CMP研磨液及研磨方法技术

本发明专利技术的一方面提供一种CMP研磨液，其含有磨粒和阳离子性聚合物，阳离子性聚合物具有：包含氮原子及碳原子的主链、和键合于所述碳原子的羟基。该CMP研磨液还可以含有选自由含氨基的芳香族化合物及含氮杂环化合物组成的组中的至少一种环状化合物。本发明专利技术的另一方面提供一种研磨方法，其具备如下工序：使用该CMP研磨液来研磨被研磨材料。CMP研磨液来研磨被研磨材料。CMP研磨液来研磨被研磨材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】CMP研磨液及研磨方法


[0001]本专利技术涉及一种CMP研磨液、研磨方法等。

技术介绍

[0002]在半导体制造的领域中，随着存储设备(超大规模集成电路设备等)的高性能化，通过以往技术的延长线上的微细化技术来兼具高度集成及高速化已达到极限。因此，开发了一种进行半导体元件的微细化的同时在垂直方向上也高度集成的技术(即，将配线、元件等进行多层化的技术)。
[0003]在制造配线、元件等被多层化的设备的工艺中，最重要的技术之一为CMP(化学机械研磨)技术。CMP技术为通过化学气相沉积(CVD)等在基板上形成薄膜而获得基体之后，将该基体的表面进行平坦化的技术。若在平坦化之后的基体的表面有凹凸，则会发生如下不良情形：无法进行曝光工序中的聚焦、或者无法充分地形成微细的配线结构等。CMP技术在设备的制造工序中也应用于如下工序：通过等离子氧化膜(BPSG、HDP
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SiO2、p
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TEOS等)的研磨来形成元件分离区域的工序；形成层间绝缘膜的工序；及在将氧化硅膜(包含氧化硅的膜)埋入金属配线中之后将插塞(例如Al<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种CMP研磨液，其含有磨粒和阳离子性聚合物，所述阳离子性聚合物具有：包含氮原子及碳原子的主链、和键合于所述碳原子的羟基。2.根据权利要求1所述的CMP研磨液，其中，所述阳离子性聚合物具备具有所述主链的多种结构单元。3.根据权利要求1或2所述的CMP研磨液，其中，所述阳离子性聚合物包括至少包含二甲胺及环氧氯丙烷的原料的反应物。4.根据权利要求3所述的CMP研磨液，其中，所述阳离子性聚合物包括至少包含二甲胺、氨及环氧氯丙烷的原料的反应物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的CMP研磨液，其中，所述阳离子性聚合物的重均分子量为10000～1000000。6.根据权利要求1至5中任一项所述的CMP研磨液，其中，相对于该CMP研磨液100质量份，所述阳离子性聚合物的含量为0.00001～1质量份。7.根据权利要求1至6中任一项所述的CMP研磨液，其中，所述磨粒包含铈系化合物。8.根据权利要求7所述的CMP研磨液，其中，所述铈系化合物为氧化铈。9.根据权利要求1至8中任一项所述的CMP研磨液，其中，相对于该CMP研磨液100质量份，所述磨粒的含量为0.01～10质量份。10.根据权利要求1至9中任一项所述的CMP研磨液，其还含有选自由含氨基的芳香族化合物及含氮杂环化合物组成的组中的至少一种环状化合物。11.根据权利要求10所述的CMP...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林真悟，南久贵，大塚祐哉，小峰真弓，吴珍娜，高桥寿登，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：