树脂膜、复合片、及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种树脂膜，其中，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下，使直径为25mm、厚度为1mm的树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，当将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式计算出的X值为19以上且小于10000，X＝Gc1/Gc300。本发明专利技术还提供一种复合片，其具备基材、设置在所述基材上的缓冲层及设置在所述缓冲层上的所述树脂膜。及设置在所述缓冲层上的所述树脂膜。及设置在所述缓冲层上的所述树脂膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂膜、复合片、及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及树脂膜、复合片、及半导体装置的制造方法。本申请基于2020年2月27日于日本提出申请的日本特愿2020
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031717号主张优先权，并将其内容援用于此。

技术介绍

[0002]至今为止，将用于MPU或门阵列等的多引脚LSI封装安装于印刷布线基板时，采用倒装芯片(Flip chip)的安装方法，该安装方法中，作为半导体芯片，使用在其连接焊垫部形成有由共晶焊锡、高温焊锡、金等构成的凸状电极(以下，在本说明书中称为“凸点(bump)”)的半导体芯片，通过所谓的倒装方式使这些凸点与芯片搭载用基板上的相对应的端子部相对并接触，进行熔融/扩散接合。
[0003]该安装方法中所使用的半导体芯片例如可通过研磨或切割在电路面上形成有凸点的半导体晶圆的与电路面(换言之为凸点形成面)相反一侧的面进行单颗化而得到。在得到上述半导体芯片的过程中，通常，为了保护半导体晶圆的凸点形成面及凸点而在凸点形成面上贴附固化性树脂膜并使该膜固化，从而在凸点形成面上形成保护膜。
[0004]另一方面，期待半导体装置具有更高的功能而使半导体芯片的尺寸具有扩大的倾向。然而，扩大了尺寸的半导体芯片在安装于基板的状态下会产生翘曲，因此凸点容易变形，特别是位于半导体芯片的端部或其附近的凸点容易产生裂纹。从而还期待形成在凸点形成面上的保护膜可抑制这样的凸点破损。
[0005]对于半导体晶圆的凸点形成面上的保护膜的形成方法，参照图8A～图8D进行说明。在保护膜的形成中使用图8A所示的保护膜形成用片8。保护膜形成用片8通过在基材81上依次层叠缓冲层83及固化性树脂膜82而构成。缓冲层83对施加在缓冲层83上和与其邻接的层上的力具有缓冲作用。
[0006]首先，将保护膜形成用片8以使其固化性树脂膜82朝向半导体晶圆9的凸点形成面9a的方式进行配置。接着，如图8B所示，将保护膜形成用片8压接在半导体晶圆9上，使保护膜形成用片8的固化性树脂膜82贴合于半导体晶圆9的凸点形成面9a。此时，边加热固化性树脂膜82边进行固化性树脂膜82的贴合。由此，固化性树脂膜82与半导体晶圆9的凸点形成面9a、凸点91的表面91a密合，然而若凸点91贯穿固化性树脂膜82，则凸点91的表面91a的一部分与缓冲层83密合。这样贴合固化性树脂膜82后，进一步根据需要对半导体晶圆9的与凸点形成面9a相反一侧的面(背面)9b进行研磨后，另行在半导体晶圆9的背面9b上贴附用于保护该背面9b的保护膜形成用片(省略图示)。
[0007]接着，如图8C所示，从固化性树脂膜82上去除基材81及缓冲层83。接着，使固化性树脂膜82固化，如图8D所示，形成保护膜82
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[0008]该保护膜的形成方法，需要使凸点91的上部910贯穿保护膜82
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而呈突出的状态。因此如上所述，重要的是在剥离基材81及缓冲层83的阶段，形成凸点91的上部910贯穿固化性树脂膜82而突出且凸点91的上部910上未残留固化性树脂膜82的状态。与此相反，图9中示出了在凸点91的上部910残留有固化性树脂膜82的状态的一个实例。其中，示出了凸点91的整个表面91a被固化性树脂膜82覆盖的实例，但这仅是固化性树脂膜82的残留状态的一个例子，例如还存在在凸点91的上部910中表面91a的一部分未被固化性树脂膜82覆盖而露出的情况。
[0009]由此，作为能够以在凸点的上部不残留固化性树脂膜的方式而形成保护膜的保护膜形成用片，公开了一种以在温度为90℃、频率为1Hz的条件下使缓冲层产生300％的应变时的缓冲层的剪切模量等于或大于在相同条件下使固化性树脂膜产生300％的应变时的固化性树脂膜的剪切模量的方式而构成的保护膜形成用片(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献
[0010]专利文献1：日本专利第6344811号公报

