反射损耗抑制电路制造技术

技术编号:3402331 阅读:225 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
目的是抑制所要求带宽外的任意的频率带宽中的反射损耗,而对所要求频率带宽的电路特性不产生影响。通过传输线路15,特定的频率带宽的电路的输出阻抗变换为高阻抗。具有频率选择性的电阻接地电路18并联连接。电阻接地电路18由具有负载电阻值附近的电阻值的电阻16、在包含在前述频率带宽中的角频率ω↓[0]中选择的满足表达式Im[tanh{γ(λ/2-δ)}]=-ω↓[0]CZ↓[0]的电容C、和(λ/2-δ)长前端开放抽头构成。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在各种微波、毫米波电路及数字电路使用的反射损耗抑制电路
技术介绍
以往,进行高频信号的放大、振荡、混合等的微波、毫米波电路,以及进行数字信号的放大、识别、分支等的数字电路,正在多种系统中被应用。参照第1图对上述多种多样的电路中,用在光通信系统和无线通信系统的分布型的宽频带放大器进行说明。第1图是表示以往的分布型放大器的一个实施例的电路图。该以往的分布型放大器,是采用由异质结双极晶体管1(以下称作HBT)和HBT2共射-共基连接构成的HBT共射-共基放大器对3的共射-共基型的三段结构的分布型放大器。输入信号从输入端子7被输入,输出信号从输出端子8被输出。对HBT1的基极端子由基极电源9经终端电阻12供给DC电源。对HBT2的集电极端子由集电极电源11经终端电阻12供给DC电源。对HBT2的基极端子由共射共基电源11经电阻12供给DC电源。此外,HBT2的基极端子经由RF接地用电容器13高频接地。上述分布型放大器,通过HBT1和HBT2的寄生电抗和高阻抗传输线路4和5的组合,形成截止频率高的传输线路。该传输线路具有信号源阻抗和负载阻抗相等的特性阻抗,可以实现在宽频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反射损耗抑制电路,其特征在于,具有    传输线路,在高频率电路或者数字电路中,将特定频率带宽中的输出阻抗或者输入阻抗变换为高阻抗;和    电阻接地电路,从所述传输线路输出端子一侧或者输入端子一侧看为并联连接,具有频率选择性,    所述电阻接地电路具有电阻,该电阻具有负载电阻值或者信号源电阻值附近的规定的电阻值,并且该电阻接地电路在所述特定的频率带宽中具有低阻抗;    所述电阻接地电路由在该频率带宽外具有高阻抗的一端子对电路为终端的电路构成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:细谷健一
申请(专利权)人:日本电气株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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