光接收装置制造方法及图纸

一种光接收装置包括：第一芯片，其具有像素区域，在所述像素区域中设置有传感器像素；第二芯片，其包括对从所述传感器像素输出的传感器信号进行信号处理的处理电路，且所述第二芯片被层叠在所述第一芯片上；和第一对准标记，其被设置在所述第一芯片的所述像素区域中，且与设置于所述第二芯片中的第二对准标记对应。对应。对应。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收装置


[0001]本专利技术涉及光接收装置。

技术介绍

[0002]近年来，作为用于使诸如摄像装置等光接收装置的构造进一步小型化的技术，提出了一种如下的技术：其中，像素阵列与信号处理电路或存储电路被形成在相互独立的芯片上并且以芯片状态接合在一起(参见专利文献1)。
[0003]在进行接合时芯片彼此之间的对准例如是通过检测设置于各个芯片上的用于对准的对准标记来实现的。因此，通过控制各个芯片的位置，使得设置于各个芯片上的对准标记具有预定的位置关系，这样就可以高精度地控制芯片之间的位置关系。
[0004][引用文献列表][0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第WO2019/087764号

技术实现思路

[0007]如上所述，在这样的层叠型光接收装置中，期望光接收装置的尺寸进一步小型化。因此，期望以有效的布局来设置对光接收装置的功能没有贡献的且用于对准的对准标记，以避免光接收装置的尺寸的扩大。
[0008]因此，期望提供一种光接收装置，其中，能够以更有效的布局来设置对准标记。
[0009]根据本专利技术一个实施例的光接收装置包括：第一芯片，其具有像素区域，在所述像素区域中设置有传感器像素；第二芯片，其包括对从所述传感器像素输出的传感器信号进行信号处理的处理电路，且所述第二芯片被层叠在所述第一芯片上；和第一对准标记，其被设置在所述第一芯片的所述像素区域中，且与设置于所述第二芯片中的第二对准标记对应。
[0010]在根据本专利技术一个实施例的上述光接收装置中，第一芯片具有设置有传感器像素的像素区域，第二芯片包括对从传感器像素输出的传感器信号进行信号处理的处理电路，利用设置于第一芯片的像素区域中的第一对准标记和设置于第二芯片中的第二对准标记来将第一芯片和第二芯片对准和层叠起来。这使得在光接收装置中，能够以更有效的布局来设置例如在将芯片彼此层叠时的用于对准的对准标记。
附图说明
[0011]图1是本专利技术的技术适用的光接收装置的整体构造的纵剖面图。
[0012]图2是用于说明根据本专利技术第一实施例的第一对准标记和第二对准标记的概要的纵剖面图。
[0013]图3A是要接合在一起的第一芯片和第二芯片的具体示例的示意性透视图。
[0014]图3B是要接合在一起的第一芯片和第二芯片的具体示例的示意性透视图。
[0015]图4是第一芯片中的第一对准标记和第二芯片中的第二对准标记的布局示例的平面图。
[0016]图5A是根据本专利技术第一实施例的第一对准标记和第二对准标记的构造例的示意图。
[0017]图5B是根据本专利技术第一实施例的第一对准标记和第二对准标记的构造例的示意图。
[0018]图6A是用于说明根据本专利技术第一实施例的第一对准标记和第二对准标记的平面形状的变型的示意图。
[0019]图6B是用于说明根据本专利技术第一实施例的第一对准标记和第二对准标记的平面形状的变型的示意图。
[0020]图6C是用于说明根据本专利技术第一实施例的第一对准标记和第二对准标记的平面形状的变型的示意图。
[0021]图7是用于说明根据本专利技术第二实施例的第一对准标记和第二对准标记的概要的纵剖面图。
[0022]图8是用于说明根据本专利技术第二实施例的第一对准标记和第二对准标记的概要的纵剖面图。
[0023]图9是根据本专利技术第二实施例的第一对准标记和第二对准标记的构造例重叠于配线层上的示意图。
[0024]图10是根据本专利技术第二实施例的变形例的配线层的构造例的示意图。
[0025]图11是根据本专利技术第二实施例的变形例的第一对准标记和第二对准标记的一个构造例的示意图。
[0026]图12是示出了包括根据本专利技术实施例的光接收装置的摄像系统的示意性构造示例的框图。
[0027]图13是示出了摄像系统中的摄像操作的过程的流程图。
[0028]图14是示出了车辆控制系统的示意性构造示例的框图。
[0029]图15是用于辅助说明车外信息检测单元和摄像部的设置位置的一个示例的图。
