自动溶液配制装置和半导体处理系统制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种自动溶液配制装置和半导体处理系统。所述溶液自动配制装置包括：管线；五个旋转阀，其中第一旋转阀的至少一个选用通孔接收至少一种稀释液，第二旋转阀的共用通孔通过管线与第一旋转阀的共用通孔连通，第三旋转阀的共用通孔与第四旋转阀的一个选用通孔连通，第四旋转阀的至少一个选用通孔接收至少一种原液，第五旋转阀的至少一个选用通孔通过管线与配制液容器连通，第五旋转阀的一个选用通孔通过管线连通废液收集容器或废液排放管道；第一定量环，连通于第二旋转阀的一个选用通孔和第三旋转阀的一个选用通孔之间；第二定量环，连通于第四旋转阀的共用通孔和第五旋转阀的共用通孔之间。和第五旋转阀的共用通孔之间。和第五旋转阀的共用通孔之间。

【技术实现步骤摘要】
自动溶液配制装置和半导体处理系统


[0001]本技术涉及溶液配制领域，特别涉及微量低浓度溶液的自动配制装置和半导体处理系统。

技术介绍

[0002]半导体处理需要各种不同配比的配制液，尤其需要超净、精准的由各种不同化学药液按不同比例组合的各种配制液。对于各种配制液的配制，现有技术中通常都是采用量杯对不同种的液体进行人工配制，或采用计量泵来完成配制工作，这些方式不能满足那些对污染浓度及配比精度有高标准的配制液的要求。
[0003]因此，亟待提出一种超净且更精准的自动溶液配制方案，以解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的之一在于提供一种自动溶液配制装置，其能够实现自动溶液配制，同时能满足交叉污染低，配制精确的要求。
[0005]本技术的目的之二在于提供一种半导体处理系统，其能够实现各种配方溶液的自动配制，尽可能降低交叉污染，确保配制精确。
[0006]为实现上述目的，根据本技术的第一个方面，本技术提供一种自动溶液配制装置，其包括：管线；第一旋转阀、第二旋转阀、第三旋转阀、第四旋转阀和第五旋转阀，其中每个旋转阀均包括一个共用通孔和多个选用通孔，通过受控的自动旋转所述旋转阀能够将所述共用通孔与多个选用通孔中的一个选用通孔通过内部通路连通，第一旋转阀的至少一个选用通孔通过所述管线接收至少一种稀释液，第二旋转阀的共用通孔通过管线与第一旋转阀的共用通孔连通，第三旋转阀的共用通孔与第四旋转阀的一个选用通孔通过管线连通，第四旋转阀的至少一个选用通孔接收至少一种原液，第五旋转阀的至少一个选用通孔通过管线与配制液容器连通，第五旋转阀的一个选用通孔通过管线排出废液；至少一个第一定量环，其中每个第一定量环连通于第二旋转阀的一个选用通孔和第三旋转阀的一个选用通孔之间；第二定量环，连通于第四旋转阀的共用通孔和第五旋转阀的共用通孔之间。化学溶液接触到的表面可选用聚四氟乙烯等纯净且防腐的材料。如PFA的管线、PTFE的阀门部件、聚四氟乙烯或聚丙烯的容器。
[0007]根据本技术的另一个方面，本技术提供一种半导体处理系统，其包括：半导体处理装置包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；其中，第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成
边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间；根据本技术的第一个方面提供的所述的自动溶液配制装置。
[0008]与现有技术相比，本技术通过五个旋转阀能够实现各种配方溶液的自动配制，交叉污染低，配制制比例精确。
【附图说明】
[0009]结合参考附图及接下来的详细描述，本技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：
[0010]图1为一种半导体晶圆的结构示意图；
[0011]图2为图1的E
‑
E剖视图；
[0012]图3为外缘处理前半导体晶圆的外缘部分的剖视图；
[0013]图4为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图；
[0014]图5为本技术中的半导体处理装置在第一实施例中的剖视示意图；
[0015]图6为图5中的圈A的放大示意图；
[0016]图7为图5中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；
[0017]图8为图5中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图；
[0018]图9为本技术中的半导体处理装置在第二实施例中的剖视示意图；
