成像装置和电子设备制造方法及图纸

提供了一种成像装置，所述成像装置可以在不使操作性能劣化的情况下在面内方向上小型化。该成像装置包括第一像素和第二像素。所述第一像素具有：m(m表示不小于2的整数)条第一布线；和分别连接到所述m条第一布线的m个第一栅电极。所述第二像素具有：n(n表示小于m的自然数)条第二布线；和分别连接到所述n条第二布线的n个第二栅电极。线的n个第二栅电极。线的n个第二栅电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成像装置和电子设备


[0001]本公开涉及一种通过进行光电转换来进行成像的成像装置以及包括该成像装置的电子设备。

技术介绍

[0002]本申请的申请人提出了一种包括硅基板的成像装置，该硅基板具有其中光电二极管和存储器在光入射方向上层叠的层叠结构(例如，参照PTL 1)。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]PTL 1：国际公开第WO 2016/136486号

技术实现思路

[0006]顺便提及，这种成像装置要求在与光入射方向正交的面内方向上具有较小的尺寸。
[0007]因此，期望提供一种在不损害操作性能的情况下允许在面内方向上实现小型化的成像装置以及包括这种成像装置的电子设备。
[0008]根据本公开的实施方案的成像装置包括第一像素和第二像素。所述第一像素包括m(m表示大于或等于2的整数)条第一布线和分别连接到所述m条第一布线的m个第一栅电极。所述第二像素包括n(n表示小于m的自然数)条第二布线和分别连接到所述n条第二布线的n个第二栅电极。
[0009]此外，根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成像装置，包括：第一像素，其包括m(m表示大于或等于2的整数)条第一布线和分别连接到所述m条第一布线的m个第一栅电极；和第二像素，其包括n(n表示小于m的自然数)条第二布线和分别连接到所述n条第二布线的n个第二栅电极。2.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述第一像素包括第一晶体管，所述第一晶体管包括所述第一栅电极，并且所述第二像素包括第二晶体管，所述第二晶体管包括所述第二栅电极。3.根据权利要求1所述的成像装置，其中与所述m条第一布线中的一部分相对应的第一布线和与所述n条第二布线中的一部分相对应的第二布线是共享的公共布线。4.根据权利要求2所述的成像装置，其中所述公共布线包括第一公共布线和第二公共布线，所述第一像素包括第一复位晶体管和第一选择晶体管，所述第一复位晶体管包括连接到所述第一公共布线的所述第一栅电极，所述第一选择晶体管包括连接到所述第二公共布线的所述第一栅电极，并且所述第二像素包括第二复位晶体管和第二选择晶体管，所述第二复位晶体管包括连接到所述第一公共布线的所述第二栅电极，所述第二选择晶体管包括连接到所述第二公共布线的所述第二栅电极。5.根据权利要求1所述的成像装置，其中所述第一像素包括获取可见光信息的成像像素，并且所述第二像素获取所述可见光信息以外的信息。6.根据权利要求5所述的成像装置，其中所述第二像素包括像面相位差检测像素、红外光信息获取像素或偏光器。7.根据权利要求1所述的成像装置，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：町田贵志，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：