一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法技术

本发明专利技术提供了一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法，属于贝类繁育技术领域，包括稚贝培育和中苗培育。采用本发明专利技术提供的方法，能够实现仙女蛤的规模养殖，仙女蛤亲贝的催产排放率为60％，受精率为85％，孵化率为90％，幼虫变态率在50％以上；且成活率达30％以上，在仙女蛤的壳生长至2～3cm时，可移至自然海域养殖。可移至自然海域养殖。

An artificial breeding method of large-scale seedlings of Meretrix Andromeda

【技术实现步骤摘要】
一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法


[0001]本专利技术属于贝类繁育
，尤其涉及一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法。

技术介绍

[0002]仙女蛤隶属于软体动物门、瓣鳃纲、帘形目、帘蛤科。中国主要分布在浙江、福建、广东、广西和台湾海域，国外主要分布于日本、西太平洋等。中国仙女蛤在含有贝壳的软质底最多，主要栖息于潮间带下部至浅海的砂质海底，营埋栖生活。中国仙女蛤作为极具开发前景的海水经济贝类之一，但近几年中国仙女蛤在自然海区遭到掠夺性的采捕，野生资源日趋枯竭，目前市场价格高达80～120元/kg。
[0003]目前，国内已采用阴干、碘钨灯照射提高亲贝体温、流水刺激相结合的物理综合刺激方法催产中国仙女蛤并培育出小规格稚贝，未见中国仙女蛤大规格苗种人工繁育方法的相关报道。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法，采用本专利技术提供的人工繁育方法能够实现仙女蛤大规模苗种的人工得到的仙女蛤的壳生长至2～3cm时，即可移到自然海区养殖。
[0005]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了以下技术方案：
[0006]本专利技术提供了一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法，包括以下步骤：
[0007]1)对饲养得到的仙女蛤稚贝进行培育，每隔1～2d更换50％新水，当所述稚贝的壳长至1～2mm时进行倒池，去除附着基质，继续培育3～5个月，得到壳长大于1cm的中苗；
[0008]2)将所述步骤1)中壳长大于1cm的中苗在温度为20～30℃、盐度为28～31的条件下培养4～6个月，得到壳长至2～3cm的仙女蛤。
[0009]优选的，所述步骤1)中继续培育的温度为18～32℃，盐度为28～31。
[0010]优选的，对所述步骤1)培养得到的仙女蛤稚贝进行培育时，饵料包括金藻、角毛藻和扁藻中的一种或几种，所述饵料的投喂量为8～10
×
104cell/mL，所述培育的密度为20～50万粒/m2；
[0011]所述培养得到的仙女蛤稚贝培育1～2周后，投喂池塘藻水，当池塘藻水不足时，投喂金藻、角毛藻和扁藻。
[0012]优选的，所述步骤2)培养中壳长大于1cm的中苗的初始密度为10～30万粒/m2。
[0013]优选的，所述仙女蛤稚贝的饲养方法包括如下步骤：
[0014]将性腺饱满的仙女蛤亲贝经催产、受精和孵化得到D形幼虫；
[0015]将所述D形幼虫培育至匍匐幼虫，当所述匍匐幼虫的壳长至180～200μm、无眼点，50％以上的匍匐幼虫将足部伸出体外探索时，附着培养，得到仙女蛤稚贝。
[0016]优选的，所述催产的方法包括阴干和升温5～10℃；所述阴干的时长为8～10h；
[0017]所述孵化的时长为18～22h。
[0018]优选的，所述仙女蛤亲贝的选择标准包括：所述仙女蛤亲贝的体重为34～69g，所述仙女蛤亲贝的壳高为40～51mm。
[0019]优选的，所述受精包括在水中排放精卵后受精，得到受精卵；
[0020]所述受精过程中水的温度低于仙女蛤亲贝的体温5～10℃。
[0021]优选的，所述受精卵在水中的密度为5～10个/mL；所述水的温度为25～30℃，所述水的盐度为25～30。
[0022]优选的，所述附着培养的基质包括细砂，所述细砂的粒径小于80μm，所述投放基质的厚度小于1mm。
[0023]有益效果：
