半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，包括：基板，包括布线结构；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该基板上方；以及多端子电容器结构，嵌入于该基板中，该多端子电容器结构包括：第一正极端子与第一接地端子，通过该布线结构电耦接至该第一半导体晶粒；以及第二正极端子和第二接地端子，通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒。本发明专利技术采用包括多个电容器和多个端子的多端子电容器结构，并且多端子电容器结构嵌入在基板中。因此，本发明专利技术可以减少电容器所占用的空间，并且可以增加基板上保留的导电结构。因此，本发明专利技术可以增加设计灵活性，并且可以更容易地设计。本发明专利技术还可以提供半导体封装性能的提升。性能的提升。性能的提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]由于高性能集成电路需要在较高频率下以较低电源电压提供较大电流，因此电源系统设计变得越来越具有挑战性。可以采用去耦电容器(decoupling capacitor)作为临时电荷储存器(temporary charge reservoir)，以防止电源电压的瞬时波动(momentary fluctuation)。去耦电容器对于在数字电路(例如具有许多在开和关状态之间交替的晶体管)的操作或运行期间降低电源噪声越来越重要。
[0003]尽管现有的半导体结构通常是足够的，但是它们在每个方面都不是令人满意的。例如，集成去耦电容器具有挑战性，因为必须针对不同半导体组件的不同功率域使用多个电容器。例如，中央处理单元(central processing unit，CPU)可能需要一个去耦电容器，而高性能系统单晶粒(system
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chip，SOC)芯片可能需要5到10个去耦电容器。因此，需要进一步改进半导体结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板，包括布线结构；第一半导体晶粒和第二半导体晶粒，设置在该基板上方；以及多端子电容器结构，嵌入于该基板中，该多端子电容器结构包括：第一正极端子与第一接地端子，通过该布线结构电耦接至该第一半导体晶粒；以及第二正极端子和第二接地端子，通过该布线结构电耦接到该第二半导体晶粒。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该多端子电容器结构包括：第一多端子电容器，包括该第一正极端子与该第一接地端子；以及第二多端子电容器，包括该第二正极端子与该第二接地端子。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该多端子电容器结构还包括：半导体基板；以及绝缘层，设置在该半导体基板之上，其中该第一多端子电容器和该第二多端子电容器设置在该绝缘层之上并且与该半导体基板电隔离。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该多端子电容器结构配置于该基板的芯部。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该布线结构包括第一导电层及导电通孔，并且其中该多端子电容器结构基本上与该第一导电层对齐并通过该导电通孔电耦合到该第一半导体晶粒和/或该第二半导体晶粒。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该布线结构还包括第二导电层，设置于该多端子电容器结构之上，并将该多端子电容器结构电耦接至该第一半导体晶粒和/或该第二半导体晶粒。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一正极端子与该第二正极端子沿第一条线设置，且该第一接地端子与该第二接地端子沿第二条线设置，其中该第一条线为基本平行于该第二条线；或者，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁昌，陈京好，段志刚，詹归娣，
申请(专利权)人：联发科技新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：