本实用新型专利技术提供了一种流体处理装置和半导体处理系统。所述流体处理装置包括：至少两个旋转阀，每个旋转阀均包括一个共有通孔和多个可选通孔，每个旋转阀的多个可选通孔中有一个可选通孔通过管线与气体口连通，和/或有一个可选通孔通过管线与样品引入口连通，和/或有一个通过管线与清洗溶液口连通，其中有一个旋转阀的一个可选通孔通过管线与样品引出口连通；流体容器，其内部形成有腔体，其顶部开设有多个通孔，其底部设有一个或多个通孔，其中位于顶部的一个通孔通过管线与其中一个旋转阀的共有通孔连通，位于底部的一个通孔通过管线与其中另一个旋转阀的共有通孔连通。其能够自动实现对不同液体样品的精确的充分的混合，并且易于清洗。并且易于清洗。并且易于清洗。
【技术实现步骤摘要】
流体处理装置和半导体处理系统
[0001]本技术涉及流体处理领域，特别涉及流体处理装置和半导体处理系统。
技术介绍
[0002]在集成电路芯片制造生产中,几乎每道工序都有可能对晶圆表面造成污染，影响器件的性能和寿命,甚至能使整个晶圆上的大多数器件报废,造成低良率。因此，在结构较复杂的芯片制造过程中，尤其是高端小刻线的芯片制造过程，晶圆表面污染的监测和控制是确保生产良率和芯片质量的重要环节。
[0003]在半导体制造行业，存在各种各样的晶圆表面的污染检测技术，可以把他们分成物理方法和化学方法两大类。物理方法主要是利用光电原理了检测晶圆表面的污染，如全反射X荧光(TXRF)分析技术、表面光电压法(SPV)及扫描电镜(SEM)和二次离子质谱仪(SIMS)等。化学方法主要是采用微量的化学混合溶液，在晶圆表面扫描，与晶圆表面上的污染物发生化学和物理反应，将污染物溶解并收集到溶液中。选用合适的测量仪器，定性定量地测量收集到溶液里的污染元素或离子或分子的浓度。可换算成晶圆单位面积上某污染物的原子个数或离子个数或分子个数。
[0004]在高端芯片的制造过程中，非常痕量的污染，尤其是金属污染，就能导致生产良率和芯片质量的降低。污染监控是确保芯片生产良率和芯片性能质量的重要环节。污染监控的整个检测过程，包括取样和测量，每一个环节的每一步骤的洁净度决定了检测方法的检出限和准确度。尽可能地简化取样和测量步骤，减少可能的污染来源，实现全自动在线取样、测量和数据分析能确保和提升检测的能力和质量。因此，需要一个流体处理装置，该装置能够收集从污染物提取设备，如动态薄层晶圆表面污染取样设备，送出来的提取溶液，然后再把提取溶液输送给测量仪器，如电感耦合等离子体质谱仪。该装置还能够精准收集微量的多种化学溶液，进行自动混合后送给取样设备或测量仪器；还能自动进行超净清洗，确保整个过程的超净。
技术实现思路
[0005]本技术的目的之一在于提供一种流体处理装置，其能够自动实现对不同液体样品的精确的充分的混合，并且易于清洗。
[0006]本技术的目的之二在于提供一种半导体处理系统，其能够自动实现对不同液体样品的精确的收集和充分的混合，并且具有自动清洗功能，确保整个流体路线的超净状态。
[0007]为实现上述目的，根据本技术的第一个方面，本技术提供一种流体处理装置，其包括：管线；至少两个旋转阀，每个旋转阀均包括一个共有通孔和多个可选通孔，通过旋转所述旋转阀能够将所述共有通孔与多个可选通孔中的一个可选通孔通过内部通路连通，每个旋转阀的多个可选通孔中有一个可选通孔通过管线与气体口连通以接收气体，和/或有一个可选通孔通过管线与样品引入口连通以接收液体样品，和/或有一个通过管线
与清洗溶液口连通以接收清洗溶液，其中有一个旋转阀的一个可选通孔通过管线与样品引出口连通以排出液体样品；流体容器，其内部形成有腔体，其顶部开设有与所述腔体连通的多个通孔，其底部设有与所述腔体连通的一个或多个通孔，其中位于顶部的一个通孔通过管线与其中一个旋转阀的共有通孔连通，位于底部的一个通孔通过管线与其中另一个旋转阀的共有通孔连通。
[0008]根据本技术的再一个方面，本技术提供一种半导体处理系统，其包括：半导体处理装置包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；其中，第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间；如通过上文所述的流体处理装置，按工艺配方精准配制工艺需要的流体，从边缘处理通孔送入微处理空间；也能通过上述的流体处理装置，连接边缘处理通孔，收集从微处理空间出来的流体。
[0009]与现有技术相比，本技术通过流体容器和至少两个旋转阀能够自动实现对微量不同液体样品的精确收集和充分混合，并把收集和混合好的液体传送给测量仪器或自动收样器，并且易于清洗。所有流体接触的表面可选用纯净且防腐的聚四氟乙烯材料，以确保流体处理装置的超净状态。
