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本发明涉及到电池的技术领域，公开了高密度硅锂钽电池及其制作工艺方法，其中的方法，包括步骤有，S1制备正极片，通过激光在钴酸锂基材表面喷涂钽氧化物，喷涂钽氧化物过程中控制均匀喷涂，所述的钴酸锂基材在制备之中使用钴酸锂与NCM三元材料制作为膏体...该专利属于深圳鑫鹏能技术科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳鑫鹏能技术科技有限公司授权不得商用。
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