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描述用于低阻抗交叉点架构的方法、系统及装置。制造系统可在包含电极材料的图案化层及存储器材料的图案化层的分层组合件上沉积热阻障材料，之后沉积第一导电材料的第一层。所述制造系统可蚀刻所述分层组合件的第一区域以在所述第一导电材料的所述第一层、所述...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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