一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程制造技术

本发明专利技术属于线路板制造技术领域，涉及一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程，步骤包括：X

【技术实现步骤摘要】
一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程


[0001]本专利技术涉及线路板制造
，特别涉及一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程。

技术介绍

[0002]mSAP英文名为Modified Semi
‑
Additive Process，是细线路成型工艺流程的简称，其工艺流程包括压合增层、镭射钻孔和线路曝光等步骤。因为其线宽线距能达到50um以下，所以被很多高精度电路板采用。
[0003]以往采用的方法是内层先对四周进行镭射钻靶，再以产生的四个靶点为基准压合增层，随后再在外层将覆盖在靶点上的介层部分去除，以靶点定位镭射钻孔和烧skiving镭射环状靶点，然后再以skiving镭射环状靶点中心定位，进行线路曝光操作。该方法只能制造线路ring边宽度50um(约2mil)以上的产品，在制造更精细的产品时这种定位方式存在以下两个问题：
[0004]1、skiving镭射环状靶点是由环形分布的很多个8～12mil雷射小孔构成的，而各个小孔烧穿质量不稳定，大小不一、真圆度不足、灰阶模糊，这导致了定位会存在≧10um的DI曝光机CCD取像定位误差；
[0005]2、skiving镭射环相对起初的靶点要进行一次移动，而对于镭射机而言，台面移动本身又会存在5～10um的精度误差。
[0006]目前一些高精度产品会要求镭射盲孔孔径50um，线路ring边不足25um，当以上两种误差加合的时候，相对于线路ring边已经超出了误差允许范围，所以制约了制程能力的提升。
[0007]因此，有必要改进定位方法来解决上述问题。

