图像传感器、图像采集电路和终端制造技术

本公开涉及一种图像传感器、图像采集电路和终端，该图像传感器通过采用第一P型MOS管作为源极跟随器，采用所述第二P型MOS管与所述第一P型MOS管连接，用于将第一P型MOS管输出的放大后的第一电信号输出，由于P型MOS管的氧化物陷阱密度Nt普遍低于N型MOS管，因此能够表现出较低的1/f噪声的原理，从而能够使该图像传感器获得更好得亚电子噪声性能，有效降低图像传感器中1/f噪声，从而能够有效提升图像传感器的噪声特性，优化图像传感器的成像质量。优化图像传感器的成像质量。优化图像传感器的成像质量。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器、图像采集电路和终端


[0001]本公开涉及集成电路领域，尤其涉及一种图像传感器、图像采集电路和终端。

技术介绍

[0002]随着图像传感器技术的迅速发展，其在消费电子、工业电子、汽车电子、科学研究、广播电视、安防监控、医疗影像、航空航天等场景的工程应用日渐广泛。像素结构作为图像传感器的核心部分，将直接决定采集到图像的图像质量。然而，目前图像传感器的像素结构虽然能够保证热噪声较低，但是1/f噪声(也称闪烁噪声)依然较高，不利于图像传感器的图像质量的提升。

技术实现思路

[0003]为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种图像传感器、图像采集电路和终端。
[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种图像传感器，包括：钳位光电二极管PPD，第一N型MOS管，第二N型MOS管，第一P型MOS管，第二P型MOS管，
[0005]所述钳位光电二极管PPD，与所述第一N型MOS管连接，用于将曝光阶段中的光信号转换为电信号；
[0006]所述第一N型MOS管，与所述第二N型MOS管和所述第一P型MOS管连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：钳位光电二极管PPD，第一N型MOS管，第二N型MOS管，第一P型MOS管，第二P型MOS管，所述钳位光电二极管PPD，与所述第一N型MOS管连接，用于将曝光阶段中的光信号转换为电信号；所述第一N型MOS管，与所述第二N型MOS管和所述第一P型MOS管连接，用于在接收到高电平信号的情况下，将所述钳位光电二极管PPD输出的第一电信号传输至所述第二N型MOS管；所述第二N型MOS管，与第一电源端连接，用于在接收到高电平信号的情况下，拉高所述第一N型MOS管漏极的电压；所述第一P型MOS管，与所述第一N型MOS管，所述第二N型MOS管和所述第二P型MOS管连接，用于作为源极跟随器，将所述第一N型MOS管传输的所述第一电信号放大后，传输至所述第二P型MOS管；所述第二P型MOS管，与所述第一P型MOS管连接，用于将第一P型MOS管输出的放大后的第一电信号输出。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一P型MOS管为薄氧化物的P型MOS管，所述薄氧化物的P型MOS管中氧化物的厚度小于或者等于0.1um。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二P型MOS管为厚氧化物的P型MOS管，所述厚氧化物的P型MOS管中氧化物的厚度大于0.1um，且小于或者等于0.3。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一P型MOS管和所述第二P型MOS管均为厚氧化物的P型MOS管，所述厚氧化物的P型MOS管中...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄岩，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：新型
国别省市：