射频信号前置放大电路制造技术

本发明专利技术揭示一种射频信号前置放大电路，该放大电路可与解码器集成到同一ＩＣ中，包括第一ＭＯＳ晶体管（Ｍ１），第二ＭＯＳ晶体管（Ｍ２），第三ＭＯＳ晶体管（Ｍ３）及第四ＭＯＳ晶体管（Ｍ４），其中第一ＭＯＳ晶体管及第二ＭＯＳ晶体管的栅极相互连接在一起，以形成差分放大对而对输入信号进行放大；第三ＭＯＳ晶体管及第四ＭＯＳ晶体管的源极与栅极也分别连接在一起，且第四ＭＯＳ晶体管的漏极与栅极也相连接以形成电流镜电路；待放大的输入信号及放大后的输出信号分别连接在第一晶体管的源极及漏极上，本发明专利技术放大电路耗电低，稳定性佳，且可以增大信号的收发距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种放大电路，尤其涉及利用集成电路设计的射频信号的 前置放大电路。
技术介绍
当今，在生产和生活中大量使用无线射频(RF)遥控装置，比如汽车 安全系统、车库控制、数码遥控门铃、遥控玩具和工业控制等等，使生产 效率和生活质量得到很大提高；该类遥控装置一般包括发射装置和接收装 置两部分，对发射装置部分而言， 一采用低功耗器件，提高发射端发射效率;而对接收装置而言，采用多级放大、超再生接收技术后进行解码以降低 噪声影响等，然目前市场上的RF接收解码系统大多如图l所示，通过超再 生模块接收解调后送往RF信号处理模块进行放大，最后给解码IC。而RF 信号处理模块采用大量的分立器件(图1虚框)，系统复杂繁琐，稳定性差， 生产周期长，成本较高。通用放大器358是双极(Bipolar)工艺的，其工 作电压为5V，工作电流大，导致系统功耗大。由于分立器件特性的离散性， 即其性能一致性不好，从而导致接收解码系统性能不稳定，使不同成品的 正确解码的距离时近时远。另有采用MOS管栅上加输入信号而形成的放大器，由于超再生解调后 的信号小到毫伏(mV)级，这需要集成多数的电阻电容，而在IC中集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频信号前置放大电路，其特征在于：该放大电路包括第一ＭＯＳ晶体管（Ｍ１），第二ＭＯＳ晶体管（Ｍ２），第三ＭＯＳ晶体管（Ｍ３）及第四ＭＯＳ晶体管（Ｍ４），其中第一ＭＯＳ晶体管（Ｍ１）及第二ＭＯＳ晶体管（Ｍ２）的栅极相互连接在一起，以形成差分放大对而对输入信号进行放大；第三ＭＯＳ晶体管（Ｍ３）及第四ＭＯＳ晶体管（Ｍ４）的漏极分别与第一ＭＯＳ晶体管（Ｍ１）及第二ＭＯＳ晶体管（Ｍ２）的漏极相连，且第三ＭＯＳ晶体管（Ｍ３）及第四ＭＯＳ晶体管（Ｍ４）的源极与栅极也分别连接在一起，同时第四ＭＯＳ晶体管（Ｍ４）的漏极与栅极也相连接以形成电流镜电路；待放大的输入信号（ＩＮ）及放大后的输出信号（ＧＧ＿ＯＵＴ）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志明，杜坦，石万文，江石根，
申请(专利权)人：苏州市华芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]