高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法技术

本发明专利技术涉及到电池的技术领域，公开了高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法，其中的方法，包括步骤有，S1制备正极片，通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物，喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S2制备负极片，使用石墨与ACET混合制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S3然后使用硅锗半导体做隔膜的材料；S4然后将正极片、负极片、隔膜与电解质叠层制作单体电池并在外表面覆膜。在外表面覆膜。在外表面覆膜。

High density silicon Lithium Tantalum battery and its manufacturing process

【技术实现步骤摘要】
高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法


[0001]本专利技术涉及电池
，具体为高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法。

技术介绍

[0002]最相关现有技术中公开了一种硅锂钽电池，其包括正极片、负极片、电解质，其壳体内还设有钽电容，所述钽电容并联在正极片和负极片之间，所述正极片包括以下组分：锂钴酸镍、锂钴酸氧化物、钽氧化物，其中锂钴酸镍、锂钴酸氧化物、钽氧化物的质量比为1:1:1,正极片的制备方法如下：锂钴酸氧化物、钽氧化物通过激光喷涂的方式喷涂在锂钴酸镍表面，相较于传统锂电池和铅酸电池，该技术之中的能量密度大幅提升，但其能量密度还不够优化，且综合的性能不好，主要的原因在于其正极片的制备中激光喷涂的方式不够精细，并且负极片的制备也不够优化。

技术实现思路

[0003]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：高密度硅锂钽电池制作工艺方法，包括步骤有，S1制备正极片，通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物，喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密度硅锂钽电池制作工艺方法，其特征在于：包括步骤有，S1制备正极片，通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物，喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S2制备负极片，使用石墨与ACET混合制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压，最后再切割；S3然后使用硅锗半导体做隔膜的材料；S4然后将正极片、负极片、隔膜与电解质叠层制作单体电池并在外表面覆膜。2.根据权利要求1所述的高密度硅锂钽电池制作工艺方法，其特征在于：所述的通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，具体为，喷涂的过程中配置间隔的时间和单次喷涂的时间以提高电池能量密度性能。3.根据权利要求1所述的高密度硅锂钽电池制作工艺方法，其特征在于：所述的制备负极片，使用石墨与ACET混合制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压过程中同时配置高温固化的温度大小、加压的压强大小。4.根据权利要求1所述的高密度硅锂钽电池制作工艺方法，其特征在于：所述的通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物具体喷涂的过程中配置间隔的时间和单次喷涂的时间，同时地，所述的制备负极片，使用石墨与ACET混合制作为膏体，然后铺平面之后经过高温固化、加压过程中同时配置高温固化的温度大小、加压的压强大小，以提高电池的综合性能。5.根据权利要求4所述的高密度硅锂钽电池制作工艺方法，其特征在于：所述的通过激光在钴酸锂...

【专利技术属性】
技术研发人员：高小建，李志锋，
申请(专利权)人：深圳鑫鹏能技术科技有限公司，
类型：发明
国别省市：