一种熔炼调压控制系统技术方案

本说明书一个或多个实施例提供一种熔炼调压控制系统，通过设置单向可控硅控制器，解决传统工频熔炼调压柜中设置接触器和电容进行调压带来的电火花、无法无极调节的问题，为了解决单向可控硅带来的电流不平衡问题，设置了SVG无功补偿装置，对电路进行补偿，为了解决SVG无功补偿装置在使用过程中易烧坏的问题，将原有电路中作为功率电阻的感性电阻变换为阻性电阻。阻性电阻。阻性电阻。

A smelting pressure regulating control system

【技术实现步骤摘要】
一种熔炼调压控制系统


[0001]本说明书一个或多个实施例涉及熔炼炉控制
，尤其涉及一种熔炼调压控制系统。

技术介绍

[0002]熔炼炉在工作过程中，为了保持熔炼温度的恒定，需要对熔炼线圈的电压进行调节，传统的熔炼调压系统，是通过在调压柜中设置调压变压器以及多个交流接触器和多个电容，实现熔炼炉的电压调节，但每次进行调压时，接触器都会带载投切并产生电火花(拉弧现象)，对调压系统的安全性带来很大隐患，且调节幅度与接触器的设置数量以及调压器抽头数量有关，无法实现无极调节，为了保障熔炼温度的稳定，往往需要工作人员时刻关注熔炼炉的实时温度，反复开关接触器进行调压，既耗费人力，对整个设备的寿命也会产生损害。熔炼炉在运行时，三相不平衡严重，功率因数低等，对车间变压器的影响大，因此需要一种更加安全合理的熔炼调压系统。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种熔炼调压控制系统，以解决上述提出的全部或其中一个技术问题。
[0004]基于上述目的，本说明书一个或多个实施例提供了一种熔炼调压控制系统，包括进线电路，进线电路连接有第一支路，第一支路的A相连接有第一单向可控硅控制器，第一单向可控硅控制器的输出端与第一支路的C相共同连接至第一负载电路，第一负载电路连接至第一熔炼线圈，第一负载电路在第一熔炼线圈的上端还连接有第一功率电阻；
[0005]进线电路在第一支路的上端连接有SVG无功补偿装置，SVG无功补偿装置与第一支路并联，第一功率电阻为阻性电阻。
[0006]优选地，本系统还包括第二支路，第二支路与第一支路并联后，连接至进线电路，第二支路的A相连接有第二单向可控硅控制器，第二单向可控硅控制器的输出端与第二支路的C相共同连接至第二负载电路，第二负载电路连接至第二熔炼线圈，第二负载电路在第二熔炼线圈的上端还连接有第二功率电阻，第二功率电阻为阻性电阻。
[0007]优选地，进线电路中连接有进线断路器，第一支路和第二支路中分别连接有第一分断路器和第二分断路器，第一分断路器和第一单向可控硅控制器之间还串接有第一交流接触器，第二分断路器和第二单向可控硅控制器之间还串接有第二交流接触器。
[0008]优选地，第一交流接触器和第二交流接触器均为4极接触器，第一支路和第二支路的A相接至4极接触器的其中两极，再从此两极的出线端并接后接至对应的单向可控硅控制器，第一支路和第二支路的C相接至4极接触器的另两极，再从此两极的出线端并接后接至对应的负载电路。
[0009]优选地，SVG无功补偿装置包括多个并联的三极塑壳断路器，各三级塑壳断路器的进线端接至进线电路，出线端分别连接有一台SVG无功补偿器，SVG无功补偿器内部设置有
绝缘栅双极型晶体管，SVG无功补偿器利用内部绝缘栅双极型晶体管发射反向谐波，使电源波形的畸变率符合设定标准，并使三相电流平衡。
[0010]优选地，进线电路还并接有多费率计量表。
[0011]优选地，本系统还包括PID控制器，PID控制器的输入端连接有温度传感器，温度传感器安装在熔炼炉中，PID控制器的输出端连接至第一单向可控硅控制器作输入用。
[0012]优选地，SVG无功补偿器的额定功率选择为熔炼炉额定功率的5～8倍。
[0013]从上面所述可以看出，本说明书一个或多个实施例提供的熔炼调压控制系统，通过设置单向可控硅控制器，解决传统工频熔炼调压柜中设置接触器和电容进行调压带来的电火花、无法无极调节的问题，为了解决单向可控硅带来的电流不平衡问题，设置了SVG无功补偿装置，对电路进行补偿，为了解决SVG无功补偿装置在使用过程中易烧坏的问题，将原有电路中作为功率电阻的感性电阻变换为阻性电阻。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本说明书一个或多个实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本说明书实施例的熔炼调压控制系统电路原理图。
