一种多路基准电压复用电路制造技术

技术编号:34032889 阅读:16 留言:0更新日期:2022-07-06 11:34
本实用新型专利技术提供一种多路基准电压复用电路,包括:电压电流转换模块、电流单路转多路模块和电流转电压模块,所述电压电流转换模块的输入端与基准电压源的输出端连接,所述电压电流转换模块的输出端与电流单路转多路模块的输入端连接,所述电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接,所述电流转电压模块的输出端与各个分支电路的输入端连接;本实用新型专利技术具有以下有益效果:通过运算放大器和场效应管可以将基准电压源输出的电压信号转化成电流信号,然后使用电流镜电路把电流信号分别进行多路镜像,形成多路的电流信号,由于电流镜电路具有很高的输出阻抗,高输出阻抗具有更好的抗噪声性能和防止噪声回灌性能。具有更好的抗噪声性能和防止噪声回灌性能。具有更好的抗噪声性能和防止噪声回灌性能。

A multiplex reference voltage multiplexing circuit

【技术实现步骤摘要】
一种多路基准电压复用电路


[0001]本技术涉及基准电压源
,特别是涉及一种多路基准电压复用电路。

技术介绍

[0002]数控基准电压源是当代模拟集成电路极为重要的组成部分,它为串联型稳压电路、A/D 和D/A转化器提供基准电压,也是大多数传感器的稳压供电电源或激励源,基准电压源也可作为标准电池、仪器表头的刻度标准和精密电流源,几乎在所有先进的电子产品中都可以找到电压基准源,它们可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。
[0003]基准电压源需要在很多子模块电路中共用时,由于每个子模块电路的特性不同,会产生不同的噪声,如果对于基准电压源不进行隔离,每个子模块电路产生的噪声会回灌到基准电压源,从而产生由于基准电压源引起的互相扰动,典型电压基准复用电路如图8所示,为了抑制子模块电路的噪声回灌,在每一路都会加入RC低通滤波器,来抑制噪声的互扰,由于RC的抑制能力有限,所以不能达到很好的噪声抑制效果。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种多路基准电压复用电路,用于解决现有技术中子模块电路产生的噪声回灌基准电压源的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供一种多路基准电压复用电路,包括:电压电流转换模块、电流单路转多路模块和电流转电压模块,所述电压电流转换模块的输入端与基准电压源的输出端连接,所述电压电流转换模块的输出端与电流单路转多路模块的输入端连接,所述电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接,所述电流转电压模块的输出端与各个分支电路的输入端连接,其中,所述电流单路转多路模块由电流镜电路组成。
[0006]于本技术的一实施例中,所述电压电流转换模块包括第一电压电流转换单元和第二电压电流转换单元,所述第一电压电流转换单元的输入端与基准电压源的输出端连接,所述第一电压电流转换单元输出端与电流单路转多路模块的输入端连接,所述第二电压电流转换单元的输入端与基准电压源的输出端连接,所述第二电压电流转换单元输出端与电流单路转多路模块的输入端连接。
[0007]于本技术的一实施例中,所述第一电压电流转换单元包括:第一运算放大器、第一NMOS管和第一电阻,所述第一运算放大器的同相输入端与基准电压源的输出端连接,所述第一运算放大器的反相输入端与第一NMOS管的源极连接,所述第一运算放大器的输出端与第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的漏极与电流单路转多路模块的输入端连接,所述第一NMOS管的源极通过第一电阻接地;
[0008]所述第二电压电流转换单元包括:第二运算放大器、第一PMOS管和第二电阻,所述第二运算放大器的同相输入端与基准电压源的输出端连接,所述第二运算放大器的反相输入端与第一PMOS管的源极连接,所述第一运算放大器的输出端与第一PMOS管的栅极连接,
所述第一PMOS管的漏极与电流单路转多路模块的输入端连接,所述第一PMOS管的源极通过第二电阻与第一电压源的输出端连接。
[0009]于本技术的一实施例中,所述电流单路转多路模块包括第一电流单路转多路单元和第二电流单路转多路单元,所述第一电流单路转多路模块的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第一电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接,所述第二电流单路转多路模块的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第二电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接。
[0010]于本技术的一实施例中,所述第一电流单路转多路单元包括第一电流单路转多路子单元和多个第二电流单路转多路子单元,所述第一电流单路转多路子单元的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第一电流单路转多路子单元的输出端与第二电流单路转多路子单元的输入端连接,所述第二电流单路转多路子单元的输出端与电流转电压模块的输入端连接。
[0011]于本技术的一实施例中,所述第二电流单路转多路单元包括第三电流单路转多路子单元和多个第四电流单路转多路子单元,所述第三电流单路转多路子单元的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第三电流单路转多路子单元的输出端与第四电流单路转多路子单元的输入端连接,所述第三电流单路转多路子单元的输出端与电流转电压模块的输入端连接。
