低阻抗交叉点架构制造技术

描述用于低阻抗交叉点架构的方法、系统及装置。制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料，之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙。所述制造系统可在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，其中所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。上方的所述分层组合件内的高度。上方的所述分层组合件内的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低阻抗交叉点架构
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请案主张由维尼加拉(VENIGALLA)等人在2019年11月14日申请、标题为“低阻抗交叉点架构(LOW RESISTANCE CROSSPOINT ARCHITECTURE)”的第16/684,520号美国专利申请案的优先权，所述申请案已让渡给其受让人且其全部内容以引用方式明确地并入本文中。

技术介绍

[0003]下文大体上涉及一或多个存储器系统且更具体来说，涉及低阻抗交叉点架构。
[0004]存储器装置广泛用来将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置最常存储两种状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中，可存储两种以上状态。为了存取经存储信息，所述装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为了存储信息，所述装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：在包括电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料；在所述分层组合件上所述热阻障材料上方沉积第一导电材料的第一层；在所述分层组合件的第一区域处蚀刻穿过所述分层组合件以在所述第一导电材料的所述第一层、所述热阻障材料、所述存储器材料的所述图案化层及电极材料的所述图案化层中形成间隙；及在所述间隙中沉积第二导电材料以形成导电通路，所述导电通路延伸到所述热阻障材料上方的所述分层组合件内的高度。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第一导电材料的所述第一层及所述导电通路上方沉积所述第一导电材料的第二层，其中所述第二层将所述第一导电材料的所述第一层与所述导电通路耦合。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：在沉积所述第一导电材料的所述第二层之前抛光所述第一导电材料。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述间隙中沉积电介质材料，其中所述导电通路延伸穿过所述间隙中的所述电介质材料。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：在沉积所述电介质材料之前在所述分层组合件上方沉积衬里材料。6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：利用第一浆料执行第一平坦化过程，所述第一平坦化过程移除所述衬里材料的第一部分。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：利用第二浆料执行第二平坦化过程，所述第二平坦化过程移除所述衬里材料的第二部分。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述第一区域处蚀刻穿过所述分层组合件之前在所述分层组合件上方沉积盖材料。9.一种存储器装置，其包括：第一部分，其包括：第一图案化层，其包括电极材料；第二图案化层，其包括存储器材料；第三图案化层，其包括导电材料及热阻障材料；第二部分，其包括：第四图案化层，其包括穿过电介质材料的多个通路，所述第四图案化层延伸到超过所述第三图案化层中的所述热阻障材料的高度的高度；及第五图案化层，其包括所述导电材料，其中所述第五图案化层中的所述导电材料的厚度小于所述第三图案化层中的所述导电材料的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：