聚合物、有机电致发光元件用组合物、空穴传输层或空穴注入层形成用组合物、有机电致发光元件、有机EL显示装置和有机EL照明制造方法及图纸

技术编号:34084390 阅读:13 留言:0更新日期:2022-07-11 19:38
本发明专利技术提供一种空穴注入传输能力高、耐久性高的聚合物和包含该聚合物的有机电致发光元件用组合物、以及亮度高、驱动寿命长的有机电致发光元件。一种聚合物,包含下述式(1)所示的重复单元。G为可以具有取代基的芳香族烃基或N原子。Ar1为可以具有取代基的芳香族烃基。Ar2、Ar3、Ar4为可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者将选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的基团直接或经由连接基团连接多个而成的基团。X、Y为C原子或N原子。该C原子可以具有取代基。“-*”为与G的键合部位。为与G的键合部位。为与G的键合部位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物、有机电致发光元件用组合物、空穴传输层或空穴注入层形成用组合物、有机电致发光元件、有机EL显示装置和有机EL照明


[0001]本专利技术涉及一种聚合物。详细而言,本专利技术涉及一种作为有机电致发光元件的电荷传输性材料有用的聚合物。另外,本专利技术涉及一种含有该聚合物的有机电致发光元件用组合物、空穴传输层或空穴注入层形成用组合物、包含使用该组合物而形成的层的有机电致发光元件和其制造方法、以及具有该有机电致发光元件的有机EL显示装置和有机EL照明。

技术介绍

[0002]作为有机电致发光元件中的有机层的形成方法,有真空蒸镀法和湿式成膜法。
[0003]真空蒸镀法由于容易层叠化,因此,具有如下优点:容易改善从阳极和/或阴极的电荷注入、容易将激子封闭在发光层中。
[0004]另一方面,湿式成膜法具有如下优点:不需要真空工艺,容易大面积化,且通过使用将具有各种功能的多种材料混合而成的涂布液,能够容易地形成含有具有各种功能的多种材料的层等。
[0005]但是,现状是湿式成膜法由于难以层叠化,因此与利用真空蒸镀法而得的元件相比,驱动稳定性差,除一部分以外,未达到实用水平。
[0006]为了进行利用湿式成膜法的层叠化,期待一种具有交联性基团的电荷传输性聚合物,另外,正在对其进行开发。例如,在专利文献1~3中公开了一种含有具有特定的重复单元的聚合物且通过湿式成膜法层叠化而成的有机电致发光元件。
[0007]在专利文献4和5中公开了一种具有在聚合物的主链键合有芴环或咔唑环与不具有取代基的亚苯基环的结构的空穴注入传输性材料。
[0008]在专利文献6中记载了在具有sp3杂化的季碳C4与亚苯基的重复单元的聚合物中,优选在主链包含非共轭单元。在专利文献6中公开了经由亚烷基将三嗪环与主链连接的侧链结构。
[0009]在专利文献7中公开了在主链具有包含硅原子与咔唑环的重复单元的聚合物中,在咔唑环的9位经由芳基连接有具有取代基的三嗪基的化合物。
[0010]在专利文献8中公开了在具有芳基胺结构的聚合物的侧链具有吡啶结构的聚合物。
[0011]现有技术文献
[0012]专利文献
[0013]专利文献1:国际公开第2009/123269号
[0014]专利文献2:日本特开2013-045986号公报
[0015]专利文献3:国际公开第2013/191088号
[0016]专利文献4:日本特开2016-084370号公报
[0017]专利文献5:日本特开2017-002287号公报
[0018]专利文献6:日本特表2014-506003号
[0019]专利文献7:中国专利公开第108383980号说明书
[0020]专利文献8:国际公开第2003/057762号
[0021]在专利文献6中公开了经由亚烷基将侧链的三嗪环与主链连接的结构。但是,该聚合物通过使亚烷基介于主链与侧链的三嗪环之间而形成分子间电荷移动受到阻挡的结构。
[0022]专利文献7中公开的化合物通过包含硅原子,聚合物的主链成为非共轭,电荷传输性差。
[0023]在专利文献8中公开了在主链具有电荷传输性优异的芴基的芳基胺聚合物。但是,该聚合物通过吡啶环与位于主链的N原子直接键合而容易形成准分子,因此元件的耐久性不充分。