[0030]图16是示出了内窥镜手术系统的示意性构造的一个示例的图。
[0031]图17是示出了相机头(camera head)和相机控制单元(CCU：camera control unit)的功能构造的一个示例的框图。
具体实施方式
[0032]下面，参照附图详细说明本专利技术的一些实施例。以下说明的实施例给出了本专利技术的具体示例，并且本专利技术的技术不限于这些方面。此外，本专利技术的各个构成要素的位置、尺寸、尺寸比等不限于在各个附图中所示出的那样。
[0033]应当注意，按照以下顺序给出说明。
[0034]1.第一实施例
[0035]1.1.光接收装置的构造例
[0036]1.2.对准标记的构造例
[0037]1.3.对准标记的形状的变型
[0038]2.第二实施例
[0039]2.1.对准标记的构造例
[0040]2.2.变形例
[0041]3.应用例
[0042]<1.第一实施例>
[0043](1.1.光接收装置的构造例)
[0044]首先，参照图1给出本专利技术的技术适用的光接收装置1的整体构造的说明。图1是光接收装置1的整体构造的纵剖面图。
[0045]如图1所示，光接收装置1例如是背面照射型CMOS(互补金属
‑
氧化物
‑
半导体：Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor)图像传感器。光接收装置1例如包括第一芯片10和第二芯片20的层叠结构。
[0046]应当注意，在本说明书中，术语“芯片”包括形成有多个半导体装置的晶片和将晶片针对各半导体装置进行裁断而得到的个别单片(芯片)。即，光接收装置1可以是其中层叠有晶片与晶片、晶片与芯片、或者芯片与芯片的光接收装置。
[0047]第一芯片10具有光电转换功能，并且输出基于所接收到的光量的传感器信号。具体地，第一芯片10具有像素区域50，在该像素区域50中以矩阵状呈二维地布置有多个传感器像素51。第一芯片10对每个传感器像素51中的所接收到的光进行光电转换，并且将基于通过光电转换产生的电荷的传感器信号输出到第二芯片20。
[0048]第一芯片10是通过在半导体基板100上层叠多层配线层110来设置成的。以使多层配线层110与第二芯片20的多层配线层210面对着的方式，将第一芯片10层叠在第二芯片上20。在第一芯片10中，处于与第二芯片20面对着的主表面的相反侧的主表面用作光接收面。
[0049]半导体基板100是例如由诸如Si(硅)等半导体制成的基板。在半导体基板100中，针对每个传感器像素51都设置有光电二极管(PhotoDiode：PD)。
[0050]多层配线层11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收装置，包括：第一芯片，其具有像素区域，在所述像素区域中设置有传感器像素；第二芯片，其包括对从所述传感器像素输出的传感器信号进行信号处理的处理电路，且所述第二芯片被层叠在所述第一芯片上；和第一对准标记，其被设置在所述第一芯片的所述像素区域中，且与设置于所述第二芯片中的第二对准标记对应。2.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述第一对准标记和所述第二对准标记分别被设置在所述第一芯片的接合面侧和所述第二芯片的接合面侧。3.根据权利要求2所述的光接收装置，其中，在所述第一芯片和/或所述第二芯片中，在所述接合面侧的相反侧上的与所述第一对准标记或所述第二对准标记重叠的区域中，设置有配线或半导体元件。4.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述第一芯片或所述第二芯片中的设置于与所述第一对准标记或所述第二对准标记重叠的区域中的配线被设置为沿同一方向延伸。5.根据权利要求4所述的光接收装置，其中，沿所述同一方向延伸的所述配线以比所述传感器像素的像素尺寸小的重复节距设置着。6.根据权利要求1所述的光接收装置，其中，所述第一对准标记和/或所述第二对准标记的平面形状为矩形形状。7.根据权利要求6所述的光接收装置，其中，所述第一对准标记和/或所述第二对准标记是通过布置多个平行地沿同一方向延伸的导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山健太郎，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：