[0019]图10为图9中的圈B的放大示意图；
[0020]图11为图9中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；
[0021]图12为图9中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图；
[0022]图13为本技术中的流体处理装置在一个实施例的原理示意图；
[0023]图14和图15给出了本技术中的流体处理杯在一个实施例中的结构示意图；
[0024]图16和图17给出了本技术中的流体处理杯在另一个实施例中的结构示意图；和
[0025]图18示出了形成图16和图17所示的流体处理杯的杯坯件的示意图；
[0026]图19为本技术中的自动溶液配制装置在一个实施例中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0028]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本技术至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本技术中的“多个”、“若干”表示两个或两个以上。本技术中的“和/或”表示“和”或者“或”。
[0029]第一实施例：
[0030]半导体晶圆的精准边缘腐蚀工艺是一个挑战的工艺。它要求在实现晶圆边缘微米级的精准腐蚀的同时不损伤或污染保留部分的薄膜。在外延片制程中和先进集成电路制程
中，晶圆边缘腐蚀工艺是确保薄膜形成质量，提升芯片良率的重要步骤。另外，半导体晶圆的精准边缘污染提取工艺是一个挑战的工艺。它采用微量的化学混合溶液精准扫描晶圆边缘，把边缘上的污染物溶解并提取到提取溶液中。然后用检测仪器测量提取溶液中污染物的浓度，再根据公式计算出晶圆边缘单位面积上所含有的污染物的原子数量、或离子数量、或分子数量。
[0031]请参考图1至图4，其中：图1示出了一种半导体晶圆400的结构示意图，图2为图1的E
‑
E剖视图；图3为外缘处理前半导体晶圆的外缘的部分剖视图；图4为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图。如图1至图4所示，半导体晶圆400包括基材层401及形成在基材层401的第一侧表面和第二侧表面的薄膜层402。经过对半导体晶圆400的外缘部分的针对性腐蚀处理后，所述半导体晶圆400的外缘部分的薄膜层402被去除，基材层401的第一侧表面和第二侧表面得以暴露。
[0032]请参考图5至图8，其示出了本技术的第一实施例提供的半导体处理装置100的结构示意图，其中：图5为本技术中的半导体处理装置在第一实施例中的剖视示意图；图6为图5中的圈A的放大示意图；图7为图5中的半导体处理装置的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动溶液配制装置，其特征在于，其包括：管线；第一旋转阀、第二旋转阀、第三旋转阀、第四旋转阀和第五旋转阀，其中每个旋转阀均包括一个共用通孔和多个选用通孔，通过受控的自动旋转所述旋转阀能够将所述共用通孔与多个选用通孔中的一个选用通孔通过内部通路连通，第一旋转阀的至少一个选用通孔通过所述管线接收至少一种稀释液，第二旋转阀的共用通孔通过管线与第一旋转阀的共用通孔连通，第三旋转阀的共用通孔与第四旋转阀的一个选用通孔通过管线连通，第四旋转阀的至少一个选用通孔接收至少一种原液，第五旋转阀的至少一个选用通孔通过管线与配制液容器连通，第五旋转阀的一个选用通孔通过管线排出废液；至少一个第一定量环，其中每个第一定量环连通于第二旋转阀的一个选用通孔和第三旋转阀的一个选用通孔之间；第二定量环，连通于第四旋转阀的共用通孔和第五旋转阀的共用通孔之间。2.根据权利要求1所述的自动溶液配制装置，其特征在于，第一定量环为两个，两个第一定量环的容积不同，所述原液包括第一原液和第二原液，配制液溶器包括第一配制液容器和第二配制液容器，稀释液包括第一稀释液和第二稀释液，通过配制第一旋转阀、第二旋转阀、第三旋转阀能够将每种稀释液传送至两个第一定量环的任何一个中，通过配制第四旋转阀能够将每种原液传送至第二定量环，通过配制第五旋转阀能够将配制液排入每个配制液容器中。3.根据权利要求1所述的自动溶液配制装置，其特征在于，排出废液处提供真空为负压，氮气为正压。4.一种半导体处理系统，其包括：半导体处理装置包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：马杰，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：