【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于固态存储设备的存储器控制器
[0001]本专利技术总体上涉及用于固态存储设备的存储器控制器,并且更具体地涉及用于包括存储器单元的非易失性存储器阵列的控制器。
技术介绍
[0002]固态储存器是非易失性存储器,其使用基于电子电路的存储器单元,通常在集成电路(IC)中,用于存储数据,而不是诸如磁盘和磁带的传统的磁性或光学介质。由于没有移动部件,固态存储设备(SSD)(诸如,闪存设备)比常规存储设备更坚固。SSD提供杰出的带宽、功耗的显著节省、以及比硬盘驱动器(HDD)好数量级的随机I/O(输入/输出)性能。
[0003]在SSD中,存储装置包括被组织成存储区域或“块”的非易失性存储器单元的阵列,存储区域或“块”中的每个包含可以将数据写入的存储位置集。例如,闪存存储器被组织成包含被称为“页面”的数据写入位置的存储块。每个存储位置包括存储器单元集,存储器单元集中的每个存储器单元可以存储多个比特的数据,并且存储器可以选择性地配置用于存储每个单元不同数目的比特。例如,大多数3D NAND闪存芯片支持多于一个存储模式中的块的选 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于控制非易失性存储器单元的阵列的操作的计算机系统,所述非易失性存储器单元的阵列包括选择性地可配置用于单比特存储和多比特存储的单元,所述计算机系统包括:一个或多个计算机处理器;存储器控制器;一个或多个计算机可读存储介质;以及存储在所述计算机可读存储介质上的程序指令,所述程序指令由存储器控制器的处理设备可执行,以使所述存储器控制器:选择性地将所述阵列配置用于在混合模式和多比特模式中的操作,在所述混合模式中所述阵列包括被配置用于单比特存储的单元和被配置用于多比特存储的单元两者,在所述多比特模式中,所述阵列中的所有单元被配置用于多比特存储;以及在对应于阵列容量使用的所述阵列的所述混合模式配置和所述多比特模式配置之间动态切换,所述阵列容量使用遍历与增强所述阵列的耐久性相关联的限定的阈值等级。2.根据权利要求1所述的计算机系统,其中,所述阈值等级被限定为基于阵列耐久性在所述混合模式与所述多比特模式之间转换的容量使用等级。3.根据权利要求1所述的计算机系统,还包括:存储在所述计算机可读存储介质上的用于利用所述存储器控制器执行的程序指令,用于:在所述阵列的操作期间监控工作负载类型;以及取决于所述工作负载类型来动态地限定所述阈值等级。4.根据权利要求1所述的计算机系统,还包括存储在所述计算机可读存储介质上的用于利用所述存储器控制器执行的程序指令,用于:在所述阵列的操作之前,接收针对所述阵列的系统参数集;以及取决于所述参数来限定所述阈值等级。5.根据权利要求4所述的计算机系统,还包括存储在所述计算机可读存储介质上的用于利用所述存储器控制器执行的程序指令,用于:在所述阵列的操作期间监控工作负载类型;以及取决于所述工作负载类型来动态地限定所述阈值等级。6.根据权利要求4所述的计算机系统,其中所述系统参数集指示在所述单比特模式和所述多比特模式中的原始单元耐久性。7.根据权利要求4所述的计算机系统,其中所述系统参数集指示所述阵列的大小。8.根据权利要求7所述的计算机系统,其中,所述系统参数集指示静态
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混合模式和动态
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混合模式中的一项,在所述静态
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混合模式中,单比特单元和多比特单元的比率是静态的,在所述动态
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混合模式中,针对所述混合模式中的所述阵列的操作的所述比率被动态确定。9.根据权利要求4所述的计算机系统,其中,所述系统参数集指示写入
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热隔离是否针对所述混合模式中的所述阵列的操作而被启用。10.根据权利要求4所述的计算机系统,还包括存储在所述计算机可读存储介质上的用于利用所述存储器控制器执行的程序指令,用于:根据所述参数集来控制所述阵列的操作。
11.根据权利要求1所述的计算机系统,还包括存储在所述计算机可读存储介质上的用于利用所述存储器控制器执行的程序指令,用于:在所述混合模式中的所述阵列的操作期间,优先地将数据写入到所述阵列的单比特单元;以及将数据从单比特单元移动到多比特单元,释放所述单比特单元中的存储容量。12.根据权利要求1所述的计算...
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