技术实现思路

[0024]本专利技术的课题在于提供一种空穴注入传输能力高、耐久性高的聚合物和包含该聚合物的有机电致发光元件用组合物。另外,本专利技术的课题在于提供一种亮度高、驱动寿命长的有机电致发光元件。
[0025]本专利技术人发现通过使用在侧链具有特定结构的聚合物,能够解决上述课题,该特定结构包含具有氮原子的特定的六元杂芳香环。
[0026]本专利技术的主旨如以下[1]~[16]所示。
[0027][1]一种聚合物,包含下述式(1)所示的重复单元。
[0028][0029]式(1)中,G表示可以具有取代基的芳香族烃基或N原子。
[0030]Ar2表示可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者将选自可以具有取代基的二价芳香族烃基和可以具有取代基的二价芳香族杂环基中的2个以上的基团直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团。
[0031]A为包含具有氮原子的特定的六元杂芳香环的结构且由式(1)-2表示。
[0032]式(1)-2中,Ar1表示可以具有取代基的二价芳香族烃基。
[0033]Ar3和Ar4各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者将选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中
的2个以上的基团直接或经由连接基团连接多个而成的一价基团。
[0034]X、Y各自独立地表示C原子或N原子。在X或Y为C原子的情况下,可以具有取代基。
[0035]“-*”为与式(1)中的G键合的部位。
[0036][2]根据[1]所述的聚合物,其中,上述G为N原子。
[0037][3]根据[2]上述的聚合物,其中,上述式(1)所示的重复单元为下述式(2)-1~式(2)-3中的任一者所示的重复单元。
[0038][0039]式(2)-1~式(2)-3中,A与上述式(1)中的A相同。
[0040]Q表示-C(R5)(R6)-、-N(R7)-或-C(R
11
)(R
12
)-C(R
13
)(R
14
)-。
[0041]R1~R4各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳烷基。
[0042]R5~R7和R
11
~R
14
各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳香族烃基。
[0043]a、b各自独立地为0~4的整数。
[0044]c1~c5各自独立地为0~3的整数。
[0045]其中,c3与c5中的至少一者为1以上。
[0046]d1~d4各自独立地为1~4的整数。
[0047]在该重复单元中存在多个R1、R2、R3、R4时,R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。
[0048][4]根据[1]~[3]中任一项所述的聚合物,其中,进一步包含下述式(3)-1~式(3)-3中的任一者所示的重复单元。
[0049][0050]式(3)-1~式(3)-3中,Ar7不包括上述式(1)-2所示的结构A、即包含具有氮原子的特定的六元杂芳香环的基,表示可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基。
[0051]Q表示-C(R5)(R6)-、-N(R7)-或-C(R
11
)(R
12
)-C(R
13
)(R
14
)-。
[00本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种聚合物,包含下述式(1)所示的重复单元,式(1)中,G表示可以具有取代基的芳香族烃基或N原子,Ar2表示可以具有取代基的二价芳香族烃基、可以具有取代基的二价芳香族杂环基、或者将选自可以具有取代基的二价芳香族烃基和可以具有取代基的二价芳香族杂环基中的2个以上的基团直接或经由连接基团连接多个而成的二价基团,A为包含具有氮原子的特定的六元杂芳香环的结构且由式(1)-2表示,式(1)-2中,Ar1表示可以具有取代基的二价芳香族烃基,Ar3和Ar4各自独立地表示可以具有取代基的芳香族烃基、可以具有取代基的芳香族杂环基、或者将选自可以具有取代基的芳香族烃基和可以具有取代基的芳香族杂环基中的2个以上的基团直接或经由连接基团连接多个而成的一价基团,X、Y各自独立地表示C原子或N原子,在X或Y为C原子的情况下,可以具有取代基,“-*”为与式(1)中的G键合的部位。2.根据权利要求1所述的聚合物,其中,所述G为N原子。3.根据权利要求2所述的聚合物,其中,所述式(1)所示的重复单元为下述式(2)-1~式(2)-3中的任一者所示的重复单元,
式(2)-1~式(2)-3中,A与所述式(1)中的A相同,Q表示-C(R5)(R6)-、-N(R7)-或-C(R
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)(R
12
)-C(R
13
)(R
14
)-,R1~R4各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基或可以具有取代基的芳烷基,R5~R7和R
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~R
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各自独立地表示可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的芳烷基或可以具有取代基的芳香族烃基,a、b各自独立地为0~4的整数,c1~c5各自独立地为0~3的整数,其中,c3与c5中的至少一者为1以上,d1~d4各自独立地为1~4的整数,在该重复单元中存在多个R1、R2、R3、R4时,R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。4.根据权利要求1~3中任一项所述的聚合物,其中,进一步包含下述式(3)-1~式(3)-3中的任一者所示的重复单元,
式(3)-1~式(3)-3中,Ar7不包括所述式(1)-2所示的结构A、即包含具有氮原子的特定的六元杂芳香环的基团,表示可以具有取代基的芳香族烃基或可以具有取代基的芳香族杂环基,Q表示-C(R5)(R6)-、-N(R7)-或-C...

【专利技术属性】
技术研发人员:李延军安部智宏梶山良子
申请(专利权)人:三菱化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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