表面声波器件制造技术

一种表面声波器件，包括：压电基板；设置在所述压电基板上的至少一个叉指式换能器；以及设置在所述压电基板上的屏蔽电极。所述叉指式换能器在面对所述屏蔽电极的边沿上具有一第一图案。所述屏蔽电极在一边沿上具有一第二图案，以与所述第一图案均匀地相隔开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及表面声波器件，更具体来说，涉及一种在一压电材料基板(后面称为压电基板)上具有一屏蔽电极和至少一个叉指式换能器(后面称为IDT)的表面声波器件。
技术介绍
近年来，将上述类型的表面声波(后面称为SAW)器件已在频率范围为30MHz到400MHz的电视机中的带通滤波器和频率范围为800MHz到几GHz的移动电话中的RF滤波器中采用。IDT包括一对梳状电极。每个梳状电极由一汇流排(bus bar)和多个电极指组成，该多个电极指具有连接到所述汇流排的第一边沿和开路的第二边沿。将一对梳状电极布置成使得这对梳状电极的多个电极指交替交叉或者按规则间距交错。换句话说，将所述多个交错电极指交替连接到两个汇流排。通过将一交流电压施加在这对梳状电极之间来产生SAW。该SAW具有这样一种频率响应，即，利用该频率响应，可获得一种具有所希望的频率特性的滤波器。图1A和1B示出了一种常规SAW器件。图1A示出了该常规SAW器件的总体原理图，而图1B示出了图1A中所示的屏蔽电极的放大图。图1A和1B中所示的SAW器件包括第一IDT 10，布置在压电基板50上；屏蔽电极20；以及第二IDT 30。将第一IDT 10、屏蔽电极20以及第二IDT30相邻地布置在SAW的传播方向上。将屏蔽电极20布置在第一IDT 10与第二IDT 30之间。例如，第一IDT 10用作输入电极，而第二IDT 30用作输出电极。屏蔽电极20防止第一IDT 10和第二IDT 30的电磁耦合。IDT 30包括一对梳状电极30a和30b。梳状电极30a包括一汇流排和多个电极指。梳状电极30b也包括一汇流排和多个电极指。电极指30a的开路边沿面对着电极指30b的开路边沿。彼此面对的交错电极指的交叉部分与SAW的激发有关。如图1B所示，对电极指图案进行加权。所述电极指图案被限定为由所述多个电极指所形成的图案。通过例如切趾法(apodization)来对电极指图案进行加权。对电极指图案的加权可以改变频率特性。IDT 10也包括一对梳状电极；但是，与IDT 30不同的是，未对IDT10进行加权。换句话说，IDT 10的多个电极指具有相等的交叉宽度。上述滤波器起到了带通滤波器的作用。这种类型的带通滤波器存在一个问题，即从IDT 30的多个电极指边沿产生了不希望的波。该不希望的波劣化了频率特性。为消除所述不希望的波，在IDT 30的靠近屏蔽电极20的一侧布置了多个防反射电极40，如图1B所示。该多个防反射电极40包括多个电极指。设置该多个电极指，以产生振幅相等而相位相反的不希望的波。这样，可以使这些不希望的波相互抵消。例如，在日本专利申请特开公报No.1982-25714(以下称为文献1)或日本专利申请特开公报No.1984-125113(以下称为文献2)中公开了上述常规技术。日本专利申请特开公报No.1998-41778(以下称为文献3)公开了一种用于消除在所述压电基板内传播的不希望的波的技术。该公开显示了布置在IDT 30的一侧的伪电极(dummy electrode)的使用。此外，日本专利申请特开公报No.1983-43608(以下称为文献4)显示了IDT 30的交叉部分具有一排列上的倾斜度，如图2所示。该倾斜排列防止了不希望的体波(bulk wave)的产生。但是，文献1、2和4中公开的技术旨在消除沿压电基板的厚度方向在输入IDT与基座(stem)之间产生的不希望的波，或者旨在消除仅在输入IDT的一侧产生的不希望的波。即使消除了上述不希望的波，还存在另一问题，即，不能实现阻带中令人满意的高衰减。另外，文献3中公开的技术不能完全消除不希望的激发，因为在IDT 30侧存在微小的交叉部分。从而，不能完全消除所述不希望的激发，因此不能使信号在阻带中充分衰减。
技术实现思路