[0024]本专利技术提供了一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法，包括以下步骤：1)对仙女蛤稚贝进行培育，每隔1～2d更换50％新水，当所述稚贝的壳长至1～2mm时进行倒池，去除附着基质，继续培育3～5个月，得到壳长大于1cm的中苗；2)将所述步骤1)中壳长大于1cm的中苗在温度为20～30℃、盐度为28～31的条件下培养4～6个月，得到壳长至2～3cm的仙女蛤。采用本专利技术提供的方法，能够实现仙女蛤的规模养殖，仙女蛤亲贝的催产排放率为60％，受精率为85％，孵化率为90％，幼虫变态率在50％以上；且成活率达30％以上，在仙女蛤的壳生长至2～3cm时，可移至自然海域养殖。
具体实施方式
[0025]本专利技术提供了一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法，包括以下步骤：
[0026]1)对仙女蛤稚贝进行培育，每隔1～2d更换50％新水，当所述稚贝的壳长至1～2mm时进行倒池，去除附着基质，继续培育3～5个月，得到壳长大于1cm的中苗；
[0027]2)将所述步骤1)中壳长大于1cm的中苗在温度为20～30℃、盐度为28～31的条件下培养4～6个月，得到壳长至2～3cm的仙女蛤。
[0028]本专利技术对仙女蛤稚贝进行培育，每隔1～2d更换50％新水，当所述稚贝的壳长至1～2mm时进行倒池，去除附着基质，继续培育3～5个月，得到壳长大于1cm的中苗。
[0029]本专利技术所述仙女蛤稚贝的饲养方法包括如下步骤：
[0030]将性腺饱满的仙女蛤亲贝经催产、受精和孵化得到D形幼虫；
[0031]将所述D形幼虫培育至匍匐幼虫，当所述匍匐幼虫的壳长至180～200μm、无眼点，50％以上的匍匐幼虫将足部伸出体外探索时，附着培养，得到仙女蛤稚贝。
[0032]本专利技术优选将性腺饱满的仙女蛤亲贝经催产、受精和孵化得到D形幼虫。
[0033]在本专利技术中，所述仙女蛤亲贝在阴干前优选将亲贝洗净。本专利技术对仙女蛤亲贝的雌贝和雄贝的数量比没有特殊限定。
[0034]在本专利技术中，所述仙女蛤亲贝的选择标准优选包括：所述仙女蛤亲贝的体重优选为34～69g，更优选为40～60g；所述仙女蛤亲贝的壳高优选为40～51mm。在本专利技术中，所述仙女蛤亲贝优选活力好、体质健壮和无损伤的仙女蛤。本专利技术优选将所述仙女蛤亲贝放在面积为20～30亩的室外土池中进行强化培育，强化培育的目的是使得仙女蛤亲贝的性腺饱满。本专利技术对所述强化培育的方法没有特殊限定，采用常规强化培育方法使得仙女蛤亲贝达到性腺饱满即可。本专利技术对室外土池中对虾和仙女蛤亲贝的饲养密度和比例没有特殊限
定。在本专利技术中，所述强化培育的时间优选为1～2个月。
[0035]本专利技术所述催产的方法优选包括阴干和升温5～10℃。本专利技术所述阴干的时长优选为8～10h，更优选为9h。本专利技术所述升温的温度进一步优选为7～8℃。本专利技术所述孵化的时长优选为18～22h，更优选为20h。
[0036]本专利技术所述受精优选包括排放精卵后受精，所述排放精卵优选在育苗池中进行，所述育苗池中的水的深度优选为1m。在本专利技术中，所述育苗池中的水的温度优选低于仙女蛤亲贝的体温(贝壳表面温度)5～10℃。在本专利技术中，所述育苗池中的水的温度优选为25～30℃，更优选为27.5℃；所述育苗池的盐度优选为25～30，更优选为27.2。在本专利技术中，所述仙女蛤亲贝排放精卵完毕后，将仙女蛤亲贝移除育苗池，并将仙女蛤亲贝留下的排泄物清除掉。
[0037]得到所述D形幼虫后，本专利技术优本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种仙女蛤大规格苗种的人工繁育方法，其特征在于，包括以下步骤：1)对饲养得到的仙女蛤稚贝进行培育，每隔1～2d更换50％新水，当所述稚贝的壳长至1～2mm时进行倒池，去除附着基质，继续培育3～5个月，得到壳长大于1cm的中苗；2)将所述步骤1)中壳长大于1cm的中苗在温度为20～30℃、盐度为28～31的条件下培养4～6个月，得到壳长至2～3cm的仙女蛤。2.根据权利要求1所述的人工繁育方法，其特征在于，所述步骤1)中继续培育的温度为18～32℃，盐度为28～31。3.根据权利要求1所述的人工繁育方法，其特征在于，所述步骤1)对培养得到的仙女蛤稚贝进行培育时，饵料包括金藻、角毛藻和扁藻中的一种或几种，所述饵料的投喂量为8～10
×
104cell/mL，所述培育的密度为20～50万粒/m2；所述培养得到的仙女蛤稚贝培育1～2周后，投喂池塘藻水，当池塘藻水不足时，投喂金藻、角毛藻和扁藻。4.根据权利要求1所述的人工繁育方法，其特征在于，所述步骤2)培养中壳长大于1cm的中苗的初始密度为10～30万粒/m2。5.根据权利要求1所述的人工繁育方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：江泽贵，朱李贤，
申请(专利权)人：世倍厦门海洋科技有限公司，
类型：发明
国别省市：