一种补锂添加剂及其制备方法技术

本申请提供了一种补锂添加剂，包括富锂材料内核和设置在富锂材料内核上的壳层，富锂材料内核包括平均化学式为aNi

【技术实现步骤摘要】
一种补锂添加剂及其制备方法


[0001]本申请涉及锂离子电池领域，具体涉及一种补锂添加剂及其制备方法。

技术介绍

[0002]在电池的首次充电过程中，正负极表面会形成表面固体电解质膜(SEI膜)，SEI膜的形成会消耗电池中的锂，并将锂转化为非活性的含锂化合物，从而造成可逆锂的损失，降低首次效率，降低电池放电容量。
[0003]为弥补首次充电形成SEI膜造成的锂损失，现有的方法是在正极或者负极加入补锂添加剂。然而现有的补锂添加剂由于活性高，容易与空气中的水和CO2发生反应使补锂添加剂表面的残碱含量高，降低补锂效果，造成电池容量损失。为保证有效的补锂，现有的补锂添加剂在使用和储存的过程中对环境要求极其苛刻；并且在制备过程中，补锂添加剂容易被氧化，难以大批量合成，不利于工业化生产。因此，有必要提供一种补锂添加剂及其制备方法，以解决现有补锂添加剂稳定性差、补锂效果不佳以及难以进行工业化生产的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供了一种补锂添加剂，该补锂添加剂不仅能有效地实现对锂二次电池的补锂，提高电池的首次效率，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种补锂添加剂，其特征在于，所述补锂添加剂包括富锂材料内核和设置在所述富锂材料内核上的壳层，所述富锂材料内核包括平均化学式为aNi
x
M
y
O
z
·
bLi2O的富锂材料，其中，0.95≤x≤1，0.01≤y≤0.05，1≤z≤1.15，0.8≤a≤1.1，0.8≤b≤1.1；所述M包括Cu、Co、Al、Ti、V、Zr和Fe中的一种或多种；所述壳层包括聚合物层。2.如权利要求1所述的补锂添加剂，其特征在于，所述富锂材料内核包括内层和掺杂界面层，所述掺杂界面层设置在所述内层的至少部分表面上；所述M位于所述掺杂界面层；所述掺杂界面层的厚度为1nm
‑
100nm。3.如权利要求1或2所述的补锂添加剂，其特征在于，所述富锂材料内核的中位粒径D50为2μm
‑
10μm，D10/D50≥0.3，D90/D50≤2。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的补锂添加剂，其特征在于，所述聚合物层包括聚合物；所述聚合物包括以[C6H7O6Na]
n
为结构的有机聚合物、以[C6H7O2(OH)2OCH2COONa]
n
为结构的有机聚合物、以[C3H4O2]
n
为结构的有机聚合物、以[C3H3O2M
a
]
n
为结构的有机聚合物、以[C3H3N]
n
为结构的有机聚合物、含有
‑
[CH2‑
CF2]
n
‑
结构的有机聚合物、含有
‑
[NHCO]
‑
结构的有机聚合物、主链上含有酰亚胺环
‑
[CO
‑
N
‑
CO]
‑
结构的有机聚合物和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种,其中，M
a
为碱金属元素...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟泽钦，万远鑫，孔令涌，任望保，钟文，朱成奔，张淤才，赵中可，
申请(专利权)人：深圳市德方创域新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：