[0012]于本技术的一实施例中,所述第一电流单路转多路子单元包括第二NMOS管,所述第二NMOS管的漏极与电压电流转换模块的输出端连接,所述第二NMOS管的漏极与第二NMOS管的栅极连接,所述第二NMOS管的源极接地,所述第二NMOS管的栅极与第二电流单路转多路子单元的输入端连接;
[0013]多个所述第二电流单路转多路子单元之间并联连接,多个所述第二电流单路转多路子单元包括第三NMOS管,所述第三NMOS管的栅极与第一电流单路转多路子单元的输出端连接,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极与电流转电压模块的输入端连接。
[0014]于本技术的一实施例中,所述第三电流单路转多路子单元包括第二PMOS管,所述第二PMOS管的漏极与电压电流转换模块的输出端连接,所述第二PMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极连接,所述第二PMOS管的源极与第二电压源连接,所述第二PMOS 管的栅极与第四电流单路转多路子单元的输入端连接;
[0015]多个所述第四电流单路转多路子单元之间并联连接,多个所述第四电流单路转多路子单元包括第三PMOS管,所述第三PMOS管的栅极与第三电流单路转多路子单元的输出端连接,所述第三PMOS管的源极与第三电压源连接,所述第三PMOS管的漏极与电流转电压模块的输入端连接。
[0016]于本技术的一实施例中,所述电流转电压模块包括第一电流转电压单元和第二电流转电压单元,所述第一电流转电压单元的输入端与电流单路转多路模块的输出端连接,所述第一电流转电压单元的输出端与分支电路的输入端连接,所述第二电流转电压单元的输入端与电流单路转多路模块的输出端连接,所述第二电流转电压单元的输出端与分支电路的输入端连接。
[0017]于本技术的一实施例中,所述第一电流转电压单元包括第三电阻,所述第三
的反相输入端与第一NMOS管T1的源极连接,第一运算放大器A1的输出端与第一NMOS 管T1的栅极连接,基准电压源输入的电压信号通过第一运算放大器A1可以将其进行放大,然后放大的电压信号从第一NMOS管T1的栅极输入,第一NMOS管T1的漏极与电流单路转多路模块的输入端连接,第一NMOS管T1的源极通过第一电阻R1接地,从第一NMOS 管T1的栅极输入的电压信号通过第一NMOS管T1可以转换成电流信号,并且第一电阻 R1为下拉电阻,提高了电压转电流电路的稳定性。
[0033]请参阅图3,第二电压电流转换单元包括:第二运算放大器、第一PMOS管和第二电阻,以下选择第二运算放大器A2、第一PMOS管T2和第二电阻R2为例来进行说明。
[0034]第二运算放大器A2的同相输入端与基本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多路基准电压复用电路,其特征在于,包括:电压电流转换模块、电流单路转多路模块和电流转电压模块,所述电压电流转换模块的输入端与基准电压源的输出端连接,所述电压电流转换模块的输出端与电流单路转多路模块的输入端连接,所述电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接,所述电流转电压模块的输出端与各个分支电路的输入端连接,其中,所述电流单路转多路模块由电流镜电路组成。2.根据权利要求1所述的一种多路基准电压复用电路,其特征在于:所述电压电流转换模块包括第一电压电流转换单元和第二电压电流转换单元,所述第一电压电流转换单元的输入端与基准电压源的输出端连接,所述第一电压电流转换单元输出端与电流单路转多路模块的输入端连接,所述第二电压电流转换单元的输入端与基准电压源的输出端连接,所述第二电压电流转换单元输出端与电流单路转多路模块的输入端连接。3.根据权利要求2所述的一种多路基准电压复用电路,其特征在于:所述第一电压电流转换单元包括:第一运算放大器、第一NMOS管和第一电阻,所述第一运算放大器的同相输入端与基准电压源的输出端连接,所述第一运算放大器的反相输入端与第一NMOS管的源极连接,所述第一运算放大器的输出端与第一NMOS管的栅极连接,所述第一NMOS管的漏极与电流单路转多路模块的输入端连接,所述第一NMOS管的源极通过第一电阻接地;所述第二电压电流转换单元包括:第二运算放大器、第一PMOS管和第二电阻,所述第二运算放大器的同相输入端与基准电压源的输出端连接,所述第二运算放大器的反相输入端与第一PMOS管的源极连接,所述第一运算放大器的输出端与第一PMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的漏极与电流单路转多路模块的输入端连接,所述第一PMOS管的源极通过第二电阻与第一电压源的输出端连接。4.根据权利要求1所述的一种多路基准电压复用电路,其特征在于:所述电流单路转多路模块包括第一电流单路转多路单元和第二电流单路转多路单元,所述第一电流单路转多路模块的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第一电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接,所述第二电流单路转多路模块的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第二电流单路转多路模块的输出端与电流转电压模块的输入端连接。5.根据权利要求4所述的一种多路基准电压复用电路,其特征在于:所述第一电流单路转多路单元包括第一电流单路转多路子单元和多个第二电流单路转多路子单元,所述第一电流单路转多路子单元的输入端与电压电流转换模块的输出端连接,所述第一电流单路转多路子单元的输出端与第二电流单路转多路子单元的输入端连接,所述第二电流单路转多路子单元的输出端与电流转电压模块...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐静田荣军朱启举张鹏张力锋石川
申请(专利权)人:苏州飞域微电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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