技术实现思路

[0008]本专利技术的主要目的在于提供一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程，能够以比较简便的方法降低定位误差，提升制程能力。
[0009]本专利技术通过如下技术方案实现上述目的：一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程，步骤包括：
[0010]①
X
‑
Ray钻靶：准备具有内层、介质层和外铜面的基层线路板，所述介质层的四角具有若干粗定位靶点和若干精定位靶点，所述粗定位靶点和所述精定位靶点都被所述外铜面覆盖，用X
‑
Ray透视先找到所述粗定位靶点的位置并钻通，然后找到所述精定位靶点的位置；
[0011]②
laser烧靶：根据步骤
①
找到的所述精定位靶点的位置将围绕所述精定位靶点的所述外铜面局部烧穿至露出所述介质层；
[0012]③
laser钻孔：对四个所述精定位靶点进行取像，然后以所述精定位靶点的圆心作为定位基准，在所述基层线路板的中间部分laser钻出所需内容孔；
[0013]④
PTH沉铜：对所述基层线路板的表面进行PTH沉铜，使所述内容孔的正反面导通；
[0014]⑤
线路压膜：在所述基层线路板的外表面压感光膜；
[0015]⑥
线路DI曝光：对四个所述精定位靶点进行取像，然后以所述精定位靶点的圆心作为定位基准，运用线路曝光工艺，在所述外铜面上形成新的线路。
[0016]具体的，所述粗定位靶点至少包括四个，所述精定位靶点至少包括四个，所述粗定位靶点相比所述精定位靶点更靠近所述基层线路板的边缘。
[0017]具体的，所述步骤
②
中所述介质层的烧穿边缘距离所述精定位靶点的边缘的距离不小于40mil。
[0018]具体的，所述步骤
②
利用孔径≦5mil的激光矩阵烧靶。
[0019]具体的，所述步骤
③
和所述步骤
⑥
的取像采用正光源。
[0020]采用上述技术方案有益效果是：
[0021]本制程让同一个层别laser钻孔和线路工艺都利用靶点进行定位，减少了PCB同行业当普遍采用镭射环的抓取误差和机台的移动误差，节省了加工时间，降低了机器能耗，提高了机器的使用寿命，还提升了制程精度。
附图说明
[0022]图1为烧靶过后靶点位置的局部放大图；
[0023]图2为烧靶过后靶点位置的叠层示意图。
[0024]图中数字表示：
[0025]1‑
内层，2
‑
介质层，3
‑
外铜面，4
‑
精定位靶点。
具体实施方式
[0026]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。
[0027]实施例：
[0028]如图1和图2所示，本专利技术为一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程，步骤包括：
[0029]①
X
‑
Ray钻靶：准备具有内层1、介质层2和外铜面3的基层线路板，介质层2的四角具有四个粗定位靶点(未画出)和四个精定位靶点4，粗定位靶点和精定位靶点4都被外铜面3覆盖，用X
‑
Ray透视先找到粗定位靶点的位置并钻通，然后找到精定位靶点4的位置；
[0030]②
laser烧靶：根据步骤
①
找到的精定位靶点4的位置将围绕精定位靶点4的外铜面3局部烧穿至露出介质层2；
[0031]③
laser钻孔：对四个精定位靶点4进行取像，然后以精定位靶点4的圆心作为定位基准，在基层线路板的中间部分laser钻出所需内容孔；
[0032]④
PTH沉铜：对基层线路板的表面进行PTH沉铜，使内容孔的正反面导通；
[0033]⑤
线路压膜：在基层线路板的外表面压感光膜；
[0034]⑥
线路DI曝光：对四个精定位靶点4进行取像，然后以精定位靶点4的圆心作为定位基准，运用线路曝光工艺，在外铜面3上形成新的线路。
[0035]粗定位靶点和精定位靶点4是在前道工序已经生成的，两者相对位置固定，都至少有四个，上限数目不受限制。因为精准度精定位靶点4高于粗定位靶点，越靠近内容孔的地
方精度要求越高，所以粗定位靶点相比精定位靶点4更靠近基层线路板的边缘。粗定位靶点用来在X
‑
Ray钻靶中找到精定位靶点4的位置，以备在烧靶中突出显示出来，精定位靶点4的主要作用在于帮步骤
③
和步骤
⑥
高精度地找到基准位置，只要确保孔径偏差不要太大即可，本案设计选择48mil的孔径。本制程让同一个层别laser钻孔和外层的线路工艺都利用已经成型的精定位靶点4进行定位，减少了镭射环的抓取误差和机台的移动误差，节省了加工时间，降低了机器能耗，提高了机器的使用寿命，还提升了制程精度。
[0036]如图1所示，步骤
②
中介质层2的烧穿边缘距离精定位靶点4的边缘的距离不小于40mil。介质层2烧穿的主要作用是让精定位靶点4重新暴露出来，所以烧穿区域要大于精定位靶点4的范围，计入偏差后要保证一定的间距。烧穿范围可以不局限于方形，也可以是圆形、腰形等图形。
[0037]laser本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于mSAP高精度产品的DI曝光对位制程，其特征在于：步骤包括：
①
X
‑
Ray钻靶：准备具有内层、介质层和外铜面的基层线路板，所述介质层的四角具有若干粗定位靶点和若干精定位靶点，所述粗定位靶点和所述精定位靶点都被所述外铜面覆盖，用X
‑
Ray透视先找到所述粗定位靶点的位置并钻通，然后找到所述精定位靶点的位置；
②
laser烧靶：根据步骤
①
找到的所述精定位靶点的位置将围绕所述精定位靶点的所述外铜面局部烧穿至露出所述介质层；
③
laser钻孔：对四个所述精定位靶点进行取像，然后以所述精定位靶点的圆心作为定位基准，在所述基层线路板的中间部分laser钻出所需内容孔；
④
PTH沉铜：对所述基层线路板的表面进行PTH沉铜，使所述内容孔的正反面导通；
⑤
线路压膜：在所述基层线路板的外表面压感...

【专利技术属性】
技术研发人员：李齐良，
申请(专利权)人：柏承南通微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：