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用于高功率的恒定电流达林顿电路制造技术

技术编号:3401373 阅读:197 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种高功率恒定电流达林顿电路,包括输入端子,其中,恒定电流达林顿电路的基极端子(B)(第一端子)连接到晶体管(Q1)的基极,晶体管(Q1)的发射极连接到电阻器(R1)的一端和晶体管(Q2)的基极,电阻器(R1)的另一端连接到晶体管(Q3)的发射极,恒定电流达林顿电路的集电极端子(C)(第二端子)连接到晶体管(Q1)的集电极和晶体管(Q2)的集电极,晶体管(Q2)的发射极连接到恒定电压源(CV1)的一端,恒定电流达林顿电路的发射极端子(E)(第三端子)直接连接到负载(LD1),恒定电压源(CV1)的另一端连接到电阻器(R2)的一端和晶体管(Q3)的基极,并且恒定电流达林顿电路的端子(E1)(第四端子)连接到电阻器(R2)的另一端和晶体管(Q3)的集电极,从而最小化输出端子的功率损耗,本发明专利技术还公开了一种集成了该结构的半导体设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种高功率恒定电流达林顿电路,包括:输入端子,其中,恒定电流达林顿电路的基极端子(B)(第一端子)连接到晶体管(Q1)的基极,晶体管(Q1)的发射极连接到电阻器(R1)的一端和晶体管(Q2)的基极,电阻器(R1)的另一端连接到晶体管 (Q3)的发射极,恒定电流达林顿电路的集电极端子(C)(第二端子)连接到晶体管(Q1)的集电极和晶体管(Q2)的集电极,晶体管(Q2)的发射极连接到恒定电压源(CV1)的一端,恒定电流达林顿电路的发射极端子(E)(第三端子)直接连接到负载(LD1),恒定电压源(CV1)的另一端连接到电阻器(R2)的一端和晶体管(Q3)的基极,并且恒定电流达林顿电路的端子(E1)(第四端子)连接到电阻器(R2)的另一端和晶体管(Q3)的集电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:秦玉相
申请(专利权)人:秦玉相
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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