微电子密封件内的屏障结构制造技术

本申请公开了微电子密封件内的屏障结构。一种器件(100)包括第一衬底(114)。所述器件(100)还包括在所述第一衬底(114)上的包括金属层(120)的屏障结构(106)，其中所述屏障结构(106)形成腔室(102)。所述器件(100)还包括在所述金属层(120)上的第二衬底，其中所述金属层(120)在所述第一衬底(114)和所述第二衬底之间延伸，并且其中所述金属层(120)包括在所述腔室(102)内接触所述第一衬底(114)的倾斜边缘。边缘。边缘。

【技术实现步骤摘要】
微电子密封件内的屏障结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求美国临时专利申请号63/134,655的优先权，该专利申请在2021年1月7日提交，名称为“Physical Barrier Structure Formed Within A Microelectronic Enclosure”，并且由此通过引用以其整体并入本文。

技术介绍

[0003]半导体器件使用各种液体或蒸气材料来制造。成品半导体器件还可在器件内具有不同划定区域，这些区域都在密封体积内。在制造期间，液体或蒸气材料可在半导体器件的不同划定区域中移动。

技术实现思路

[0004]根据本说明书的至少一个示例，一种方法包括在第一衬底的至少一部分上施加介电材料。所述方法还包括在所述第一衬底的所述至少一部分上沉积籽晶金属。所述方法还包括在籽晶金属上沉积镀覆光致抗蚀剂。所述方法还包括在所述籽晶金属上镀覆金属线，其中所述镀覆光致抗蚀剂形成所述金属线的边界，并且其中所述金属线形成屏障结构的至少一部分。所述方法还包括剥离所述镀覆光致抗蚀剂的至少一部分并蚀刻所述籽晶金属的至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：在第一衬底的至少一部分上施加介电材料；在所述第一衬底的所述至少一部分上沉积籽晶金属；在所述籽晶金属上沉积镀覆光致抗蚀剂；在所述籽晶金属上镀覆金属线，其中所述镀覆光致抗蚀剂形成所述金属线的边界，并且其中所述金属线形成屏障结构的至少一部分；剥离所述镀覆光致抗蚀剂的至少一部分并蚀刻所述籽晶金属的至少一部分；以及相对于所述屏障结构定位第二衬底以形成腔室。2.根据权利要求1所述的方法，其中半导体器件定位在所述腔室内。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在蚀刻所述籽晶金属的所述部分之后，移除所述介电材料的一部分。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二衬底包括硅晶片。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二衬底包括玻璃晶片。6.根据权利要求1所述的方法，其中定位所述第二衬底包括：定位所述第二衬底以使得所述第二衬底和所述屏障结构通过小于1微米的间隙分开。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述屏障结构具有带45度或更小的斜率的边缘。8.一种器件，其包括：第一衬底；屏障结构，所述屏障结构包括位于所述第一衬底上的金属层，其中所述屏障结构形成腔室；以及第二衬底，所述第二衬底位于所述金属层上，其中所述金属层在所述第一衬底和所述第二衬底之间延伸，并且其中所述金属层包括在所述腔室内接触所述第一衬底的倾斜边缘。9.根据权利要求8所述的器件，其中所述第二衬底是包括窗口的玻璃晶片。10.根据权利要求8所述的器件，还包括在所述金属层上的铟层。11.根据权利要求8所述的器...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：