温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储器及存储器的形成方法，存储器包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区两侧，且所述第二区位于第一区和第三区之间；位于衬底第二区上的浮栅极结构；位于浮栅极结构上的第一侧墙；位于浮栅极结构侧壁的第一栅极结构，所...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。