对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：余斌，余海粟，朱轶方，陆骁莹，
申请(专利权)人：杭州超然金刚石有限公司，
类型：新型
国别省市：