存储器及存储器的形成方法技术

一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。所述存储器的性能得到提升。器的性能得到提升。器的性能得到提升。

Memory and memory forming method

【技术实现步骤摘要】
存储器及存储器的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器及存储器的形成方法。

技术介绍

[0002]在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个重要类型。而在存储器中，近年来快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息，且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因此，在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。
[0003]快闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)快闪存储器和分栅(split gate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。
[0004]然而，现有的分栅快闪存储器的性能较差。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接；位于所述第一栅极结构表面的介质结构；位于所述介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；位于第三区上的字线栅极结构。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于浮栅极结构上的擦除栅极结构，所述擦除栅极结构暴露出所述浮栅极结构顶部顶表面；所述第一侧墙位于擦除栅极结构上。3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括：位于擦除栅极结构侧壁表面的隔离结构；所述第一栅极结构位于所述隔离结构表面，所述第一栅极结构与所述浮栅极结构电连接。4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，部分所述隔离结构还位于所述擦除栅极结构上。5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述隔离结构在沿所述第一区、第二区和第三区排列方向上的截面图形为“L“型。6.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述第一栅极结构包括位于隔离结构表面的第一栅极层以及位于第一栅极层表面和位于隔离结构上的第二栅极层，所述第二栅极层位于所述浮栅极结构上。7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述源线结构包括位于介质结构表面的第一源线层以及位于第一源线层表面和第一区表面的第二源线层。8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于第一区内的第一掺杂区；所述源线结构与第一掺杂区电连接。9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，还包括：位于第一区内和第二区内的第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第二掺杂区内，所述第一掺杂区的导电类型与第二掺杂区的导电类型相反。10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述第二掺杂区的导电类型为P型，所述第一掺杂区的导电类型为N型。11.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，还包括：位于第一侧墙侧壁表面、擦除栅结构侧壁表面以及浮栅极结构侧壁表面的第二侧墙。12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述字线栅极结构包括：位于第二侧墙侧壁表面和第三区表面的字线栅介质层，以及位于字线栅介质层表面的字线栅极层。13.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底还包括第四区，所述第三区位于第二区和第四区之间；还包括：位于所述第三区和第四区内的第三掺杂区。14.如权利要求13所述的存储器，其特征在于，还包括：位于源线结构顶部表面的第一电连接结构；位于字线栅极结构顶部表面的第二电连接结构；位于第四区表面的第三电连
接结构，所述第三电连接结构与第三掺杂区电连接。15.如权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述衬底包括存储区和外围区，所述存储区包括第一区、第二区、第三区和第四区；还包括：位于外围区上的控制栅极结构；位于控制栅极结构两侧的衬底内的源漏掺杂区。16.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于字线栅极结构侧壁的第三侧墙。17.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述浮栅极结构包括浮栅介质层和位于浮栅介质层上的浮栅极层；所述擦除栅极结构包括擦除栅介质层和位于擦除栅介质层上的擦除栅极层。18.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间，所述衬底上具有浮栅极结构材料层；在浮栅极结构材料层上形成掩膜结构，所述掩膜结构内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述第一区上和第二区上的浮栅极结构材料层顶部表面；在第一开口侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙位于所述第二区上的浮栅极结构材料层顶部表面；以所述第一侧墙和掩膜结构为掩膜，去除所述第一开口底部的部分浮栅极结构材料层，形成初始浮栅极结构，并形成位于初始浮栅极结构侧壁表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述初始浮栅极结构电连接；在所述第一栅极结构表面形成介质结构和位于介质结构表面的源线结构，所述源线结构还位于所述第一区表面；形成源线结构之后，去除所述第三区上和第四区上的掩膜结构和初始浮栅极结构，在第二区上形成浮栅极结构；在第三区上形成字线栅极结构。19.如权利要求18所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述衬底上还具有位于浮栅极结构材料层上的擦除栅极结构材料层；所述第一开口暴露出所述第一区上和第二区上的擦除栅极结构材料层顶部表面；所述第一侧墙位于所述第二区上的擦除栅极结构材料层顶部表面。20.如权利要求19所述的存储器的形成方法，其特征在于，在所述第一栅极结构表面形成介质结构和位于介质结构表面的源线结构之前，以所述第一侧墙和掩膜结构为掩膜，去除所述第一开口底部的部分擦除栅极结构材料层和浮栅极结构材料层，形成初始擦除栅极结构和初始浮栅极结构，并形成位于初始擦除栅极结构侧壁表面的隔离结构以及位于隔离结构表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述初始浮栅极结构电连接。21.如权利要求20所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成源线结构之后，去除所述第三区上和第四区上的掩膜结构、初始擦除栅极结...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰寒，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：