【附图说明】
[0010]结合参考附图及接下来的详细描述，本技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：
[0011]图1为一种半导体晶圆的结构示意图；
[0012]图2为图1的E
‑
E剖视图；
[0013]图3为外缘处理前半导体晶圆的外缘部分的剖视图；
[0014]图4为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图；
[0015]图5为本技术中的半导体处理装置在第一实施例中的剖视示意图；
[0016]图6为图5中的圈A的放大示意图；
[0017]图7为图5中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；
[0018]图8为图5中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图；
[0019]图9为本技术中的半导体处理装置在第二实施例中的剖视示意图；
[0020]图10为图9中的圈B的放大示意图；
[0021]图11为图9中的半导体处理装置的第一腔室部的仰视图；
[0022]图12为图9中的半导体处理装置的第二腔室部的俯视图；
[0023]图13为本技术中的流体处理装置在一个实施例的原理示意图；
[0024]图14和图15给出了本技术中的流体容器在一个实施例中的结构示意图；
[0025]图16和图17给出了本技术中的流体容器在另一个实施例中的结构示意图；和
[0026]图18示出了形成图16和图17所示的流体容器的杯坯件的示意图。
【具体实施方式】
[0027]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0028]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指与所述实施例相关的特定特征、结构或特性至少可包含于本技术至少一个实现方式中。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非必须都指同一个实施例，也不必须是与其他实施例互相排斥的单独或选择实施例。本技术中的“多个”、“若干”表示两个或两个以上。本技术中的“和/或”表示“和”或者“或”。
[0029]第一实施例：
[0030]半导体晶圆的精准边缘腐蚀工艺是一个挑战的工艺。它要求在实现晶圆边缘微米级的精准腐蚀的同时不损伤或污染保留部分的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种流体处理装置，其特征在于，其包括：管线；至少两个旋转阀，每个旋转阀均包括一个共有通孔和多个可选通孔，通过旋转所述旋转阀能够将所述共有通孔与多个可选通孔中的一个可选通孔通过内部通路连通，每个旋转阀的多个可选通孔中有一个可选通孔通过管线与气体口连通以接收气体，和/或有一个可选通孔通过管线与样品引入口连通以接收液体样品，和/或有一个通过管线与清洗溶液口连通以接收清洗溶液，其中有一个旋转阀的一个可选通孔通过管线与样品引出口连通以排出液体样品；和流体容器，其内部形成有腔体，其顶部开设有与所述腔体连通的一个或多个通孔，其底部设有与所述腔体连通的一个或多个通孔，其中位于顶部的一个通孔通过管线与其中一个旋转阀的共有通孔连通，位于底部的一个通孔通过管线与其中另一个旋转阀的共有通孔连通。2.根据权利要求1所述的流体处理装置，其特征在于，所述流体容器的位于顶部的一个通孔通过管线与第一废物出口连通，以排出废气/废液；与所述流体容器的位于底部的通孔连通的旋转阀的一个可选通孔通过管线与第二废物出口，以排出废气/废液。3.根据权利要求1所述的流体处理装置，其特征在于，所述流体容器包括杯体和杯盖，所述杯盖与所述杯体可通过螺纹拧紧密封，所述杯体内定义形成有腔体，所述杯盖上开设有与所述腔体连通的多个通孔，所述杯体的底部也设置有一个与所述腔体连通的通孔，所述通孔与所述腔体连通，或者；所述流体容器包括杯体、位于杯体一端的杯头部和位于杯体另一端的杯尾部，所述杯体内定义形成有腔体，所述杯头部上开设有多个与所述腔体连通的通孔，所述杯尾部上开设有多个与所述腔体连通的通孔，流体容器是由两个杯坯件焊接在一起而形成的。4.一种半导体处理系统，其包括：半导体处理装...
【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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