通信用低插损声表面波中频滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及应用声学中的一种声表面波中频滤波器，它以Ｙ１１２°ＬｉＴａＯ↓［３］为基片，两个叉指换能器均采用控制电极宽度单相单向换能器。两换能器加权可以都是抽指加权，也可以是一切指加权，另一为抽指加权，也可以是一切指加权，另一为不加权，还可以是一抽指加权，另一为不加权。其中反射栅加权均采用抽指加权。反射信号的强度通过改变反射栅条厚度来控制，从而控制滤波器的插入损耗。本实用新型专利技术在相对大的带宽内获得低插损。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种声表面波中频滤波器，其特征在于它在压电基片上包括有二个控制电极宽度单相单向换能器，基本材料为Ｘ切，１１２°旋转Ｙ传播钽酸锂（ＬｉＴａＯ↓［３］），其中反射栅的反射信号的强度可以通过改变栅条厚度来控制，压电基片粘接在管座上，输入或输出电极是通过引线与管脚相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何世堂，金国华，魏建辉，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]