技术实现思路

本专利技术要解决的技术问题
[0011]另一方面，如上文中说明的，在边加热保护膜形成用片中的固化性树脂膜边利用该固化性树脂膜将保护膜形成用片贴附于半导体晶圆的凸点形成面的阶段(例如，图8B的阶段)，与贴附前的阶段相比，有时固化性树脂膜的宽度变宽，固化性树脂膜溢出于原始大小。并且，如上所述的能够抑制在凸点上部产生残留的固化性树脂膜容易发生这样的溢出。若像这样发生固化性树脂膜的溢出，则在使用半导体晶圆或分割半导体晶圆而得到的半导体芯片的后续各工序中，各种装置有时会因溢出的固化性树脂膜的附着而受到污染。并且，在以往的保护膜形成用片中未有考虑到抑制上述固化性树脂膜的溢出的保护膜形成用片。
[0012]至此为止，列举出了将固化性树脂膜贴附于半导体晶圆的凸点形成面的情况为例而进行了说明，但并不限定于固化性树脂膜，有时还将树脂膜贴附在半导体晶圆的除凸点形成面以外的凹凸面上。并且，与凸点上部的情况相同，有时也要求抑制在凹凸面的凸部的上部残留树脂膜。对此，当如上所述对凹凸面进行全面贴附时，可能会发生树脂膜的溢出。
[0013]本专利技术的目的在于提供一种可适用于贴附于凹凸面的树脂膜及在将所述树脂膜贴附于凹凸面时所使用的具备所述树脂膜的复合片，将所述树脂膜贴附于凹凸面时，凸部可将其贯穿，并能够抑制其在凸部的上部发生残留，且能够抑制其溢出于初始大小。解决技术问题的技术手段
[0014]本专利技术提供一种树脂膜，其中，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下使直径为25mm、厚度为1mm的所述树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，当将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式计算出的X值为19以上且小于10000，X＝Gc1/Gc300。
[0015]本专利技术的树脂膜用于贴附于凹凸面。本专利技术的树脂膜可以为固化性。
[0016]此外，本专利技术提供一种复合片，其具备基材、设置在所述基材上的缓冲层及设置在所述缓冲层上的树脂膜，所述树脂膜为上述本专利技术的树脂膜。此外，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，其包括：将上述本专利技术的复合片中的固化性的所述树脂膜贴附在半导体晶圆的具有凸点的面上，使所述凸点的顶端部从所述树脂膜中突出，由此在所述半导体晶圆上设置所述复合片的贴附工序；在所述贴附工序后，将所述复合片中的除所述树脂膜以外的层从所述树脂膜上去除的去除工序；在所述去除工序后，使所述树脂膜固化，由此形成第一保护膜的固化工序；在所述固化工序后，分割所述半导体晶圆，由此制作半导体芯片的分割工序；在所述固化工序后，切断所述第一保护膜的切断工序；及将进行所述分割工序及切断工序后得到的、具备所述半导体芯片与设置在半导体芯片的具有凸点的面上的第一保护膜且所述凸点的顶端部从所述第一保护膜中突出的带第一保护膜的半导体芯片，于所述凸点的顶端部倒装芯片键合于基板的安装工序。专利技术效果
[0017]根据本专利技术，可提供一种能够适用于贴附于凹凸面的树脂膜及在将所述树脂膜贴附于凹凸面时所使用的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂膜，其中，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下，使直径为25mm、厚度为1mm的所述树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，当将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式计算出的X值为19以上且小于10000，X＝Gc1/Gc300。2.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，所述树脂膜用于贴附于凹凸面。3.根据权利要求1所述的树脂膜，其中，所述树脂膜为固化性。4.一种复合片，其具备基材、设置在所述基材上的缓冲层及设置在所述缓冲层上的树脂膜，所述树脂膜为权利要求1～3中任一项所述的树脂膜。5.一种半导体装置的制造方法，其包括：将权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：四宫圭亮，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：