复合颗粒、其精制方法及用途技术

具有较低平均粒度和较小粒度分布的复合颗粒通过精制处理获得。精制的复合颗粒(例如二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒)用于化学机械平面化(CMP)组合物中以为抛光氧化物膜提供更高的去除速率、极低晶片内的去除速率不均匀性(WWNU)、低凹陷和低缺陷。低凹陷和低缺陷。低凹陷和低缺陷。

【技术实现步骤摘要】
复合颗粒、其精制方法及用途
[0001]本申请是申请日为2017年3月31日、申请号为201710209582.8、专利技术名称为“复合颗粒、其精制方法及用途”的中国专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2016年3月31日提交的美国临时申请序列号62/316,089的优先权权益，其通过引用整体并入本文。


[0004]化学机械平面化(“CMP”)抛光组合物(CMP浆料、CMP组合物或CMP制剂可互换使用)用于制造半导体器件。本专利技术涉及包含精制复合颗粒(用作磨料颗粒)的抛光组合物，其特别适用于抛光包含氧化硅材料的图案化半导体晶片。

技术介绍

[0005]氧化硅被广泛用作半导体工业中的介电材料。集成电路(IC)制造工艺中有几个CMP步骤，例如浅槽隔离(STI)、层间介电质(ILD)CMP和门电路poly
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CMP等。典型的氧化物CMP浆料包含：磨料，含有或不含其它化学品。其他化学品可以是改善浆料稳定性的分散剂、提高去除速率的增效剂或降低去除速率并停止在另一个膜上的抑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.精制复合颗粒，其包含单一的二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒和聚集的二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒，其中少于1重量％的所述复合颗粒是包含≥5个单一的二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒的聚集的二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒，其中99重量％的所述复合颗粒具有小于250nm的粒度，以及其中所述复合颗粒具有小于150nm的平均粒度，并且所述平均粒度是颗粒直径的加权平均。2.权利要求1所述的复合颗粒，其中所述复合颗粒具有选自以下的特征：(a)少于1wt％的所述复合颗粒是包含≥4个单一的二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒的聚集的二氧化铈涂覆二氧化硅颗粒；(b)99重量％的所述复合...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸿君，J，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：