鉴于上述情况提出了本专利技术，本专利技术提供了一种改进了阻带中的高阻尼特性的SAW器件。根据本专利技术的一方面，提供了一种表面声波器件，其包括压电基板；设置在所述压电基板上的至少一个叉指式换能器(IDT)；以及设置在所述压电基板上的屏蔽电极，并且，所述IDT具有在面对所述屏蔽电极的边沿处的第一图案，所述屏蔽电极具有在一边沿处的第二图案，以与所述第一图案均匀地相隔开。附图说明下面将参照附图对本专利技术的多个优选实施例进行详细描述，其中图1A和1B示出了一种常规SAW器件；图2示出了另一种常规SAW器件的实质部分；图3A到3C图示了本专利技术的原理；图4A和4B图示了本专利技术的原理；图5A和5B图示了本专利技术的原理；图6A到6E示出了根据第一实施例的SAW器件和一对比示例，以及该第一实施例和对比示例的基于时间的响应和频率特性；图7示出了根据第二实施例的SAW器件；图8示出了根据第三实施例的SAW器件；图9示出了根据第四实施例的SAW器件；图10示出了根据第五实施例的SAW器件；图11示出了根据第六实施例的SAW器件；图12示出了根据第七实施例的SAW器件；图13示出了根据第八实施例的SAW器件；图14示出了根据第九实施例的SAW器件；图15示出了根据第十实施例的SAW器件；图16示出了根据第十一实施例的SAW器件；图17示出了根据第十二实施例的SAW器件； 图18示出了根据第十三实施例的SAW器件；图19示出了根据第十四实施例的SAW器件；图20示出了根据第十五实施例的SAW器件；图21示出了根据第十六实施例的SAW器件；图22示出了根据第十七实施例的SAW器件；图23示出了根据第十八实施例的SAW器件；图24示出了根据第十九实施例的SAW器件；以及图25示出了根据第二十实施例的SAW器件。具体实施例方式下面将参照附图对本专利技术的多个实施例进行描述。本专利技术研究了为什么所述常规SAW滤波器不能使阻带中的频率分量充分地衰减的原因。专利技术者认为不希望的激发可能是在IDT 30的面对屏蔽电极20的边沿与屏蔽电极20的面对IDT 30的边沿之间产生的。因而，专利技术者提出了以下消除所述不希望的激发的机理。图3A到3C示出了本专利技术的原理。更具体来说，图3A示出了所述SAW器件的整体结构的示例。图3B示出了图3A中所示的屏蔽电极的放大图。图3C示出了该屏蔽电极的进一步放大的图。如图3A所示，一SAW器件包括压电基板5，布置在压电基板5上的两个IDT 1和3，以及屏蔽电极2。IDT 1是一普通电极，而IDT 3包括一例如通过切趾来加权的电极指。例如，IDT 3充当输入IDT，而IDT 1充当输出IDT。IDT 3包括一对梳状电极，将其中一个梳状电极接地，而向另一个电极提供交流电压。将被施加了所述交流电压的所述梳状电极表示为HOT侧电极。将IDT 1的成对电极对应地连接到设置在压电基板5上的焊盘上。类似地，将IDT3的成对电极对应地连接到设置在压电基板5上的焊盘上。参照图3B，将第一图案6设置在IDT 3与屏蔽电极2相邻的一侧。将第二图案7设置在屏蔽电极2的一侧，以使得第一图案7的电极指的边沿与第二图案6的电极指的边沿均匀地相隔开来。另外，将第一图案6和第二图案7布置成使得在屏蔽电极2与IDT 3之间产生的不希望的激发的总矢量强度为0。在图3B中，第一图案6和第二图案7两者都具有台阶。从而，可以说IDT 3包括第一台阶图案6，而屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面声波器件，包括：压电基板；设置在所述压电基板上的至少一个叉指式换能器；以及设置在所述压电基板上的屏蔽电极，其中：所述叉指式换能器在面对所述屏蔽电极的边沿上具有一第一图案；并且所述屏蔽电 极在一边沿上具有一第二图案，以与所述第一图案均匀地相隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：和知宽忠，田中敏文，竹崎彻，市川聪，大浦毅，和田刚一，折户悟士，
申请(专利权)人：富士通媒体部品株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]