一种溅射靶材用高纯钼粉及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种溅射靶材用高纯钼粉的制备方法，包括如下步骤：S1、一次还原；S2、混合；S3、二次还原；S4、气流分级；S5、合批；本发明专利技术所提供的溅射靶材用高纯钼粉的制备方法，工艺简单，效率高，易于实现工业化生产。生产过程中可将原料中的杂质元素充分排出，并且避免了二次污染，制备的钼粉纯度高，颗粒尺寸均匀，费氏粒度及松装密度可根据不同的使用条件进行调节。节。节。

【技术实现步骤摘要】
一种溅射靶材用高纯钼粉及其制备方法


[0001]本专利技术涉及材料制备
，具体而言，涉及一种溅射靶材用高纯钼粉及其制备方法。

技术介绍

[0002]钼具有导电导热性好、热膨胀系数低、耐腐蚀性好及环境友好等优点，其薄膜的比阻抗和膜应力仅为铬的一半，是平面显示器溅射靶材的首选材料之一。目前钼及钼合金溅射靶材已广泛应用于电子器件和电子产品中，如薄膜半导体管—液晶显示器、等离子显示器、场发射显示器、触摸屏等；近年来，随着电子行业及太阳能电池的发展，钼及钼合金靶材的用量逐年增加。
[0003]钼靶材的制备大多以粉末冶金法为主，因此原料钼粉的品质将直接决定钼溅射靶材的性能。目前我国国内市场上的钼溅射靶材普遍存在纯度低、晶粒尺寸不均匀、相对密度低等问题，导致钼靶材的使用性能大大降低。而制约我国高纯钼靶材发展的关键技术主要在靶材钼粉的制备领域，因此迫切需要开发出一种高纯溅射靶材专用钼粉，解决现有靶材钼粉杂质含量高、粉末粒度不均匀、颗粒易团聚、粒度分布宽等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种溅射靶材用高纯钼粉及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种溅射靶材用高纯钼粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、一次还原将三氧化钼装入至舟皿中，然后推入至四管还原炉中，通氢气还原，还原产物经过80目筛网筛分，得到二氧化钼；S2、混合将步骤S1所得二氧化钼装入至喷雾双锥中进行混合，在混合过程中喷入去离子水，混合完成后进行干燥，得到合批二氧化钼；S3、二次还原将步骤S2所得合批二氧化钼装入舟皿中，然后推入十五管还原炉中，通入氢气进行还原，还原后经过200目筛网筛分，得到炉前钼粉；S4、气流分级采用流化床式气流分级机对炉前钼粉进行分级处理，按粒度大小分为三级，得到三级不同粒度段的钼粉；S5、合批从步骤S4所得不同粒度段的钼粉中选取第二级的钼粉，加入至双锥混合器或V型混合器中进行混合，得到溅射靶材用高纯钼粉。2.根据权利要求1所述的溅射靶材用高纯钼粉的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，三氧化钼的纯度大于99.95％，费氏粒度为6
‑
12μm；在三氧化钼中，各杂质元素的含量分别为：K≤100ppm、Na≤30ppm、Fe≤20ppm、Ni≤15ppm。3.根据权利要求1所述的溅射靶材用高纯钼粉的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，还原过程温度为450
‑
700℃，氢气露点为
‑
30℃，氢气流量为5
‑
8m3/h，装舟料层厚度为8
‑
25mm，还原时间为4
‑
12h。4.根据权利要求1所述的溅射靶材用高纯钼粉的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，喷雾双锥的装填量为50
‑
65％，混合时间为3
‑
8h，混合时双锥转速...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐鑫鑫，谢志国，杨晓青，李志翔，
申请(专利权)人：自贡硬质合金有限责任公司，
类型：发明
国别省市：