一种反向充电与无损压降保护电路系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种反向充电与无损压降保护电路系统，包括：反向充电电路、过温保护电路、正负极极性错误转换电路；所述过温保护电路分别与所述反向充电电路和正负极极性错误转换电路电连接；所述反向充电电路，用于给设备反向充电；所述过温保护电路，用于在检测到环境温度超过设定温度时，自动切断输入电源以保护后端设备；所述正负极极性错误转换电路，用于将输入正负极自动转换为正确的极性。本实用新型专利技术通过反向充电，延长续航时间，并在环境温度异常或者设备短路时能断开输入电源来保护后端设备，且在正负极极性错误时，能完美解决现有技术使用压降大、无法满足在低电压电路使用的缺陷，使用本系统，不会产生压降，不影响后端电路性能。后端电路性能。后端电路性能。

A reverse charging and lossless voltage drop protection circuit system

【技术实现步骤摘要】
一种反向充电与无损压降保护电路系统


[0001]本技术涉及充电
，具体涉及一种反向充电与无损压降保护电路系统。

技术介绍

[0002]随着社会经济和科技的不断进步，电子产品的应用越来越普遍，但现有给电子产品进行充电的充电设备还存在如下不足：
[0003]1)便携式电子设备，需要依赖增大电池容量,来达到足够的续航时间；
[0004]2)现有的设备没有高低温保护，温度异常时不能切断输入电源以便保护后端设备；
[0005]3)正负极极性错误时不能有效保护设备，极性输入错误时不能自动转换为正确极性，不能有效保护后端电路。
[0006]因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现思路

[0007]针对现有技术存在的问题，本技术提供一种反向充电与无损压降保护电路系统。
[0008]为实现上述目的，本技术的具体方案如下：
[0009]本技术提供一种反向充电与无损压降保护电路系统，包括：反向充电电路、过温保护电路、正负极极性错误转换电路；
[0010]所述过温保护电路分别与所述反向充电电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反向充电与无损压降保护电路系统，其特征在于，包括：反向充电电路、过温保护电路、正负极极性错误转换电路；所述过温保护电路分别与所述反向充电电路和正负极极性错误转换电路电连接；所述反向充电电路，用于在检测到设备的OTG信息时，给该设备反向充电；所述过温保护电路，用于在检测到环境温度超过设定温度时，自动切断输入电源以保护后端设备；所述正负极极性错误转换电路，用于在输入正负极极性错误时，自动转换为正确的极性。2.根据权利要求1所述的反向充电与无损压降保护电路系统，其特征在于，所述反向充电电路包括：Type
‑
C接口、电阻R3和MOS管Q6；所述Type
‑
C接口的5号SBU2引脚通过所述电阻R3与一输入电源电连接，所述Type
‑
C端口的14号VBUS引脚与所述MOS管Q6的源极电连接，所述MOS管Q6的栅极接地，所述MOS管Q6的漏极与所述过温保护电路的正输入端电连接。3.根据权利要求2所述的反向充电与无损压降保护电路系统，其特征在于，所述过温保护电路包括：电阻R43、R42、R27、R21、R6、R45、R44、R41、R39、R22、RT1，电容C16，三极管Q8、Q10，运算放大器U6
‑
A、U6
‑
B，MOS管Q5，输出端口；所述MOS管Q5的源极与所述MOS管Q6的漏极连接，所述电阻R43、R42、R27、R21、R6的上端均与所述MOS管Q5的源极连接，所述电阻R43的下端同时与所述电阻R45的上端和所述MOS管Q5的栅极连接，所述MOS管Q5的漏极与所述输出端口的正极连接；所述电阻R45的下端与所述三极管Q10的集电极连接，所述三极管Q10的发射极与所述三极管Q8的集电极连接，所述三极管Q10的基极与所述电阻R44的左端连接，所述电阻R44的右端与所述运算放大器U6
‑
B的输出端连接，所述运算放大器U6
‑
B的正相输入端同时与所述电阻R42的下端和所述电阻R41的上端连接，所述电阻R41的下端接地，所述运算放大器U6
‑
B的反向输入端同时与所述运算放大器U6
‑
A的方向输入端、所述电阻R6的下端、所述电阻RT1的上端连接，所述电阻RT1的下端接地，所述三极管Q8的发射极接地，所述三极管Q8的基极与所述电阻R39的左端连接，所述电阻R39的右端与所述运算放...

【专利技术属性】
技术研发人员：范海峰，
申请(专利权)人：深圳市东峰盛科技有限公司，
类型：新型
国别省市：