晶体振荡器制造技术

本发明专利技术涉及一种晶体振荡器，包括晶体元件；主表面电极，由在晶体元件的两个主表面中的每个上形成的第一底层和叠加在所述第一底层上的由Ａｕ制成的第一表面层构成；端面电极，具有在晶体元件上形成以在主表面电极上延伸的第二底层和由Ａｕ制成的覆盖第二底层的第二表面层；用于在水平方向上保持所述晶体元件的支持件，通过至少包括Ａｕ的共晶合金被粘结到端面电极；支持件位于其上的基板。在端面电极的第二底层和第二表面层之间提供中间层；所述中间层在所述主表面电极上方比所述第二表面层更向中央突出；所述中间层由金属形成，该金属具有增加所述底层和所述第二表面层之间的粘结强度的特性，共晶合金也是如此。本发明专利技术提供一种晶体振荡器，其中用具有高粘结强度的共晶合金进行粘结，因此防止了电极的剥落。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种晶体振荡器，具体的说是通过采用共晶合金(eutectic alloy)保持晶体元件的晶体振荡器。
技术介绍
举例来说，晶体振荡器以其作为频率控制元件而知名，并且在例如通讯装置的振荡器中用作振荡发生器。这种晶体振荡器的一种类型是用于高稳定性用途的晶体振荡器，其中共晶合金被用作保持晶体元件，其中晶体元件被封装在金属容器内。图3表示一个现有技术中的晶体振荡器的例子，图3A是通过纵向的剖面图，图3B是其必要元件的平面图，图3C是通过纵向剖面的局部放大图。如图3所示，晶体振荡器配有一个金属基板1，支持件2，晶体元件3以及金属罩4。金属基座1具有围绕外圆周的凸缘1b和至少一对封闭电桩(sealed terminal)5穿过金属基座1的主体。在这里，两对(共四个)封闭电桩5穿过金属基座1。每个封闭电桩5的引线在晶体元件3的主表面侧伸出，引出到其另一个主表面。封闭电桩5安置于在同心圆上相互交叉的直线上。每个支持件2由例如镍(Ni)的金属形成并且是基本上为L形截面的平板。一个封闭电桩5的向基板1的一个主表面伸出的前端(引线)被通过激光焊接到其L形的水平部分。在这种情况下，L形水平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体振荡器，其包括：晶体元件；主表面电极，其由在所述晶体元件的两个主表面中的每个上形成的第一底层和叠加在所述第一底层上的由Ａｕ制成的第一表面层构成；端面电极，其具有在晶体元件上形成以在所述主表面电极上延伸的第二底 层和由Ａｕ制成的覆盖所述第二底层的第二表面层；用于在水平方向上保持所述晶体元件的支持件，所述支持件通过至少包括Ａｕ的共晶合金被粘结到所述端面电极；其上立有所述支持件的基板；其中在晶体振荡器中，在所述端面电极的第二底层 和第二表面层之间提供中间层；所述中间层在所述主表面电极上方比所述第二表面...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎贵彦，小原茂，幸喜源和，中原正阳，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]