具体实施方式
[0016]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，对本公开进一步详细说明。
[0017]需要说明的是，除非另外定义，本说明书一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本说明书一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0018]本说明书实施例提供一种熔炼调压控制系统，包括进线电路，进线电路连接有第一支路，第一支路的A相连接有第一单向可控硅控制器，第一单向可控硅控制器的输出端与第一支路的C相共同连接至第一负载电路，第一负载电路连接至第一熔炼线圈，第一负载电路在第一熔炼线圈的上端还连接有第一功率电阻R1；
[0019]进线电路在第一支路的上端连接有SVG无功补偿装置，该无功补偿装置与第一支路并联；
[0020]第一功率电阻R1为阻性电阻。
[0021]本说明书实施例提供的熔炼调压控制系统，通过设置单向可控硅控制器，解决传统工频熔炼调压柜中设置接触器和电容进行调压带来的电火花、无法无极调节的问题，为
了解决单向可控硅带来的电流不平衡问题，设置了SVG无功补偿装置，对电路进行补偿，为了解决SVG无功补偿装置在使用过程中易烧坏的问题，将原有电路中作为功率电阻的感性电阻变换为阻性电阻。
[0022]作为一种实施方式，系统还包括第二支路，第二支路与第一支路并联后，连接至进线电路，第二支路的A相连接有第二单向可控硅控制器，第二单向可控硅控制器的输出端与第二支路的C相共同连接至第二负载电路，第二负载电路连接至第二熔炼线圈，第二负载电路在第二熔炼线圈的上端还连接有第二功率电阻R2。
[0023]上述第一功率电阻R1和第二功率电阻R2均为阻性电阻。
[0024]通过上述设置，本系统可以同时对两个负载，即两组熔炼线圈进行调压控制，同样的，在需要调压控制多组熔炼线圈时，也可以按照同样方式设置多组支路、单向可控硅控制器。
[0025]作为一种实施方式，进线电路中连接有进线断路器QF1，第一支路和第二支路中分别连接有第一分断路器QF2和第二分断路器QF3，第一分断路器QF2和第一单向可控硅控制器之间还串接有第一交流接触器KM1，第二分断路器QF3和第二单向可控硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种熔炼调压控制系统，其特征在于，包括进线电路，所述进线电路连接有第一支路，所述第一支路的A相连接有第一单向可控硅控制器，所述第一单向可控硅控制器的输出端与所述第一支路的C相共同连接至第一负载电路，所述第一负载电路连接至第一熔炼线圈，所述第一负载电路在所述第一熔炼线圈的上端还连接有第一功率电阻；所述进线电路在所述第一支路的上端连接有SVG无功补偿装置，所述SVG无功补偿装置与所述第一支路并联，所述第一功率电阻为阻性电阻。2.根据权利要求1所述的熔炼调压控制系统，其特征在于，所述系统还包括第二支路，所述第二支路与所述第一支路并联后，连接至所述进线电路，所述第二支路的A相连接有第二单向可控硅控制器，所述第二单向可控硅控制器的输出端与所述第二支路的C相共同连接至第二负载电路，所述第二负载电路连接至第二熔炼线圈，所述第二负载电路在所述第二熔炼线圈的上端还连接有第二功率电阻，所述第二功率电阻为阻性电阻。3.根据权利要求2所述的熔炼调压控制系统，其特征在于，所述进线电路中连接有进线断路器，所述第一支路和所述第二支路中分别连接有第一分断路器和第二分断路器，所述第一分断路器和所述第一单向可控硅控制器之间还串接有第一交流接触器，所述第二分断路器和所述第二单向可控硅控制器之间还串接有第二交流接触器。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞龙，周世龙，刘念培，樊金金，张文帅，蔡立志，
申请(专利权)人：芜湖楚江合金铜材有限公司，
类型：发明
国别省市：